Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля
Левин М.Н.1, Татаринцев А.В.1, Косцова О.А.1, Косцов А.М.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: levin@lev.vsu.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок.
- Данилюк А.Л., Нарейко А.И. // Поверхность. 1996. N 9. С. 27--33
- Кукушкин Н.В., Постников С.Н., Терман Ю.А. и др. // ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 10. С. 2083--2084
- Левин М.Н., Зон Б.А. // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. Вып. 4. С. 1373--1397
- Levin M.N., Zon B.A. // MRS Proc. 2000. Vol. 583. P. 278--284
- Левин М.Н., Семенов В.Н., Наумов А.В. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 7. С. 35--39
- Якушев А.И., Воронцов Л.Н., Федотов Н.М. Взаимозаменяемость, стандартизация и технические измерения. М.: Машиностроение, 1986. 352 с
- Косцов А.М. // Изв. РАН. Сер. Физика. 2000. Т. 64. N 9. С. 1712--1713
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
