Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием

Паранчич С.Ю.¹, Паранчич Л.Д.¹, Макогоненко В.Н.¹, Танасюк Ю.В.¹, Юрценюк Р.Н.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Email: rektor@chnu.cv.ua

Поступила в редакцию: 18 июля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe : V) с концентрацией примеси 5·10¹⁸ cm^-3, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr-CdTe : V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства.

Zha M., Gorog T., Zappettini A. et al. // J. Crystal Growth. 2002. Vol. 234. P. 184--189
Гнатенко Ю.П., Гамерник Р.В., Фарина И.А. и др. // ФТТ. 1998. Т. 40. N 7. С. 1216--1220
Sochinskii N.V., Munoz V., Perez J.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 16. P. 2023--2025
Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 9. С. 1099--1102
Kosyachenko L.A., Sklyarchuk V.M., Sklyarchuk Ye.F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1999. Vol. 14. P. 373--377
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Боднарук О.А. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1438--1442
Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М., 1975. 432 с
Ponpon J.P. // Sol. St. Electron. 1985. Vol. 28. N 7. P. 689--706
Selber H.R., Peka P., Schultz H.-J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1999. Vol. 14. P. 521--527

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель