Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 10 » Статья стр. 2111
<<<>>>
Исследование топологии олово-оксокластерных соединений, проэкспонированных ЭУФ излучением с длиной волны 13.55 nm
Минобрнауки России, Государственное задание ИФМ РАН, FFUF-2024-0022
Минобрнауки России, Государственное задание ИМХ РАН, FFSE-2026-0006
Пестов А.Е.1, Михайленко М.С.1, Нечай А.Н.1, Лопатин А.Я.1, Перекалов А.А.1, Захарина М.Ю.2, Арсеньева К.В.2, Ковылин Р.С.2, Конев А.Н.2, Чесноков С.А.2
1Институт физики микроструктур РАН, Афонино, Кстовский р-он, Нижегородская обл., Россия
2Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: aepestov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 13 апреля 2026 г.
Принята к печати: 13 апреля 2026 г.
Выставление онлайн: 12 августа 2026 г.
PDF версия
Проведено экспериментальное исследование влияния ЭУФ излучения с длиной волны 13.55 nm на растворимость и топологию поверхности пленок олово-оксокластерных соединений: ТОС-21 - Sn14(μ_3-O)12(μ_2-O)_4 (μ_2-OH)4(PZ)8(HPZ)4Cl12 и TinS - [(C4H9Sn)12O14(OH)_6]2+[PTSA^-]2. Показано, что после проявления для материла TinS остаточная высота рельефа соответствует исходной толщине пленки фоторезиста (d=40 nm) при дозах на уровне 1.0 J/cm2, а для структуры ТОС-21 - при дозах излучения на уровне 1.6 J/cm2. Для образца ТОС-21 методом контактной литографии получен топологический рисунок с модуляцией высоты рельефа от 0 до 30 nm (исходная толщина пленки резиста). Показана перспективность применения пленок из олово-оксокластерных соединений в качестве основы для разработки негативных ЭУФ-резистов. Ключевые слова: оксокластер, негативный резист, тонкие пленки, ЭУФ-нанолитография.
  1. Э.С. Каливраджиян, В.И. Кукуев, А.В. Подопригора. ВНМТ, 28 (3), 126 (2011)
  2. Б.С. Шавкута, О.С. Коркунова, Д.В. Ганин, Д.С. Дудова, Тез. докл. IV Всероссийской научно-технической конференции " Полимерные композиционные материалы и производственные технологии нового поколения" (М., 2019), с. 186
  3. K.E. Gonsalves, M. Thiyagarajan, J.H. Choi, P. Zimmerman, F. Cerrina, P. Nealey, V. Golovkina, J. Wallace, N. Batina. Microelectron. Eng., 77 (1), 27 (2005). DOI: 10.1016/j.mee.2004.08.003
  4. T. Fujimori, T. Tsuchihashi, T. Itani. Proc. SPIE, 9425, 942505 (2015). DOI: 10.1117/12.2085706
  5. A.M. Goethals, R. Gronheid, F. Van Roey, H.H. Solak, Y. Ekinci. JPST, 19 (4), 501 (2006). DOI: 10.2494/photopolymer.19.501
  6. H. Duan, D. Winston, J.K.W. Yang, B.M. Cord, V.R. Manfrinato, K.K. Berggren. JVSTB, 28 (6), C6C58 (2010). DOI: 10.1116/1.3501353
  7. F. Rahman, D.J. Carbaugh, J.T. Wright, P. Rajan, S.G. Pandya, S. Kaya. Microelectron. Eng., 224, 111238 (2020). DOI: 10.1016/j.mee.2020.111238
  8. X. Wang, P. Tao, Q. Wang, R. Zhao, T. Liu, Y. Hu, Z. Hu, Y. Wang, J. Wang, Y. Tang, H. Xu, X. He. Mater. Today, 67, 299 (2023). DOI: 10.1016/j.mattod.2023.05.027
