Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм протекания тока в композитной алюмохромной керамике при ее электронно-лучевом спекании в форвакууме

DOI: 10.21883/JTF.2023.02.54506.210-22

Переводная версия: 10.21883/TP.2023.02.55484.210-22

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, FEWM, 2020-0038

Зенин А.А.

¹, Бакеев И.Ю.

¹, Долгова А.В.¹, Климов А.С.

¹, Окс Е.М.

^1,2

¹Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

²Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия Institute of High Current Electronics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Institute of High Current Electronics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Email: zenin1988@gmail.com, bakeeviyu@mail.ru, weatheraregood@gmail.com, klimov680@gmail.com, oks@fet.tusur.ru

Поступила в редакцию: 29 августа 2022 г.

В окончательной редакции: 13 декабря 2022 г.

Принята к печати: 14 декабря 2022 г.

Выставление онлайн: 14 января 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что при электронно-лучевом спекании порошковых компонентов композитной Al₂O₃-Cr-керамики в форвакуумной области давлений величина тока, протекающего через образец, зависит как от процентного содержания хрома, так и от температуры образца. При достижении некоторой температуры на процесс протекания тока оказывает влияние термоэлектронная эмиссия с поверхности образца. Наряду с ионами из пучковой плазмы, заметный вклад в процесс нейтрализации зарядки керамической поверхности электронным пучком вносит ток термоэлектронной эмиссии, который обеспечивает снижение абсолютного значения отрицательного потенциала поверхности образца, что, в конечном итоге, способствует повышению эффективности передачи энергии от электронного пучка к образцу. Ключевые слова: электронно-лучевое облучение оксидной керамики, электропроводность, алюмооксидная керамика, хром, композит, электронный пучок, форвакуум.

J. Huang, P.K. Nayak. Advances in Nanocomposite Technol., 7, (2011). DOI: 10.5772/17899
J.L. Guichard, O. Tillement, A. Mocellin. J. Europ. Ceramic Society, 18 (12), 1743 (1998)
D. Osso, O. Tillement, A. Mocellin, G. Le Caer, 0. Babushkin, T. Lindback. J. Europ. Ceramic Society, 15 (12), 1207 (1995). DOI: 10.1016/0955-2219(95)00096-8
T.S. Shelvin. J. American Ceramic Society, 37 (3), 140 (1954)
J.L. Guichard, A. Mocellin, M.O. Simonnot, J.F. Remy, M. Sardin. Powder Technol., 99 (3), 257 (1998)
M. Chmielewski, K. Pietrzak. J. Europ. Ceramic Society, 27 (2), 1273 (2007)
Y. Ji, J.A. Yemans. J. Mater. Sci., 37 (24), 5229 (2002)
M. Tokita. Advances Sci. Technol., 63, 322 (2010)
S.K. Tiwari, S. Pande, S. Agrawal, S.M. Bobade. Rapid Prototyping J., 21 (6), 630 (2015). DOI: 10.1108/RPJ-03-2013-0027
O. Khasanov, U. Reichel, E. Dvilis, A. Khasanov. IOP Conference Series: Mater. Sci. Engineer., 18 (8), 082004 (2011). DOI: 10.1088/1757-899X/18/8/082004
C.N. Sun, M.C. Gupta, K.M. Taminger. J. American Ceramic Society, 93 (9), 2484 (2010). DOI:10.1111/j.1551-2916.2010.03832.x
V. Burdovitsin, E. Dvilis, A. Zenin, A. Klimov, E. Oks, V. Sokolov, O. Khasanov. Advanced Mater. Res., 872, 150 (2014)
V.K.V. Pasagada, N. Yang, C. Xu. Ceramics Intern., 48 (7), 10174. DOI: 10.1016/j.ceramint.2021.12.229
A. Kirchner, B. Kloden, J. Luft, T. Weib garber, B. Kieback. Powder Metall, 58 (4), 246 (2015). DOI: 10.1179/0032589915Z.000000000244
E. Oks. Plasma Cathode Electron Sources: Physics, Technology, Applications (Weinheim, Wiley --- VCH Verlag GmbH \& CO. KGaA, 2006)
A.S. Klimov, I.Y. Bakeev, E.S. Dvilis, E.M. Oks, A.A. Zenin. Vacuum, 169, 108933 (2019). DOI: 10.1016/j.vacuum.2019.108933
А.С. Климов, В.А. Бурдовицин , А.А. Зенин, Е.М. Окс, О.Л. Хасанов, Э.С. Двилис, А.О. Хасанов. Письма ЖТФ, 41 (15), 69 (2015). [A.S. Klimov, V.A. Burdovitsin, A.A. Zenin, E.M. Oks, O.L. Khasanov, E.S. Dvilis, A.O. Khasanov. Tech. Phys. Lett., 41 (8), 747 (2015). DOI: 10.1134/S1063785015080118]
A.A. Zenin, I.Y. Bakeev, A.S. Klimov, E.M. Oks. Plasma Sources Sci. Technol., 30 (3), 035007 (2021). DOI: 10.1088/1361-6595/abe175
S. Dushman. Reviews of Modern Phys., 2 (4), 381. DOI: 10.1103/RevModPhys.2.381
D. Bohm. The Characteristics of Electrical Discharges in Magnetic Fields (McGraw-Hill, NY., 1949), p. 77
H. Ibach, H. Luth. Semiconductors. In: Solid-State Physics (Springer, Berlin, Heidelberg, 2009), DOI: 10.1007/978-3-540-93804-0_12

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель