Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Метод изготовления образцов для просвечивающей электронной микроскопии с применением широких ионных пучков в режиме односекторного травления

Вдовин В.И.¹, Гутаковский А.К.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: vivdovin@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 18 декабря 2025 г.

В окончательной редакции: 20 июня 2026 г.

Принята к печати: 31 июля 2026 г.

Выставление онлайн: 21 сентября 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлен простой и универсальный метод изготовления образцов для высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии из полупроводниковых гетероструктур с использованием травления в широком Ar⁺ ионном пучке. Изучен эффект трансформации рельефа образца, содержащего тонкий слой эпоксидной смолы, в процессе ионного травления и зависимость рисунка рельефа от точности позиционирования линии склеивания и ионных пучков относительно оси вращения образца. Представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие преимущество односекторного режима ионного травления, а также травления во встречных ионных пучках, для изготовления высококачественных фольг. Возможность получения больших по площади тонких участков фольги с минимальными эффектами дифференцированной скорости травления материалов в сопряженных слоях и переосаждения распыленного материала продемонстрирована на примере многослойных гетероструктур, содержащих как мягкие (InP, InAlAs), так и твердые (GaN, Al₂O₃) материалы. Ключевые слова: ионное травление, полупроводниковые гетероструктуры, тонкие пленки, просвечивающая электронная микроскопия.

P.E. Fischione, E.A. Robert, E.A. Williams, A. Gen c, H.L. Fraser, R.E. Dunin-Borkowski, M. Luysberg, C.S. Bonifacio, A. Kovacs. Microscopy and Microanalysis, 23, 782 (2017). DOI: 10.1017/S1431927617000514
D.B. Williams, C.B. Carter. Specimen Preparation. In: Transmission Electron Microscopy (Springer, Boston, MA, 2009), DOI: 10.1007/978-0-387-76501-3_10
J.P. McCaffrey, M.W. Phaneuf, L.D. Madsen. Ultramicroscopy, 87, 97 (2001). DOI: 10.1016/S0304-3991(00)00096-6
A. Aitkaliyeva, J.W. Madden, B.D. Miller, J.I. Cole, J. Gan. J. Nuclear Mater., 459, 241 (2015). DOI: 10.1016/j.jnucmat.2015.01.042
J.P. McCaffrey, A. Barna. Microsc. Res. Tech., 36, 362 (1997). DOI: 10.1002/(SICI)1097-0029(19970301)36:5<362::AID-JEMT3>3.0.CO;2-N
N. Jiang, J.C.H. Spence. Ultramicroscopy, 113, 77 (2012). DOI: 10.1016/j.ultramic.2011.11.016
R.D.V. Sridhara, K. Muraleedharan, C.J. Humphreys. In A. Mendez-Vilas, J. Dнaz (еds.). Microscopy: Science, technology, education and applications (Formatex Research Center, Badajoz, Spain, 2010), p. 1232-1244. api.semanticscholar.org/CorpusID:7945310
E. Muller, F. Krumeich. Ultramicroscopy, 84, 143 (2000). DOI: 10.1016/S0304-3991(00)00026-7
K. Ostreicher, C. Sung. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 254, 193 (1991). DOI: 10.1557/PROC-254-193
J.C. Bravman, R. Sinclair. J. Electron Microscopy Technique, 1, 53 (1984). DOI: 10.1002/jemt.1060010106
R. Beanland. Microscopy Today, 11, 29 (2003). api.semanticscholar.org/CorpusID:139333579
M. Tamura, S. Aoki. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 254, 201 (1991). DOI: 10.1557/PROC-254-201
L. Weaver. Microsc. Res. Tech., 36, 368 (1997). DOI: 10.1002/(SICI)1097-0029(19970301)36:5<368::AID-JEMT4>3.0.CO;2-H
J.H. Yoo, J. Yang. Appl. Microsc., 45 (4), 189 (2015). DOI: 10.9729/AM.2015.45.4.189
E.M. Zielinski, B. Tracy. Microsc. Res. Tech., 22, 199 (1992). DOI: 10.1002/jemt.1070220209
L. Dieterle, B. Butz, E. Muller. Ultramicroscopy, 111, 1636 (2011). DOI: 10.1016/j.ultramic.2011.08.014
A. Barna. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 254, 3 (1991). DOI: 10.1557/PROC-254-3
X. Luo, S. Ding, H. Lu, C. Jin. J. Microscopy, 299, 9 (2025). DOI: 10.1111/jmi.13406

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель