Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 12 » Статья стр. 2500
<<<>>>
Расчет термоупругих напряжений вблизи фронта кристаллизации для ленточных монокристаллов оксида галлия, выращиваемых из расплава
Крымов В.М. 1, Галактионов Е.В.1, Бахолдин С.И.1, Шапенков С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: V.Krymov@mail.ioffe.ru, evgalakt@mail.ru, s.bakholdin@mail.ioffe.ru, seva.shapenkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 3 сентября 2026 г.
Принята к печати: 23 октября 2026 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2026 г.
PDF версия
Выполнены расчеты компонент тензора термоупругих напряжений у фронта кристаллизации в ленточных кристаллах оксида галлия, выращиваемых из расплава. Исследовано влияние изменения кристаллографической ориентации плоскости ленты на величину и распределение термоупругих напряжений вблизи фронта. Обнаружен эффект существенного изменения уровня напряжений (более двух раз). Расчеты выполнены для двух вариантов модельного теплового поля. Ключевые слова: анизотропия свойств монокристалла, термоупругие напряжения, плоское напряженное состояние.
  1. K. Sasaki. Appl. Phys. Express, 17 (9), 090101 (2024). DOI: 10.35848/1882-0786/ad6b73
  2. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
  3. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
  4. Y. Wang, M. Zhu, Y. Liu. China Foundry, Special Rev., 21 (1), 491 (2024). DOI: 10.1007/s41230-024-4131-5
  5. W. Mu, Z. Jia, Y. Yin, Q. Hu, Y. Li, B. Wu, J. Zhang, X. Tao. JALCOM, 714, 453 (2017). DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.04.185
  6. W. Mu, Z. Jia, Y. Yin, B. Fu, Jin Zhang, Jian Zhang, X. Tao. Cryst. Eng. Comm., 21 (17), 2762 (2019). DOI: 10.1039/c8ce02189a
  7. Y.J. Shin, S.M. Lim, W.H. Jeong, S.H. Cho, M.H. Choi, W.J. Lee, S.M. Jeong, S.Y. Bae. Jpn. J. Appl. Phys., 62, SF1022 (2023). DOI: 10.35848/1347-4065/acc7ac
  8. C. Le, Z. Li, W. Mu, Z. Jia, L. Liu. J. Crystal Growth, 506, 83 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.029
  9. J. Wang, Z. Li, C. Qi, L. Liu. J. Vac. Sci. Technol., A 43, 013202 (2025). DOI: 10.1116/6.0004170
  10. В.М. Крымов, Е.В. Галактионов, С.И. Бахолдин. ЖТФ, 94 (12), 1957 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.12.59232.343-24 [V.M. Krymov, E.V. Galaktionov, S.I. Bakholdin. Tech. Phys., 69 (12), 1809 (2024). DOI: 10.61011/TP.2024.12.60390.343-24]
  11. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, Э.А. Тропп. ЖТФ, 84 (8), 1 (2014). [S.I. Bakholdin, E.V. Galaktionov, E.A. Tropp. Tech. Phys., 59 (8), 1105 (2014).]
  12. В.М. Крымов, Е.В. Галактионов, С.И. Бахолдин, С.В. Шапенков. ЖТФ, 95 (12), 2272 (2025). DOI: 10.61011/JTF.2025.12.61771.222-25 [V.M. Krymov, E.V. Galaktionov, S.I. Bakholdin, S.V. Shapenkov. Tech. Phys., 70 (12), 2140 (2025). DOI: 10.61011/TP.2025.12.62373.222-25]
  13. W. Miller, K. Bottcher, Z. Galazka, J. Schreuer. Crystals, 7 (1), 26 (2017). DOI: 10.3390/cryst7010026
  14. D. Wu, N. Xia, K. Ma, J. Wang, C. Li, Z. Jin, H. Zhang, D. Yang. Crystals, 12 (12), 1715 (2022). DOI: 10.3390/cryst12121715
  15. И.Е. Зино, Э.А. Тропп. Асимптотические методы в задачах теории теплопроводности и термоупругости (Изд-во ЛГУ, Л., 1978)
  16. V.M. Krymov, V.N. Kurlov, F. Theodore, J. Delepine. J. Crystal Growth, 198-199 (1), 210 (1999). DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01129-4
  17. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. Изв. АН, сер. физ., 63 (9), 1816 (1999)

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme