Вышедшие номера
Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик
Игнатенко С.А.1, Данилюк А.Л.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: s2ign@tut.by
Поступила в редакцию: 4 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Разработана модель спин-зависимого транспорта электронов через структуру ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик, учитывающая силы изображения, параметры туннельного барьера, эффективные массы туннелирующего электрона в барьере и ферромагнетике в рамках приближения свободных электронов. Расчеты, проведенные для структуры железо/оксид алюминия/железо, показывает, что туннельное магнитосопротивление с ростом прикладываемого напряжения монотонно убывает, а затем наблюдаются затухающие осцилляции, которые связаны с интерференцией волновых функций электронов в области проводимости потенциального барьера. Силы изображения увеличивают туннельное магнитосопротивление в 2-3 раза.