Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 6 » Статья стр. 1276
<<<>>>
Фотоэдс на поверхности p-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода
Российский научный фонд, 23-72-30003
Хорошилов В.С. 1,2, Верчук М.М.1,2, Казанцев Д.М. 1,2, Рожков С.А. 1,2, Шайблер Г.Э. 1,2,3, Альперович В.Л. 1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: khoros@isp.nsc.ru, m.verchuk@g.nsu.ru, dmkazantsev@isp.nsc.ru, rozhkovs@isp.nsc.ru, scheibl@isp.nsc.ru, alper@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 22 декабря 2025 г.
Принята к печати: 13 января 2026 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2026 г.
PDF версия
Эволюция фотоэдс на поверхности арсенида галлия p-типа при адсорбции цезия и кислорода экспериментально изучена с помощью двух бесконтактных оптических методик - спектроскопии фотоотражения и нового метода модуляции фотоэмиссии, основанного на влиянии поверхностного изгиба зон на квантовый выход фотоэмиссии. Результаты, полученные с помощью обеих методик, совпадают, что подтверждает возможность изучения фотоэдс с помощью метода модуляции фотоэмиссии. Разнонаправленное поведение фотоэдс при адсорбции цезия и кислорода на различных образцах объясняется предположительно различным соотношением вкладов изгиба зон и скорости поверхностной рекомбинации в эволюцию величины фотоэдс. Ключевые слова: поверхностная фотоэдс, GaAs, фотоотражение, фотоэмиссия.
  1. Р.Л. Белл. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством (Энергия, М., 1978)
  2. O.H.W. Siegmund, A.S. Tremsin, J.V. Vallerga. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 510, 185 (2003). DOI: 10.1016/S0168-9002(03)01696-6
  3. V.V Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. e-J. Surf. Sci. Nanotech., 5, 80 (2007). DOI: 10.1380/ejssnt.2007.80
  4. S. Karkare, D. Dimitrov, W. Schaff, L. Cultrera, A. Bartnik, X. Liu, E. Sawyer, T. Esposito, I. Bazarov. J. Appl. Phys., 113, 10490412 (2013). DOI: 10.1063/1.4794822
  5. T. Maruyama, A. Brachmann, J.E. Clendenin, T. Desikan, E.L. Garwin, R.E. Kirby, D.-A. Luh, J. Turner, R. Prepost. Nucl. Instr. Meth. A, 492, 199 (2002). DOI: 10.1016/S0168-9002(02)01290-1
  6. A.G. Zhuravlev, V.S. Khoroshilov, V.L. Alperovich. Appl. Surf. Sci., 483, 895 (2019). DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.04.010
  7. J.W. Schwede, I. Bargatin, D.C. Riley, B.E. Hardin, S.J. Rosenthal, Y. Sun, F. Schmitt, P. Pianetta, R.T. Howe, Z.-X. Shen, N.A. Melosh. Nat. Mater., 9, 762 (2010). DOI: 10.1038/nmat2814
  8. J.W. Schwede, T. Sarmiento, V.K. Narasimhan, S.J. Rosenthal, D.C. Riley, F. Schmitt, I. Bargatin, K. Sahasrabuddhe, R.T. Howe, J.S. Harris, N.A. Melosh, Z.-X. Shen. Nat. Commun., 4, 1576 (2013). DOI: 10.1038/ncomms2577
  9. L. Kronik, Y. Shapira. Surf. Sci. Rep., 37, 1 (1999). DOI: 10.1016/S0167-5729(99)00002-3
  10. W. Monch. Semiconductor surfaces and interfaces (Springer-Verlag, Berlin, 1993)
  11. M.H. Hecht. Phys. Rev. B, 41, 7918 (1990). DOI: 10.1103/PhysRevB.41.7918
  12. H. Shen, M. Dutta. J. Appl. Phys., 78, 2151 (1995). DOI: 10.1063/1.360131
  13. E.O. Johnson. J. Appl. Phys., 28, 1349 (1957). DOI: 10.1063/1.1722650
  14. А.Л. Мусатов, С.Ю. Смирнов. ФТТ, 36 (1), 9 (1994)
  15. W. Thomson (Lord Kelvin). Phil. Mag., 46, 82 (1898)
  16. W.H. Brattain. Phys. Rev., 72, 345 (1947). DOI: 10.1103/PhysRev.72.345.2
  17. F. Steinrisser, R.E. Hetrick. Rev. Sci. Instrum., 42, 304 (1971)
  18. M.H. Hecht. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 1018 (1990). DOI: 10.1116/1.585023
  19. G. Margaritondo, L.J. Brillson, N.G. Stoffel. Solid State Commun., 35, 277 (1980). DOI: 10.1016/0038-1098(80)90496-2
  20. A. Herrera-Gomez, G. Vergara, W.E. Spicer. J. Appl. Phys., 79, 7318 (1996). DOI: 10.1063/1.361448
  21. V.L. Alperovich, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. Phys. Rev. B, 50, 5480 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevB.50.5480
  22. V.L. Alperovich, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Appl. Phys. Lett., 66, 2122 (1995). DOI: 10.1063/1.113923
  23. В.С. Хорошилов, Д.М. Казанцев, С.А. Рожков, В.Л. Альперович. Письма в ЖТФ, 49 (21), 24 (2023). DOI: 10.61011/PJTF.2023.21.56460.19703
  24. L.J. Whitman, J.A. Stroscio, R.A. Dragoset, R.J. Celotta. Phys. Rev. Lett., 66, 1338 (1991). DOI: 10.1103/PhysRevLett.66.1338
  25. U. Del Pennino, R. Compano, B. Salvarani, C. Mariani. Surf. Sci., 409 (2), 258 (1998). DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00214-3
  26. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, A.N. Litvinov, A.S. Terekhov. Appl. Surf. Sci., 175, 175 (2001). DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00058-7
  27. C. Laubschat, M. Prietsch, M. Domke, E. Weschke, E. Remmers, T. Mandel, E. Ortega, G. Kaindl. Phys. Rev. Lett., 62, 1306 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevLett.62.1306
  28. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Appl. Surf. Sci., 235, 249 (2004)
  29. O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, A.S. Terekhov, D. Paget. Phys. Rev. B, 71, 155315 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.155315
  30. H.E. Scheibler, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov. Phys. Stat. Sol. (A), 152, 113 (1995). DOI: 10.1002/pssa.2211520112
  31. T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, T. Nishino. J. Appl. Phys., 68, 5309 (1990). DOI: 10.1063/1.347023
  32. C. Van Hoof, K. Deneffe, J. De Boek, D.J. Arent, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 54, 608 (1989). DOI: 10.1063/1.100893

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme