Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 2 » Статья стр. 345
<<<>>>
Контактные системы мостикового" типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
Малевская А.В. 1, Калюжный Н.А. 1, Ильинская Н.Д. 1, Солдатенков Ф.Ю. 1, Пивоварова А.А. 1, Салий Р.А. 1, Лебедева Н.М.1, Левин Р.В. 1, Эполетов В.С. 1, Покровский П.В. 1, Малевский Д.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, Nataliya.Ilynskaya@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, pivovarova.antonina@gmail.com, r.saliy@mail.ioffe.ru, natali_lebedeva@mail.ioffe.ru, lev@vpegroup.ioffe.ru, vadep@mail.ioffe.ru, P.Pokrovskiy@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2025 г.
Принята к печати: 7 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 5 января 2026 г.
PDF версия
Разработаны методы снижения резистивных потерь и емкости фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (1.55 μm) на основе InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Проведены исследования различных контактных систем: NiCr/Ag/Au, AgMn/Ni/Au, Cr/Au/Ni/Au и Pd/Ge/Au, Au(Ge)/Ni/Au к слоям InGaAs и InP p- и n-типа проводимости соответственно. Проведен анализ влияния состава и режимов формирования омических контактов на величину удельного контактного сопротивления и вольт-амперные характеристики приборов. Минимальные значения удельного контактного сопротивления получены при формировании омического контакта Pd/Ge/Au к n+-InGaAs (~10-7 Ω·cm2) и NiCr/Ag/Au к p-InGaAs (-10-6 Ω·cm2). Разработана конструкция фотоэлектрических преобразователей с диаметром фоточувствительной области от 30 μm с контактной системой "мостикового" типа, которая позволила уменьшить площадь p-n-перехода в фотоэлементе и соответственно его емкость. Ключевые слова: InGaAs/InP фотоэлектрический преобразователь, контактные системы, резистивные потери.
  1. C. Algora, I. Garci a, M. Delgado, R. Pena, C. Vazquez, M. Hinojosa, I. Rey-Stolle. Joule, 6, 340 (2022). DOI: 10.1016/j.joule.2021.11.014
  2. Y. Zheng, G. Zhang, Zh. Huan, Y. Zhang, G. Yuan, Q. Li, G. Ding, Zh. Lv, W. Ni, Yu. Shao, X. Liu, J. Zu. Space Solar Power and Wireless Transmission, 1 (1), 17 (2024). DOI: 10.1016/j.sspwt.2023.12.001
  3. Д.Ф. Зайцев, В.М. Андреев, И.А. Биленко, А.А. Березовский, П.Ю. Владиславский, Ю.Б. Гурфинкель, Л.И. Цветкова, В.С. Калиновский, Н.М. Кондратьев, В.Н. Косолобов, В.Ф. Курочкин, С.О. Слипченко, Н.В. Смирнов, Б.В. Яковлев. Радиотехника, 85 (4), 153 (2021). DOI: 10.18127/j00338486-202104-17
  4. N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 262, 112551 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
  5. D.C. Scott, T.A. Vang, J.E. Leigth, D.V. Forbes, K. Everett, F. Alvarez, R. Johnson, J. Brock, L. Lembo. Proc. SPIE, 4112, 75 (2000). DOI: 10.1117/12.399379
  6. B. Li, S. Tang, N. Jiang, Z. Shi, R.T. Chen. Proc. SPIE, 3952, 114 (2000). DOI: 10.1117/12.384390
  7. V.J. Urick. In Conf. Оn lasers and electro-optics, OSA Technical Digest (online) (Optica Publ. Group, 2018), paper SM1C.6. DOI: 10.1364/CLEO_SI.2018.SM1C.6
  8. В.М. Андреев, В.С. Калиновский, Н.А. Калюжный, Е.В. Контрош, А.В. Малевская, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц. Письма в ЖТФ, 50 (19), 5 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.19.58647.19957
  9. R. Pena, C. Algora. 20th European Photov. Sol. Energy Conf. (Barcelons, Spain, 2005), p. 488
  10. F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, A. Matsutani, T. Skaguchi, K. Iga. Electron. Lett., 35, 1079 (1999). DOI: 10.1049/el:19990756
  11. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 75, 1926 (1999). DOI: 10.1063/1.124873
  12. B.K. Jeong, Y.M. Song, V.V. Lysak, Y.T. Lee. J. Optoelectron. Adv. Mater., 10, 2547 (2008)
  13. С.А. Минтаиров, С.А. Блохин, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, А.М. Надточий, Р.А. Салий, Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков. Письма в ЖТФ, 48 (4), 32 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52082.19059
  14. D. Inoue, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, N. Nishiyama, S. Arai, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 113, 093506 (2018). DOI: 10.1063/1.5041908
  15. M.N. Beattie, H. Helmers, G.P. Forcade, C.E. Valdivia, O. Hohn, K. Hinzer. IEEE J. Photovoltaics, 13 (1), 113 (2023). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2022.3218938
  16. Н.А. Калюжный, С.С. Кижаев, С.А. Минтаиров, А.А. Пивоварова, Р.А. Салий, А.В. Черняев. Письма в ЖТФ, 50 (17), 15 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.17.58574.19966
  17. И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, В.В. Дюделев, Н.Д. Ильинская, Г.Г. Коновалов, Е.В. Kуницына, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47 (8), 1109 (2013). DOI: 10.47612/0514-7506-2023-90-1-102-108
  18. A.V. Malevskaya, F.Yu. Soldatenkov, R.V. Levin, N.A. Kalyuzhnyy, M.Z. Shvarts. Vacuum, 233, 114030 (2025). DOI: 10.1016/j.vacuum.2025.114030
  19. P.H. Hao, L.C. Wang, F. Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng. J. Appl. Phys., 79, 4211 (1996). DOI: 10.1063/1.361788
  20. L.C. Wanga, P.H. Hao, J.Y. Cheng, F. Deng, S.S. Lau, J. Appl. Phys., 79, 4216 (1996). DOI: 10.1063/1.361789
  21. S. Grover. 2020 Int. Conf. on microelectronic test structures (UK, Edinburgh)
  22. А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Д.А. Малевский, П.В. Покровский. ФТП, 56 (3), 376 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52127.9774
  23. Н.Д. Ильинская, А.А. Пивоварова, Е.В. Куницына, И.А. Андреев, Ю.П. Яковлев. Патент РФ N 221645 (2023).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme