Вышедшие номера
Исследование состава пленок моносульфида самария, полученных электронно-лучевым нагревом
Баскаков Е.Б. 1, Стрелов В.И. 1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: baskakov.ras@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 26 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

Методом энергодисперсионной спектроскопии исследован элементный состав тонких пленок, полученных электронно-лучевым нагревом объемных образцов SmS с различным соотношением элементов 1Sm : 1S, 1.05Sm : 1S и 1.15Sm : 1S. На примере объемного образца состава 1.15Sm : 1S проведен анализ его элементного состава до и после распыления на подложку. По данным микроанализа установлено изменение содержания элементов и произведена возможная оценка изменения фазового состава в распыляемом материале. Показано, что в составе полученных тонких пленок содержится избыточное содержание Sm. Предложена методика определения неоднородности состава по глубине для пленок SmS, в рамках которой с использованием двухпотоковой модели транспорта заряженных частиц рассчитана зависимость пробега пучка моноэнергетических электронов от первичной энергии электронов в SmS для энергий до 30 keV. Ключевые слова: электронно-лучевой нагрев, моносульфид самария, рентгено-спектральный микроанализ, пробег пучка моноэнергетических электронов в веществе.
  1. А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ (Наука, Л., 1973)
  2. А.В. Голубков, В.М. Сергеева. ЖВХО, 2 (6), 645 (1981)
  3. R. Keller, G. Guntherodt, W.B. Holzapfel, M. Dietrich, F. Holtzberg. Solid State Commun., 29, 753 (1979). DOI: 10.1016/0038-1098(79)90154-6
  4. O.V. Andreev, V.V. Ivanov, A.V. Gorshkov, P.V. Miodushevskiy, P.O. Andreev. Eurasian Chemico-Technol. J., 18 (1), 55 (2016). DOI: 10.18321/ectj396
  5. В.В. Каминский, А.А. Молодых, И.С. Полухин, С.М. Соловьев, К.В. Шуваев. Письма в ЖТФ, 40 (11), 1 (2014). [V.V. Kaminskii, A.A. Molodykh, I.S. Polukhin, S.M. Solov'ev, K.V. Shuraev. Tech. Phys. Lett., 40 (6), 453 (2014). DOI: 10.1134/S1063785014060066]
  6. L. Li, S. Hirai, Y. Tasaki. J. Rare Earths, 34 (10), 1042 (2016). DOI: 10.1016/S1002-0721(16)60132-1
  7. В.В. Каминский, Н.Н. Степанов, А.А. Молодых. ФТТ, 52 (7), 1269 (2010). [V.V. Kaminskiy, N.N. Stepanov, A.A. Molodykh. Physics Solid State, 52 (7), 1356 (2010). DOI: 10.1134/S106378341007005X]
  8. В.В. Каминский, В.А. Сидоров, Н.Н. Степанов, М.М. Казанин, А.А. Молодых, С.М. Соловьев. ФТТ, 55 (2), 257 (2013). [V.V. Kaminskiy, V.A. Sidorov, N.N. Stepanov, M.M. Kazanin, A.A. Molodykh, S.M. Solov'ev. Physics Solid State, 55 (2), 293 (2013) DOI: 10.1134/S106378341302011X]
  9. И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, Д.Ц. Димитров, Л.К. Крастева, К.И. Папазова, А.А. Карманов, И.А. Аверин, А.Ц. Георгиева, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. Письма в ЖТФ, 43 (18), 11 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45028.16754 [I.A. Pronina, N.D. Yakushova, D.Ts. Dimitrov, L.K. Krasteva, K.I. Papazova, A.A. Karmanov, I.A. Averin, A.Ts. Georgieva, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Tech. Phys. Lett., 43 (9), 825 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017090255]
  10. В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, S. Hirai, Y. Kubota. Письма в ЖТФ, 44 (23), 85 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47014.17235 [V.V. Kaminskii, S.M. Solov'ev, N.V. Sharenkova, S. Hirai, Y. Kubota. Tech. Phys. Lett., 44 (12), 1087 (2018). DOI: 10.1134/S106378501812026X]
  11. М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ, 70 (5), 136 (2000). [M.M. Kazanin, V.V. Kaminskii, S.M. Solov'ev. Tech. Phys., 45 (5), 659 (2000). DOI: 10.1134/1.1259698]
  12. В.И. Стрелов, Е.Б. Баскаков, Ю.Н. Бендрышев, В.М. Каневский. Кристаллография, 64 (2), 281 (2019). DOI: 10.1134/S0023476119020292 [V.I. Strelov, E.B. Baskakov, U.N. Bendryshev, V.M. Kanevskii. Crystallography Reports, 64 (2), 311 (2019). DOI: 10.1134/S1063774519020299]
  13. В.М. Егоров, В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, А.В. Голубков. Письма в ЖТФ, 41 (8), 50 (2015). [V.M. Egorov, V.V. Kaminskii, M.M. Kazanin, S.M. Solov'ev, A.V. Golubkov. Tech. Phys. Lett., 41 (4), 381 (2015). DOI: 10.1134/S1063785015040227]
  14. В.В. Каминский, А.О. Лебедев, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова. ЖТФ, 89 (2), 212 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.02.47072.225-18 [V.V. Kaminskii, A.O. Lebedev, S.M. Solov'ev, N.V. Sharenkova. Tech. Phys., 64 (2), 181 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219020075]
  15. M.A. Grevtsev, G.D. Havrov, S.A. Kazakov, V.V. Kaminskii. J. Phys.: Conf. Series, 1038, 012111 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012111
  16. В.В. Каминский, М.М. Казанин. Письма в ЖТФ, 34 (8), 92 (2008). [V.V. Kaminskii, M.M. Kazanin. Tech. Phys. Lett., 34 (4), 361 (2008). DOI: 10.1134/S1063785008040263]
  17. В.Г. Бамбуров, О.В. Андреев, В.В. Иванов, А.Н. Воропай, А.В. Горшков, А.А. Полковников, А.Н. Бобылев. ДАН, 473 (6), 676 (2017)
  18. В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, Н.М. Володин. ФТП, 40 (6), 672 (2006). [V.V. Kaminskii, M.M. Kazanin, S.M. Solov'ev, N.V. Sharenkova, N.M. Volodin. Semiconductors, 40 (6), 651 (2006). DOI: 10.1134/S1063782606060078]
  19. Ю.Е. Калинин, В.А. Макагонов, С.Ю. Панков, А.В. Ситников, М.В. Хахленков. Вестн. Вор. гос. тех. ун-та, 10 (6), 135 (2014)
  20. П.Е. Тетерин, А.В. Зенкевич, Ю.Ю. Лебединский, О.Е. Парфенов. Труды научной сессии МИФИ, 3, 172 (2010)
  21. E. Rogers, P.F. Smet, P. Dorenbos, D. Poelman, E. van der Kolk. J. Phys. Condens. Matter., 22, 015005 (2010). DOI: 10.1088/0953-8984/22/1/015005
  22. В.И. Стрелов, Е.Б. Баскаков, В.В. Артемов. Тез. докл. XXVIII Росс. конф. по электронной микроскопии (Черноголовка, Россия, 2020), т. 3. с. 97
  23. Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов. Кристаллография, 66 (6), 925 (2021). DOI: 10.31857/S0023476121060059 [E.B. Baskakov, V.I. Strelov. Crystallography Reports, 66 (6), 1078 (2021). DOI: 10.1134/S1063774521060055]
  24. А.С. Высоких, П.В. Миодушевский, П.О. Андреев. Вестн. ТГУ, 5, 179 (2011)
  25. Н.Н. Михеев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 8, 56 (2019). DOI: 10.1134/S0207352819080109 [N.N. Mikheev. J. Synch. Investig, 13 (4), 719 (2019). DOI: 10.1134/S1027451019040281]
  26. В.П. Кривобоков, Н.С. Сочугов, А.А. Соловьев. Плазменные покрытия (методы и оборудование). (Изд-во Томского политех. ун-та, Томск, 2007)
  27. Б.А. Мовчан, Н.Д. Тутов. Известия Курского гос. тех. ун-та, 26 (1), 12 (2009)
  28. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43 (11), 1564 (2009). [L.K. Markov, I.P. Smirnova, A.S. Pavlyuchenko, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina. Semiconductors, 43 (11), 1521 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609110219]
  29. K.S.S. Harsha. Principles of Physical Vapor Deposition of Thin Films (Elsevier, Great Britain, 2006)
  30. А.С. Высоких, О.В. Андреев, Л.А. Головина. Вестник тюменского гос. ун-та, 3, 124 (2007)
  31. А.С. Высоких. Автореф. дисс. (Тюмень, Тюменский гос. ун-т, 2011)
  32. И.С. Волчков, Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов, В.М. Каневский. Письма в ЖТФ, 45 (22), 12 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.22.48641.17859 [I.S. Volchkov, E.B. Baskakov, V.I. Strelov, V.M. Kanevskii. Tech. Phys. Lett., 45 (11), 1127 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019110294]
  33. С.А. Щукарев. Лекции по общему курсу химии (Изд-во ЛГУ, Л., 1962)
  34. А. Иванов, Б. Смирнов. Наноиндустрия, 6 (36), 28 (2012).
  35. В.В. Каминский, В.А. Дидик, М.М. Казанин, М.В. Романова, С.М. Соловьев. Письма в ЖТФ, 35 (21), 16 (2009). [V.V. Kaminskii, V.A. Didik, M.M. Kazanin, M.V. Romanova, S.M. Solov'ev. Tech. Phys. Lett., 35 (21), 981 (2009). DOI: 10.1134/S1063785009110030]
  36. Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов, под ред. проф. Я.С. Уманского (Гос. изд. Физматлит, М., 1961), с. 12
  37. J. Goldstein, H. Yakowitz, D.E. Newbury, E. Lifshin, J.W. Colby, J.R. Coleman. Practical Scanning Electron Microscopy (Plenum Press, NY., 1975), p. 85.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.