"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе
Беспалов В.А., Воронцов А.В., Горбацевич А.А., Егоркин В.И., Жигальский Г.П., Ильичев Э.А., Кулаков А.В., Налбандов Б.Г., Пантуев В.С., Распутный В.Н., Свешников Ю.Н., Шмелев С.С.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Представлены результаты экспериментальных комплексных исследований взаимосвязи свойств исходных монокристаллических пластин и эпитаксиальных структур арсенида галлия со спектрометрическими пороговыми характеристиками детекторов ионизирующих излучений на их основе.
  • Акимов Ю.К., Игнатьев О.В., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. М.: Энергоатомиздат, 1989. 344 с
  • EG and G Ortec Catulog. 1995. Instruments and Systems for Nucler Spectroscopy. Modular Pulse-Processing Electronics and Semiconductor Radiation Detectors. P. 408--409
  • Arbari S., Braunschweig W., Chu Z. et al. // Proc. 3-=SUP=-rd-=/SUP=- Intern. Sci. Tech. Conf. "Actual Problems of Electronic Instr. Engin." Nosib, 1996. Vol. 1. P. 1
  • Брудный В.Н., Потапов А.И., Толбанов О.П. // Электронная пром-сть. 2002. N 2/3. С. 29--31
  • Айзенштат Г.И., Гермогенов В.П., Гущин С.М. и др. // Тез. Восьмой Российской конф. "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III--Y". 2002. С. 278--280.
  • Ильичев Э.А., Егоркин В.И., Кулаков А.В., Пантуев В.С., Шмелев С.С., Беспалов В.А., Горбацевич А.А. // Там же. С. 266--268
  • Bethe H.A. // Ann. d. Phys. 1930. Vol. 5. C. 325
  • Берестецкий В.Б., Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Релятивистская квантовая теория. 1968. Ч. 1. 477 с
  • Аствацетурьян Е.Р., Голотюк О.Н., Попов Ю.А. и др. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий. М., 1984
  • Вавилов В.С. Действие излучения на полупроводники. М., 1963
  • Newell D.M., Ho P.T., Mencik R.L., Pelos J.R. // IEEE Trans. 1981. Vol. Ns-28. N 12. P. 4403--4406
  • Kadowaki Y., Mitsni V., Takebe T. et all. // GaAs IC Symp. Tech. Dig. 1982. P. 83--86
  • Derley H.H., Houston T.W., Hite L.R. // IEEE Trans. 1983. Vol. NS-30. N 12. P. 4277--4281
  • Zully R., Notthoff J.K. // IEEE Trans. 1982. Vol. NS-29. N 5. P. 656--1661
  • Notthoff J.K. // IEEE Trans. 1985. Vol. NS-32. N 11. P. 1--4064
  • Sheld W.N., Sampson J.L., La Pierre D.C. // IEEE Trans. 1983. Vol. NS-30. N 12. P. 83--4186
  • Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И. Способ измерения параметров полупроводниковых материалов. Патент N 2079853. Приоритет от 17.09.93. Опубл. 1997
  • Ильичев Э.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. N 5. С. 41--143
  • Heitler W. The Quantum Theory of Radiation. Oxford; New York, 1954
  • Бор Н. Прохождение атомных частиц сквозь вещество. М.: ИЛ, 1950
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.