Трансформация дефектной структуры и электрофизических свойств кристаллов селенида цинка под влиянием переменного электрического поля
Мигаль В.П., Ром М.А., Чугай О.Н.
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Исследованы изменения совершенства структуры и электрофизических свойств кристаллов ZnSe под воздействием сильного переменного электрического поля промышленной частоты. Установлено, что такое воздействие на кристалл приводит к трансформации дефектной структуры и диэлектрических параметров. Последние приобретают иную зависимость от температуры и длины волны фотовозбуждения. Наблюдаемые изменения обусловлены процессами ионной проводимости, связанными с локальными аномалиями электрической и упругой подсистем кристалла.
- Вишняков Я.Д. Дефекты упаковки в кристаллической структуре. М.: Металлургия, 1970. 216 с
- Rom M.A., Chukanova I.N. // Functional Materials. 1999. Vol. 6. N 5. P. 915--919
- Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. N 6. С. 1065--1069
- Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. М.: ИЛ, 1962. 222 с
- Кирсанов В.В., Кислицын С.Б., Кислицына Е.М. // ЖТФ. 1988. Т. 58. N 7. С. 1440--1442
- Кащеев В.А., Полуэктов П.П. //ЖТФ. 1991. Т. 61. N 1. С. 18--21
- Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах. М.: Мир, 1966. 291 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук