Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синтез массивов наноструктурированных пористых кремниевых стержней в кремнии электронного типа электропроводности с кристаллографической ориентацией (111)
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.02.55481.109-22 
“Development program of ETU “LETI”, Program of strategic academic leadership” Priority-2030, 075-15-2021-1318
Гагарина А.Ю.1, Богословская Л.С.1, Спивак Ю.М.1, Новикова К.Н., Кузнецов А.1, Мошников В.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: gagarina.au@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 30 октября 2022 г.
Принята к печати: 31 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 14 января 2023 г.
Предложен метод модифицированного металл-стимулированного электрохимического травления и получены массивы наноструктурированных пористых кремниевых стержней на подложке монокристаллического кремния n-типа с кристаллографической ориентацией (111). Выявлено влияние состава электролита на втором этапе получения на морфологию стержней кремния методами сканирующей электронной микроскопии. Фазовый состав стержней пористого кремния контролировался методами рамановской спектроскопии. Ключевые слова: пористый кремний, кремниевые наноструктурированные стержни, МАСЕ, наноматериалы, спектроскопия комбинационного рассеяния света.
- S. Chen, Y. Tang, K. Zhan, D. Sun, X. Hou. Nano Today, 20, 84-100 (2018). DOI: 10.1016/j.nantod.2018.04.006
- O. v Zukovskaja, S. Agafilushkina, V. Sivakov, K. Weber, D. Cialla-May, L. Osminkina, J. Popp. J. Talanta, 202, 171-177 (2019). DOI: 10.1016/j.talanta.2019.04.047
- M.B. Gongalsky, U.A. Tsurikova, J.V. Samsonova, G.Z. Gvindzhiliiia, K.A. Gonchar, N.Y. Saushkin, A.A. Kudryavtsev, E.A. Kropotkina, A.S. Gambaryan, L.A. Osminkina. Res. Mater., 6, 100084 (2020). DOI: 10.1016/j.rinma.2020.100084
- A.D. Kartashova, K.A. Gonchar, D.A. Chermoshentsev, E.A. Alekseeva, M.B. Gongalsky, I.V. Bozhev, A.A. Eliseev, S.A. Dyakov, J.V. Samsonova, L.A. Osminkina. ACS Biomater. Sci. Eng., 8 (10), 4175-4184 (2022). DOI: 10.1021/acsbiomaterials.1c00728
- Y. Qin, Y. Wang, Y. Liu, Y.J. Mater. Sci. Mater. Electron., 27 (11), 11319-11324 (2016). DOI: 10.1007/s10854-016-5255-1
- Y. Wang, M. Hu, Z. Wang, X. Liu, L. Yuan. Mater. Sci. Semicond. Process., 56, 307-312 (2016). DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.002
- L. Pichon, A.C. Salaun, G. Wenga, R. Rogel, E. Jacques. Procedia Eng., 87, 1003-1006 (2014). DOI: 10.1016/j.proeng.2014.11.329
- L. Pichon, R. Rogel, E. Jacques, A.C. Salaun. Phys. Status Solidi, 11, 344-348 (2014). DOI: 10.1002/pssc.201300206
- G. Otnes, M.T. Borgstrom. Nano Today, 12, 31-45 (2017). DOI: 10.1016/j.nantod.2016.10.007
- G.Y. Abdel-Latif, M.F.O. Hameed, M. Hussein, M.A. Razzak, S.S.A. Obayya. J. Photon. Energy, 7 (4), 047501 (2017). DOI: 10.1117/1.JPE.7.047501
- F.M. Korany, M.F.O. Hameed, M. Hussein, R. Mubarak, M.I. Eladawy, S.S.A. Obayya, J. Nanophoton., 12 (1), 016019 (2018). DOI: 10.1117/1.JNP.12.016019
- D. Korolev, V. Postnov, I. Aleksandrov, I. Murin. Biomolecules, 11 (10), 1544 (2021). DOI: 10.3390/biom11101544
- Ю.М. Спивак, А.О. Белорус, А.А. Паневин, С.Г. Журавский, В.А. Мошников, К. Беспалова, П.А. Сомов, Ю.М. Жуков, А.С. Комолов, Л.В. Чистякова, Н.Ю. Григорьева. ЖТФ, 88 (9), 1394-1403 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.09.46427.57-18
- M. Lv, S. Su, Y. He, Q. Huang, W. Hu, D. Li, C. Fan, S.T. Lee. Adv. Mater., 22 (48), 5463-5467 (2010). DOI: 10.1002/adma.201001934
- M.B. Rabha, L. Khezami, A.B. Jemai, R. Alhathlool, A. Ajbar. J. Cryst. Growth, 462, 35-40 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.021
- S. Li, W. Ma, X. Chen, K. Xie, Y. Li, X. He, X. Yang, Y. Lei. Appl. Surf. Sci., 369, 232-240 (2016). DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.02.028
- M. Jeon, K. Kamisako. Mater. Lett., 63 (9-10), 777-779 (2009). DOI: 10.1016/j.matlet.2009.01.001
- Y. Chen, Z. Guo, J. Xu, L. Shi, J. Li, Y. Zhang. Mater. Res. Bull., 47 (7), 1687-1692 (2012). DOI: 10.1016/j.materresbull.2012.03.049
