Вышедшие номера
Влияние кластеризованной структуры эпитаксиальных пленок LaCa(Sr)MnO на их магнитные, электронные и оптические свойства
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков О.П., Szymczak R., Szymczak H., Lewandowski S.J., Baran M., Gierlowski P.1
1Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
Поступила в редакцию: 12 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

С целью выяснения природы особенностей в поведении намагниченности M(T) и M(H) пленок La0.6Sr0.2Mn1.2O3 и La2/3Ca1/3MnO3, полученных методом импульсного лазерного (KrF) осаждения, устанавливается связь между магнитными свойствами, электропроводностью и атомно-кристаллической структурой. С помощью анализа рентгеновских дифракционных картин исследовалась кластеризованная кристаллическая структура манганитов. Показано, что вариации температуры роста, типа подложек и последующего облучения лазером сопровождаются изменениями не только в матричной структуре (с дальним порядком в расположении ионов), но и в кластеризованной структуре (с мезоскопическим порядком). Экспериментально наблюдаемые особенности поведения магнитных, электронных и оптических свойств манганитов объясняются с позиций выявленных закономерностей локальных изменений в атомной и электронной подсистемах кластеризованных структур, обеспечивающих магнитные взаимодействия между кластерами.
  1. Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. N 8. С. 833--858
  2. Демин Р.В., Королева Л.И., Шимчак Р., Шимчак Г. // Письма в ЖЭТФ. 2002. Т. 75. Вып. 7. С. 402--406
  3. Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков А., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Abal'oshev A., Klimov A., Szewczyk A. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 2. С. 118--124
  4. Abeles B., Sheng Ping, Coutts M.D., Arie Y. // Adv. Phys. 1975. Vol. 24. N 3. P 407--461
  5. Sheng Ping and Klafter J. // Phys. Rev. 1983. Vol. B27. N 4. P. 2583--2586
  6. Троянчук И.О., Мантыцкая О.С., Чобот А.Н., Шимчак Г. // ЖЭТФ. 2002. Т. 122. Вып. 2 (8). С. 347--355
  7. Кривоглаз М.А. // Электронная структура и электронные свойства металлов и сплавов. Сб. науч. тр. Киев: Наукова думка, 1998. С. 3--30
  8. Красинькова М.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 5. С. 30--37
  9. Мицек А.И. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999. Т. 21. N 10. С. 3--22
  10. Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Исаев В.А., Дьяченко Т.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 1. С. 150--154
  11. Прохоров В.Г., Каминский Г.Г., Флис В.С., Янг Пак Ли. // ФНТ. 1999. Т. 25. N 10. С. 1060--1066
  12. Горбенко О.Ю., Демин Р.В., Кауль А.Р., Королева Л.И., Шимчак Р. // ФТТ. 1998. Т. 40. N 2. С. 290--294
  13. Гавико В.С., Архипов В.Е., Королев А.В., Найш В.Е., Муковский Я.М. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 10. С. 1060--1066
  14. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Svistunov V.M., Abal'oshev A., Dynowska E., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 10. P. 7282--7290
  15. Окунев В.Д., Самойленко З.А., Исаев В.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // ПЖТФ. 2002. Т. 28. N 2. С. 12--20
  16. Глазман Л.И., Райх М.Э. // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 47. С. 378
  17. Kikoin K., Avishai Y. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86. P. 2090
  18. Мотт Н.Ф. Переходы металл--изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с
  19. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с
  20. Helman J.S., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1976. Vol. 37. P. 1429
  21. Lee S., Hwang H.Y., Shraiman B.I., Ratcliff II W.D., Cheong S.W. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82. P. 4508
  22. Лошкарева Н.Н., Сухоруков Ю.Н., Мостовщикова Е.В., Номерованная Л.В., Махнев А.А., Наумов С.В., Ганьшина Е.А., Родин И.К., Москвин А.С., Балбашов А.М. // ЖЭТФ. 2002. Т. 182. Вып. 2. С. 412--418

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.