"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером
Аверин С.В.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинское отделение, Фрязино, Московская область, Россия
Email: sva278@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 14 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода.
  • Ito M., Wada O. // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. Vol. 22. N 7. P. 1073--1077
  • Rogers D.L. // J. Lightwave Technology. 1991. Vol. 9. N 9. P. 1635--1638
  • Soole J.B.D., Schumacher H. // IEEE J. Quantum Electronics. 1991. Vol. 27. N 3. P. 737--752
  • Chou S.Y., Liu M.Y. // IEEE J. Quantum Electronics. 1992. Vol. 28. N 10. P. 2358--2368
  • Chou S.Y., Liu M.Y., Fisher P.B. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 61. N 4. P. 477--479
  • Hugy J., Haddab Y., Sachot R., Ilegems M. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. N 4. P. 1785--1794
  • Averin S., Sachot R. et al. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. N 3. P. 1553--1558
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
  • Kato K. // IEEE Trans. 1999. Vol. MTT-47. N 7. P. 1265--1281
  • Sarto A.W., Van Zeghbroeck B.J. // IEEE J. Quantum Electron. 1997. Vol. 33. N 12. P. 2188--2194
  • Ramo S. // Proc. IRE. 1939. Vol. 27. N 9. P. 584--585
  • Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 261 с
  • Kikuchi T., Ohno H., Hasegava H. // Electron. Lett. 1988. Vol. 24. N 19. P. 1208--1210
  • Yang L., Sudbo A.S. et al. // IEEE Photonics Technol. Lett. 1990. Vol. 2. N 1. P. 56--58
  • Kuhl D., Hieronymi F. et al. // Electron. Lett. 1990. Vol. 26. N 25. P. 2107--2109
  • Chiu Y.J., Flecher S.B., Lasaosa D., Bowers J.E. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. N 17. P. 2508--2509
  • Kordos P., Foster A., Marso M., Ruders F. // Electron. Lett. 1998. Vol. 34. N 1. P. 119--120
  • Аверин С.В., Штейн фон Камински Е. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 1. С. 81--90
  • Moglestue C., Rosenzweig J. et al. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 79. N 4. P. 2435--2448
  • Averin S.V., Sachot R. // Solid State Electronics. 2000. Vol. 44. N 9. P. 1627--1634
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.