Оптическое ограничение излучения среднего ИК диапазона в пленках диоксида ванадия
Данилов О.Б., Климов В.А., Михеева О.П., Сидоров А.И., Тульский С.А., Шадрин Е.Б., Ячнев И.Л.1
1Научно-исследовательский институт лазерной физики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Представлены теоретические и экспериментальные результаты по ограничению импульсного излучения в спектральной области 3.8-10.6 mum в пленках диоксида ванадия. Проанализировано влияние структуры пленок на форму петли температурного гистерезса. Проведена оптимизация толщины пленки и структуры пленочного интерферометра, содержащего пленку диоксида ванадия, для повышения эффективности ограничения излучения. Исследована пространственная динамика переключения пленки диоксида ванадия под действием импульса излучения. Экспериментально показана возможность получения коэффициента ослабления излучения в режиме ограничения более 104.
- Boggess T.E., Smirl A.L., Moss S.C. et al. // IEEE J. Quant. Electr. 1985. Vol. QE-21. N 5. P. 488
- Багров И.В., Жевлаков А.П., Сидоров А.И. и др. // Оптический журнал. 2002. Т. 69. N 2. C. 15
- Averitt R.D., Westcott S.L., Halas N.J. // J. Opt. Soc. Am. B. 1999. Vol. 16. N 10. P. 1814
- Данилов В.В., Соснов Е.Н., Чистякова О.В. и др. // Опт. и спектр. 2001. Т. 90. N 3. C. 429
- Белоусов В.П., Белоусова И.М., Гавронская Е.А. и др. // Оптический журнал. 2001. Т. 68. N 12. C. 13
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход полупроводник--металл и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
- Bruckner W., Opperman H., Reichelt W. et al. Vanadiumoxide. Berlin: Akademic-Verlag, 1983. 252 p
- Danilov O.B., Belousov V.P., Belousova I.M. et al. // Proc. SPIE. 1998. Vol. 3263. P. 124
- Segaud J.P., Dillemann B., Giraudo O. // NLO. 1999. Vol. 21. N 1--4. P. 175
- Коновалова О.П., Сидоров А.И., Шаганов И.И. // Оптический журнал. 1999. Т. 66. N 5. C. 13
- Altanhan T. // J. Phys. 1987. C: Sol. St. Phys. Vol. 20. P. L949
- Вихнин В.С., Гончарук И.Н. и др. // ФТТ. 1995. Т. 37. N 12. C. 3580
- Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с
- Емельянов В.И., Бабак Д.В. // ФТТ. 1999. Т. 41. N 8. C. 1462
- Шадрин Е.Б., Ильинский А.В. // ФТТ. 2000. Т. 42. N 6. C. 1092
- Балашенков И.А., Солунин П.А., Хахаев И.А. и др. // ФТТ. 1994. T. 36. N 8. C. 2032
- Cavalleri A., Toth C., Siders C.W. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87. N 23. P. 237401-1
- Ройтбурд А.Л. // УФН. 1974. Т. 113. С. 69
- Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. // ФТТ. 1994. Т. 36. N 6. C. 1643
- Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: ГИФМЛ, 1963. 264 с
- Barker A.S., Verleur H.W., Guggenheim H.J. // Phys. Rev. Lett. 1966. Vol. 17. N 26. P. 1286
- Case F.C. // Appl. Opt. 1991. Vol. 30. P. 4119
- Данилов О.Б., Жевлаков А.П., Сидоров А.И. и др. // Оптический журнал. 2000. Т. 67. N 6. C. 31
- Михеева О.П., Сидоров А.И. // Оптический журнал. 2001. Т. 68. N 4. C. 48.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
