"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Ферромагнитный резонанс в эпитаксиальных пленках одноосных бариевых гексаферритов
Зависляк И.В.1, Костенко В.И.1, Чамор Т.Г.1, Чевнюк Л.В.1
1Киевский национальный университет им. Т.Г. Шевченко, Киев, Украина
Email: zav@univ.kiev.ua
Поступила в редакцию: 22 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Проведены исследования магнитных параметров эпитаксиальных пленок гексаферрита бария. Приведены экспериментальные результаты гистерезиса частотно-полевых зависимостей ферромагнитного резонанса (ФМР) эпитаксиальных пленок бариевого гексаферрита в области перехода из многодоменного состояния в однодоменное и обратно. Исследовано влияние толщины подложки на связь эпитаксиальной пленки с полем СВЧ.
  • Lebedev S.V., Patton C.E., Wittenauer M.A. et al. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. N 7. P. 4426--4431
  • Glass H.L. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. P. 4111
  • Яковлев Ю.М., Генделев С.Ш. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. М.: Сов. радио, 1975. 324 с
  • Вонсовский С.В. Магнетизм. М.: Наука, 1971. 1032 с
  • Tanasolu C., Florescu V., Rosenberg M. // Mut. Res. Bull. 1971. Vol. 6--8. P. 1257--1260
  • Roschmann P., Lemke M., Tolksdorf W., Welz F. // Mut. Res. Bull. 1984. Vol. 19. N 3. P. 385--392
  • Kostenko V.I., Sigal M.A. // Phys. Stat. Sol. (b). 1992. Vol. 170. P. 569--584
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.