Рентгенотопографическая идентификация и измерение пластической деформации и упругих напряжений в отдельных кристаллитах поликристаллических слоев алмаза
Кузнецов Г.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: gfk217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 24 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
На основе известного явления астеризма разработан рентгенотопографический метод идентификации и измерения величин пластической деформации и остаточных упругих напряжений в отдельных кристаллитах поликристаллических слоев алмазов с размерами кристаллитов, превышающими 3 mum. Величина астеризма используется как количественная мера пластической деформации конкретных кристаллитов. Получено распределение числа кристаллитов по величине астеризма для поликристаллических слоев алмаза с толщинами 40-670 mum, осажденных в СВЧ (сверх высокочастотной) плазме. Впервые обнаружена сдвиговая пластическая деформация в отдельных кристаллитах, при которой возникает разориентация отдельных областей кристаллита в пределах от 0.4 угловых минут до 1.5o. Рассчитаны величины остаточных упругих напряжений в отдельных пластически деформированных кристаллитах, которые оказались в пределах 2.7 kPa-0.84 GPa.
- Ланг А.Р. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир: 1965. 259 с
- Krishan Lal, N. Goswami S.N., Verma A.R. // Sol. St. Commun. 1992. Vol. 81. N 6. P. 461
- Krishan Lal. // PINSA. 1998. 64.A. N. 5. 609 p
- Suzuki C.K., Shinihara A.H., Godoy P.H. et al. // Diam. Rel. Mater. 1998. Vol. 7. P. 289
- Rats D., Binbault L., Vandenbulcke L. et al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. N 8. P. 4994
- Кузнецов Г.Ф., Ральченко В.Г., Варнин В.П. и др. // Кристаллография. 2002. Т. 47. N 2. С. 333
- Кузнецов Г.Ф. Докт. дис. М.: ИРЭ АН СССР, 1989. 466 с
- Кузнецов Г.Ф. // Кристаллография. 1976. Т. 21. N 4. С. 847
- Кузнецов Г.Ф., Семилетов С.А. Дифракционные методы неразрушающего контроля реальной структуры эпитаксиальных и поликристаллических пленок в микроэлектронике. Сер. Микроэлектроника. М.: ЦНИИ "Электроника", 1975. Вып. 1 (280). 95 с
- Kuznetsov G.F. Physics of Semiconductors Devuces New Delhi, 1997. 1099 p
- Гинье А. Рентгенография кристаллов. М.: Физматгиз, 1961. 604 с
- Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л. Современная кристаллография. М.: Наука, 1979. Т. 2. 318 с
- Vlasov I., Ralchenko V., Zakharov D. et al. // Phys. St. Sol. (a). 1999. Vol. 174. P. 11
- Жданов Г.С. Физика твердого тела. МГУ, 1961. 500 с
- Werner M., Klose S., Szucs F. et al. // Diam. Rel. Mater. 1997. Vol. 6. P. 344
- Природные алмазы России. М.: Полярон, 1997. 350 с
- Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983. 304 с
- Кузнецов Г.Ф. Кристаллография. 2001. Т. 46. N 2. С. 320
- Кузнецов Г.Ф. // Кристаллография. 2000. Т. 45. N 2. С. 326
- Vlasov I.I., Ralchenko VG., Obraztsova E.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 1789
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
