"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Незаполненные электронные состояния пленки олигомера кватерфенила и ее интерфейса с поверхностями золота и окисленного кремния
Комолов А.С.1,2
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Department of Chemistry, University of Copenhagen, Copenhagen, Denmark
Email: akomolov@kiku.dk
Поступила в редакцию: 28 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (EF), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1 eV при толщине 4-QP пленок 8-10 nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное расстояние между атомами углерода соседних 4-QP молекул было выбрано 0.4 nm для того, чтобы было возможно полагать межмолекулярное взаимодействие достаточно слабым. Такое межмолекулярное взаимодействие также характерно для неупорядоченных пленок 4-QP, исследованных экспериментально. Было обнаружено хорошее соответствие между DOUS пленок 4-QP, полученной экспериментально на основе TCS измерений, и DOUS пленок 4-QP, рассчитанной теоретически. PACS: 73.21.-b
  • Fahlman M., Salaneck W.R. // Surf. Sci. 2002. Vol. 500. P. 904
  • Ishii H., Oji H., Ito E., Hayashi N., Yoshimura D., Seki K. // J. Luminescence 2000. Vol. 87--89. P. 61
  • Hill I., Milliron D., Schwartz J., Kahn A. // Appl. Surf. Sci. 2000. Vol. 166. P. 354
  • Yan L., Gao Y. // Thin Solid Films 2002. Vol. 417. P. 101
  • Blochwitz J., Fritz T., Pfeiffer M. et al. // Organic Electr. 2001. Vol. 2. P. 97
  • Gotou Y., Kakinoki I., Noto M., Era M. // Curr. Appl. Phys. 2005. Vol. 5. P. 19
  • Kobayashi S., Haga Y. // Synth. Met. 1997. Vol. 87. P. 31
  • Balzer F., Rubahn H.-G. // Surf. Sci. 2002. Vol. 507--510. P. 588
  • Stohr Y. NEXAFS Spectroscopy. Springer, Berlin, 1996. Chapters 6 and 10
  • Hitchcock A.P., Newbury D.C., Ishii I., Stohr J. et al. // J. Phys. Chem. 1986. Vol. 85. P. 484
  • Guo J.H., Magnuson M., Sathe C. et al. // J. Chem. Phys. 1998. Vol. 108. P. 5990
  • Oji H., Mitsumoto R., Ito E. et al. // J. Chem. Phys. 1998. Vol. 109. N 23. P. 10 409
  • Springborg M., Schmidt K., Meider H., de Maria L. In: Organic Electronic Materials. Farchioni R. and Grosso G., eds., Springer, Berlin, 2001. P. 39
  • Hill I., Kahn A., Cornil J., dos Santos D., Bredas J.L. // Chem. Phys. Lett. 2000. Vol. 317. P. 444
  • Strocov V.N., Starnberg H.I. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52. P. 8759
  • Komolov S.A. Total current spectroscopy of surfaces. Gordon \& Breach, Philadelphia, 1992
  • Panchenko O.F. // J. El. Spectr. Rel. Phen. 2002. Vol. 127. P. 11
  • Komolov A.S., Moller P.J., Lazneva E.F. // J. El. Spectr. Rel. Phen. 2003. Vol. 131--132. P. 67
  • Komolov A.S., Mo-3.5pt/ller P.J. // Synth. Met. 2002. Vol. 128. P. 205
  • Komolov A.S. // Phys. Low-Dim. Struct. 2004. Vol. 3--4. P. 103
  • Bartos I. // Progr. Surf. Sci. 1998. Vol. 59. P. 197
  • Komolov A., Mo-3.5pt/ller P.J. // Appl. Surf. Sci. 2005. Vol. 244. P. 573
  • Mo-3.5pt/ller P.J., Komolov S.A., Lazneva E.F., Komolov A.S. // Appl. Surf. Sci. 2001. Vol. 175--176. P. 663
  • Peisert H., Schwieger T., Auerhammer J.M. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. N 1. P. 467
  • Papaefthimiou V., Siokou A., Kennou S. // Surf. Sci. 2004. Vol. 569. P. 207
  • Rivi \grave ere J.C. In Solid State Surface Science. Vol. 1. M. Green, ed., Marcel Dekker, 1069. P. 180
  • Li X.Y., Tang X.S., He F.C. // Chem. Phys. 1999. Vol. 248. P. 137
  • Athouel L., Resel R., Koch N. et al. // Synth. Met. 1999. Vol. 101. P. 628
  • Blaha P., Schwarz K., Madsen G., Kvasnicka D., Luitz. WIEN2k. An Augmented Plane Wave + Loca. Orbitals Program for Calculating Crystal Properties. Karlheinz. Schwarz, Techn. University of Wien, Austria, 2001. ISBN 3-9501031-1-2
  • Kohn W., Sham L.J. // Phys. Rev. 1965. Vol. 140. P. A1133.
  • Perdew J.P., Chevary J.A., Vosko S.H. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. P. 6671
  • Schwarz K., Blaha P. In: Quantum-Mechanical Ab-initio Calculation of the Properties of Crystalline Materials. Pisani C., ed., Springer, Berlin, 1996. P. 139
  • Blohl P.E., Jepsen O., Andersen O.K. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. P. 16 223
  • Schroeder P.G., Nelson M.W., Parkinson B.A., Schlaf R. // Surf. Sci. 2000. Vol. 459. P. 349
  • Harrison W.A. Electronic structure and the properties of solids. Freeman W.H. and Co. San Francisco, 1980. 582 p
  • Jungyoon E., Kim S., Lim E. et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 205. P. 274
  • Winokur M.J., Wamsley P., Moulton J. et al. // Macromolecules. 1991. Vol. 224. P. 3812
  • Bredas J.L., Calbert J.P., da Silva Filho D.A., Cornil J. // Proc. Nat. Acad. Sci. 2002. Vol. 99. P. 5804
  • Cornil J., Beljonne D., Calbert J.P., Bredas J.L. // Adv. Mater. 2001. Vol. 13. N 14. P. 1053
  • Ito E., Oji H., Furuta M. et al. // Synth. Met. 1999. Vol. 101. P. 654.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.