Вышедшие номера
Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Рябов Д.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: ido@ulsu.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Обнаружено инфракрасное (ИК) тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей после ИК подсветки излучателей в паузе между импульсами напряжения возбуждения, а также уменьшение интенсивности излучения в области ~ 530-540 nm и увеличения интенсивности излучения в полосе 640-690 nm, что объясняется перезарядкой глубоких центров, образованных вакансиями серы V2+S и V+S, с увеличением концентрации центров V+S и перераспределением каналов ударного возбуждения центров Mn2+ и V+S после ИК подсветки в пользу центров V+S. Оценены значения сечения и скорости ударного возбуждения центров V+S, сечения фотовозбуждения центров V2+S, коэффициента поглощения ИК излучения, внутреннего квантового выхода электролюминесценции, вероятности излучательной релаксации центров Mn2+ и коэффициента умножения электронов в слое люминофора.
  1. Георгобиани А.Н., Пензин Ю.Г. // Люминесценция. 1963. С. 321--326
  2. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 4. С. 14--21
  3. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 4. С. 90--99
  4. Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 9. С. 88--95
  5. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 15. С. 24--32
  6. Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 48--58
  7. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 2. С. 74--83
  8. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 4. С. 100--112
  9. Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 6. С. 673--675
  10. Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А. // Междунар. конф. по люминесценции. Тез. докл. М.: ФИАН, 2001. С. 98
  11. Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Коджесперов Ф.Ф., Полежаев Б.А. // ЖПС. 1991. Т. 55. N 3. С. 452--456
  12. Грузинцев А.Н. Сложные центры свечения в сильно легированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция. Док. дис. Черноголовка, 1997. 373 с
  13. Грузинцев А.Н. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 2. С. 126--130
  14. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Сю Сююнь, Лод Зиндонг // Неорган. матер. 1999. Т. 35. С. 1429--1434
  15. Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. М.: Наука, 1986. 320 с
  16. Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Коджесперов Ф.Ф., Полежаев Б.А. // ЖПС. 1990. Т. 52. N 1. С. 36--39
  17. Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. N 1. P. 639--647
  18. Hitt J.C., Keir P.D., Wager J.F., Sun S.S. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 2. P. 1141--1145
  19. Гурин Н.Т. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 5. С. 77--85
  20. Keir P.D., Maddix C., Baukov B.A., Wager J.F. et al. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. N 12. P. 6810--6815
  21. Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
  22. Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 2. С. 64--69
  23. Shin S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. N 9. P. 5775--5781
  24. Zeinert A., Barthou C., Benalloul P., Benoit J. // Semicond. Sci. Technol. 1997. N 12. P. 1479--1486
  25. Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: ГИФМЛ, 1963. 264 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.