Мемристорные структуры с кроссбар архитектурой были напечатаны на 2D-струйном принтере. Активный слой мемристора сформирован из наночастиц V₂O₅, капсулированных фторированным графеном. Для изготовления контактов использована суспензия на основе частиц графена. Получены стабильные переключения с отношением токов в открытом и закрытом состояниях ON/OFF величиной два порядка и напряжением переключения 1.0-1.5 V. Токи в открытом состоянии увеличивались с увеличением площади структур, что соответствует проводимости по локализованным состояниям. Растягивающие деформации, возникающие при изгибе величиной более 2% приводят к уменьшению тока в открытом состоянии, эти изменения являются обратимыми. Варьирование параметров структур и, прежде всего, уменьшение площади и толщины активного слоя позволяет перейти к многоуровневому режиму переключений. Показана перспективность использования таких мемристоров для создания энергонезависимой и многоуровневой памяти с низким потреблением энергии. Ключевые слова: мемристор, кроссбар структуры, графеновые контакты,фторированный графен, гибкость, многоуровневые переключения.