  9. M. Li, E. Aqad. Adv. Funct. Mater., 35 (24), 2420962 (2025). DOI: 10.1002/adfm.202420962
  10. A.M. Brouwer. JPST, 35 (1), 81 (2022). DOI: 10.2494/photopolymer.35.81
  11. Y. Wang, H. Yu, L. Wang, Y. Zhang, Z. Zhu, Y. Zhang, Y. Lu, C. Ouyang. J. Mater. Chem. A, 13 (36), 29860 (2025). DOI: 10.1039/d5ta04194e
  12. S. Castellanos, L. Wu, M. Baljozovic, G. Portale, D. Kazazis, M. Vockenhuber, Y. Ekinci, T. Jung. Proc. SPIE, 10583, 105830A (2018). DOI: 10.1117/12.2297167
  13. M.S.M. Saifullah, A.K. Rajak, K.A. Hofhuis, N. Tiwale, Z. Mahfoud, A. Testino, P. Karadan, M. Vockenhuber, D. Kazazis, S. Valiyaveettil, Y. Ekinci. ACS Nano, 18 (35), 27076 (2024). DOI: 10.1021/acsnano.4c03939
  14. I. Kamohara, U. Welling, U. Klostermann, W. Demmerle. IEICE Transactions Electron., 105 (1), 35 (2022). DOI: 10.1587/transele.2021ECP5010
  15. М.Ю. Захарина, К.В. Арсеньева, М.А. Батенькин, А.Н. Конев, Р.С. Ковылин, А.А. Локтева, А.Е. Пестов, А.Н. Нечай, А.Я. Лопатин, А.А. Перекалов, С.А. Чесноков, А.В. Пискунов, И.Л. Федюшкин. ЖТФ, 96 (2) (2026). DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62298.85-25
  16. D. Wang, Z.-N. Chen, Q.-R. Ding, C.-C. Feng, S.-T. Wang, W. Zhuang, L. Zhang. CCS Chem, 2, 2607 (2020). DOI: 10.31635/ccschem.020.202000546
  17. F. Wu, B.J. Harper, D.A. Marsh, S. Saha, T. Diulus, J.M. Amador, D.A. Keszler, G.S. Herman, B.L.S. Maddux, S.L. Harper. Environ Toxicol Chem., 38, 2651 (2019). DOI: 10.1002/etc.4580
  18. А.Я. Лопатин, В.И. Лучин, А.Н. Нечай, А.А. Перекалов, А.Е. Пестов, Д.Г. Реунов, Н.И. Чхало. ЖТФ, 94 (7), 1323 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.08.58560.142-24
  19. П.Н. Аруев, М.М. Барышева, Б.Я. Бер, Н.В. Забродская, В.В. Забродский, А.Я. Лопатин, А.Е. Пестов, М.В. Петренко, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, В.Л. Суханов, Н.И. Чхало. Квантовая электроника, 42 (10), 943 (2012). [P.N. Aruev, M.M. Barysheva, B.Ya. Ber, N.V. Zabrodskaya, V.V. Zabrodskii, A.Ya. Lopatin, A.E. Pestov, M.V. Petrenko, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, V.L. Sukhanov, N.I. Chkhalo. Quant. Electron., 42 (10), 943 (2012). DOI: 10.1070/QE2012v042n10ABEH014901]
  20. Д.Г. Волгунов, И.Г. Забродин, Б.А. Закалов, С.Ю. Зуев, И.А. Каськов, Е.Б. Клюенков, А.Е. Пестов, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, Л.А. Суслов, М.Н. Торопов, Н.И. Чхало. Известия РАН. Сер. физ., 75 (1), 54 (2011). [D.G. Volgunov, I.G. Zabrodin, B.A. Zakalov, S.Yu. Zuev, I.A. Kas'kov, E.B. Klyuyenkov, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, L.A. Suslov, M.N. Toropov, N.I. Chkhalo. Bull. Russ. Academy Sci.: Phys., 75 (1), 49 (2011). DOI: 10.3103/S1062873811010278]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme