Многообразие структурных форм в LaSrMnO, инициируемое условиями роста и лазерного облучения
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков А., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Abal'oshev A., Klimov A., Szewczyk A.1
1Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa. Al. Lotnikov, 32/46
Email: okunev@host.dipt.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 20 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Изучалась закономерность кристаллографических фазовых переходов в перовскитовых структурах металлоксидов LaSrMnO при уменьшении (или увеличении) внутренних напряжений, создаваемых в процессе роста пленок (в интервале темеператур 450-730oC) и изменяющихся при последующем лазерном (KrF, УФ диапазона) облучении их. Показано, что с увеличением температуры синтеза имеет место фазовый переход ромбоэдрической структуры в орторомбическую при 650-670oC. Он обусловливает два типа температурных зависимостей электрического сопротивления: R(T)=const при T<Tcrit или R(T)=Rmax при T=Tc (Tc - температура Кюри) и две группы спектров оптического пропускания: с высокими или низкими коэффициентами пропускания (t~ 0.8-0.9 или 0.1-0.3) при homega=0.5-2.5 eV. При лазерном облучении LaSrMnO в соответствии с рентгеноструктурными исследованиями фазовые переходы происходят только в пленках с Ts<650oC с формированием разноразмерных фаз (орторомбической матрицы с дальним порядком и кластеров ромбоэдрической фазы с мезоскопическим порядком для пленок с Ts=450-550oC или ромбоэдрической матрицы с орторомбическими кластерами для Ts=550-650o).
- Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. N 8. C. 833--858
- Горбенко О.Ю., Демин Р.В., Кауль А.Р., Королева Л.И., Шимчак Р. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 2. С. 290--294
- Wang Z.L., Yin J.S., Jang Y.D., Zhang Jiming // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. N 25. 3362--3364
- Гавико В.С., Архипов В.Е., Королев А.В., Найш В.Е., Муковский Я.М. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 6. С. 1064--1069
- Прохоров В.Г., Каминский Г.Г., Флис В.С., Ли Янг Пак // ФНТ. 1999. Т. 25. Вып. 10. С. 1060--1066
- Троянчук И.О., Мантыцкая О.С., Постушонок С.Н., Шаповалова Е.Ф., Вирченко В.А. // Кристаллография. 1996. Т. 41. Вып. 5. С. 839--844
- Cтрекаловский В.Н., Полежаев Ю.М., Пальгуев С.Ф. Оксиды с примесной разупорядоченностью. М.: Наука, 1987. 144 с
- Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Svistunov V.M., Abal'oshev A., Dynowska E., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 10. P. 7282--7290
- Кривоглаз М.А. // Электронная структура и электронные свойства металлов и сплавов. Сб. науч. тр. Киев: Наукова думка, 1998. С. 3--39
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. // Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 53. Вып. 1. С. 42--45
- Мейер К. Физико-химическая кристаллизация. М.: Металлургия, 1972. 480 с
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
- Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Abal'oshev A., Abal'osheva I., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J., Varyukin V.N., Barbanera S. // Phys. Rev. 2000. Vol. B62. N 1. P. 696--701
- Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Исаев В.А., Дьяченко Т.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 1. С. 150--154
- Kaplan S.G., Quijada M., Drew H.D., Tanner D.B., Xiong G.C., Ramesh R., Kwon C., Venkatesan T. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. N 10. P. 2081--2084
- Coey J.M.D., Viret M., Ranno L., Ounagjela K. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. P. 3910
- Ziese M., Srinitiwarawong C. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. N 17. P. 11 519--11 525
- Троянчук И.О., Лобановский Л.С., Халявин Д.Д., Яруничев В.П., Пушкарев Н.В., Шимчак Г. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. Вып. 2 (8). С. 604--610
- Окунев В.Д., Самойленко З.А., Исаев В.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // ПЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 2. С. 12--20
- Biswas A., Rajeswari M., Srivastava R.C., Venkatesane I., Greene R.L., Lu Q., de Lozanne A.L., Millis A.J. // Phys. Rev. 2001. Vol. B 63. N 18. P. 184 424 (1--7)
- Salamon M.B., Jaime M. // Rev. Mod. Phys. 2001. Vol. 73. P. 583--628
- Мотт Н.Ф. Переходы металл--изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с
- Карькин А.Е., Шулятев Д.А., Арсенов А.А., Черепанов В.А., Филонова Е.А. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. Вып. 2 (8). С. 671--683
- Бебенин Н.Г., Зайнуллина Р.И., Машкауцан В.В., Гавико В.С., Устинов В.В., Муковский Я.М., Шулятев Д.А. // ЖЭТФ. 2000. Т. 117. Вып. 6. С. 1181--1189
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
