"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик
Крячко В.В.1, Левин М.Н.1, Татаринцев А.В.1, Бормонтов Е.Н.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: levin@lev.vsu.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Представлен метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик по измерению контактной разности потенциалов между поверхностью диэлектрической пленки и вибрирующим зондом, в котором поверхностный электростатический потенциал варьируется изменением заряда на внешней поверхности диэлектрика. Величина заряда задается временем выдержки структуры в коронном разряде. Приведены результаты использования метода при исследовании воздействия на систему кремний-диоксид кремния радиации и импульсных магнитных полей.
  • Terman I.M. // Sol. St. Electron. 1962. Vol. 5. P. 285--299
  • Nicollian E.N., Goetzberger A. // IEEE Trans. on ED. 1965. Vol. ED-12. N 3. P. 108--117
  • Berglund C.N. // IEEE Trans. on ED. 1966. Vol. ED-13. N 10. P. 701--705
  • Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища школа, 1984. 214 с
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с
  • Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 55. N 10. P. 3495--3499
  • Jupina M.A., Lenahan P.M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. NS-37. N 6. P. 1650--1657
  • Nicollian E.N., Goetzberger A. // Bell Syst. Tech. J. 1967. Vol. 46. N 5. P. 1055--1133
  • Будко В.Н., Крячко В.В. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. Т. 5. N 2. С. 155--161
  • Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Ed. T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. New York: Wiley Interscience, 1989. 760 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.