"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: ido@ulsu.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Предложен новый метод определения вероятности излучательной релаксации центров свечения Mn2+ при их ударном возбуждении, а также зависимостей от времени коэффициента умножения электронов, числа ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ионизации, длины области ударной ионизации и коэффициента ударной ионизации из зависимостей от времени мгновенного внутреннего квантового выхода. Указанные зависимости получены на основе экспериментальных зависимостй от времени яркости свечения, тока и заряда, протекающих через слой люминофора, при возбуждении излучателей линейно нарастающим напряжением нижкой частоты. PACS: 78.60.Fi, 78.66.-w
  1. Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
  2. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 2. С. 74--83
  3. Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 5. С. 65--73
  4. Smith D.H. // J. Luminescence. 1981. Vol. 23. N 1. P. 209--233
  5. Мах Р. // Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения / Пер. с англ. Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. С. 264--292
  6. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003. Т. 73. N 4. С. 100--112
  7. Mach P., Mueller G.O. // Semicond. Sci. Technol. 1991. Vol. 6. P. 305--323
  8. Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 1. С. 45--54
  9. Ohba J., Mizuta M., Kumimoto H. // J. Luminescence. 1981. Vol. 23. N 1. P. 111--118
  10. Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 22. С. 17--23
  11. Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 48--58
  12. Bringuier E. // Phil. Mag. B. 1997. Vol. 75. N 2. P. 209--228
  13. Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир, 1994. 224 с
  14. Hitt J.C., Keir P.D., Wager J.F. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 2. P. 1141--1145
  15. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2001. Вып. 22. С. 52--57
  16. Zeinert A., Barthou C. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1997. Vol. 12. P. 1479--1486

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.