Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика формирования силицидных фаз в тонкопленочной системе Yb-Si(111)
Кузьмин М.В.
1, Мальков Д.А.1, Сорокина С.В.
1
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia 
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 27 ноября 2024 г.
Принята к печати: 5 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 24 марта 2025 г.
Исследованы процессы формирования и физико-химические свойства силицидов иттербия в пленочной системе Yb-Si(111). Показано, что переход от металлического иттербия к силицидным пленкам со стехиометрией Yb5Si3, YbSi и YbSi2-x происходит при достижении температуры 400, 470 и 600 K соответственно. Пленка YbSi2-x имеет упорядоченную структуру (1x1) и сохраняется на поверхности кремния в интервале 600-1000 K. Определена работа выхода и валентное состояние атомов иттербия в силицидных пленках. Установлена оптимальная температура формирования пленки дисилицида иттербия эпитаксиального качества на исследованной поверхности Si(111). Ключевые слова: поверхность, иттербий, силициды, электронная оже-спектроскопия, работа выхода.
- F.P. Netzer. J. Phys.: Condens. Matter., 7, 991 (1995)
- S. Zhu, J. Chen, M.-F. Li, S.J. Lee, J. Singh, C.X. Zhu, A. Du, C.H. Tung, A. Chin, D.L. Kwong. IEEE Electron Device Lett., 25 (8), 565 (2004). DOI: 10.1109/LED.2004.831582
- D. Connelly, C. Faulkner, P.A. Clifton, D.E. Grupp. Appl. Phys. Lett., 88, 012105 (2006). DOI: 10.1063/1.2159096
- K.-H. Shen, S.-H. Chen, W.-T. Liu, B.-H. Wu, L.-J. Chen. Mater. Design, 114, 220. DOI: 10.1016/j.matdes.2016.11.084
- J. Cho, H.S. Radhakrishnan, M.R. Payo, M. Debucquoy, A. van der Heide, I. Gordon, J. Szlufcik, J. Poortmans. ACS Appl. Energy Mater., 3 (4), 3826 (2020). DOI: 10.1021/acsaem.0c00256
- J.H.G. Owen, K. Miki, D.R. Bowler. J. Mater. Sci., 41, 4568 (2006). DOI: 10.1007/s10853-006-0246-x
- S. Appelfeller, S. Kuls, M. Dahne. Surf. Sci., 641, 180 (2015). DOI: 10.1016/j.susc.2015.07.001
- G. Rossi. Surf. Sci. Rep., 7 (1-2), 1 (1987)
- K.S. Chi, W.C. Tsai, L.J. Chen. J. Appl. Phys., 93, 153 (2003). DOI: 10.1063/1.1525064
- Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ, 39 (2), 256 (1997)
- М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ, 65 (6), 1082 (2023). DOI: 10.21883/FTT.2023.06.55670.48
- Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности (Мир, М., 1989)
- M. Balkanski (ed.). Optical properties of semiconductors. V. 2. Handbook on semiconductors (Elsevier, Amsterdam, 1994)
- М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ЖТФ, 90 (8), 1359 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.08.49548.81-20
- J.C. Riviere, F.P. Netzer, G. Rosina, G. Strasser, J.A.D. Matthew. J. Electron Spectr. Rel. Phen., 36, 331 (1985)
- A. Palenzona, P. Manfrinetti, S. Brutti, G. Balducci. J. Alloys Compounds, 348, 100 (2003)
- Е.М. Савицкий, В.Ф. Терехова. Металловедение редкоземельных металлов (Наука, М., 1975)
- М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ, 53 (3), 569 (2011)
- Д.И. Хомский. УФН, 129 (3), 443 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