- R. Blossey. Nature Mater., 2 (5), 301-306 (2003). DOI: 10.1038/nmat856
- L. Canham. Handbook of Porous Silicon (Springer International Publishing, Berlin, 2014)
- Y.M. Spivak, A.O. Belorus, P.A. Somov, S.S. Tulenin, K.A. Bespalova, V.A. Moshnikov. J. Phys. Conf. Ser. 643, 012022 (2015). DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012022
- Ю.М. Спивак, К.А. Беспалова, А.О. Белорус, А.А. Паневин, П.А. Сомов, Н.Ю. Григорьева, Л.В. Чистякова, С.Г. Журавский, В.А. Мошников. Биотехносфера, 3 (51), 69-75 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2018.09.46427.57-18
- Y. Spivak. Proc. of the 2018 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (St. Petersburg, Russia, 2018), p. 244-248. DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564424
- R. Smerdov, A. Mustafaev, Y. Spivak, V. Moshnikov, I. Bizyaev, P. Somov, V. Gerasimov. Electronics, 10 (1), 1-13 (2021). DOI: 10.3390/electronics10010042
- A. Dey. Mat. Sci. Eng. B, 229, 206-217 (2018). DOI: 10.1016/j.mseb.2017.12.036
- F. Hossein-Babaei, A. Amini. Sens. Actuat. B Chem., 194, 156-163 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2013.12.061
- Y. Qin, Y. Liu, Y. Wang. ECS J. Solid State Sci. Technol., 5 (7), P380-P383 (2016). DOI: 10.1149/2.0051607
- A. Bobkov, V. Luchinin, V. Moshnikov, S. Nalimova, Y. Spivak. Sensors., 22 (4), 1530 (2022). DOI: 10.3390/s22041530
- V.A. Moshnikov, I. Gracheva, A.S. Lenshin, Y.M. Spivak, M.G. Anchkov, V.V. Kuznetsov, J.M. Olchowik. J. Non. Cryst. Solids, 358 (3), 590-595 (2012). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2011.10
- L.B. Ahmed, S. Naama, A. Keffous, A. Hassein-Bey, T. Hadjersi. Prog. Nat. Sci., 25 (2), 101-110 (2015). DOI: 10.1016/j.pnsc.2015.03.003
- S. Naama, T. Hadjersi, A. Keffous, G. Nezzal. Mat. Sci. Semicond. Process., 38, 367-372 (2015). DOI: 10.1016/j.mssp.2015.01.027
- Y. Qin, D. Liu, T. Zhang, Z. Cui. ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (34), 28766-28773 (2017). DOI: 10.1021/acsami.7b10584
- Y. Qin, D. Liu, Z. Wang, Y. Jiang. Sens. Actuat. B Chem., 258, 730-738 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.11.177
- J. Baek, B. Jang, M.H. Kim, W. Kim, J. Kim, H.J. Rim, S. Shin, T. Lee, S. Cho, W. Lee. Sens. Actuat. B Chem., 256, 465-471 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.10.109
- J.H. Ahn, J. Yun, D.I. Moon, Y.K. Choi, I. Park. Nanotechnology, 26 (9), 095501 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/9/095501
- J. Yun, J.H. Ahn, D.I. Moon, Y.K. Choi, I. Park. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11 (45), 42349-42357 (2019). DOI: 10.1021/acsami.9b15111
- L.S. Zhu, J. Zhang, X.W. Xu, Y.Z. Yu, X. Wu, T. Yang, X.H. Wang. Sens. Actuat. B Chem., 227, 515-523 (2016). DOI: 10.1016/j.snb.2015.12.080
- L.B. Ahmed, S. Naama, A. Keffous, A. Hassein-Bey, T. Hadjersi. Prog. Nat. Sci., 25 (2), 101-110 (2015). DOI: 10.1016/j.pnsc.2015.03.003
- S. Naama, T. Hadjersi, A. Keffous, G. Nezzal. Mater. Sci. Semicond. Process., 38, 367-372 (2015). DOI: 10.1016/j.mssp.2015.01.027
- D. Liu, L. Lin, Q. Chen, H. Zhou, J. Wu. ACS Sens., 2, 1491-1497 (2017). DOI: 10.1021/acssensors.7b00459
- J. Liao, Z. Li, G. Wang, C. Chen, S. Lv, M. Li. Phys. Chem. Chem. Phys, 18 (6), 4835-4841 (2016). DOI: 10.1039/C5CP07036H
- C. Samanta, A. Ghatak, A.K. Raychaudhuri, B. Ghosh. Nanotechnology, 30, 305501 (2019). DOI: 10.1088/1361-6528/ab10f8
- В.А. Мошников, А.С. Леньшин, Ю.М. Спивак. Исследование, технология и использование нанопористых носителей лекарств в медицине (Химиздат, СПб., 2015), c. 70-116
- П.Г. Травкин, Н.В. Воронцова, С.А. Высоцкий, А.С. Леньшин, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 4, 3-9 (2011)
- Y.M. Spivak, A.Y. Gagarina, M.O. Portnova, A.V. Zaikina, V.A. Moshnikov. J. Phys. Conf. Ser., 1697, 012126 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012126
- B. Moumni, A.B. Jaballah. Appl. Surf. Sci., 425, 1-7 (2017)
- K.A. Gonchar, D.V. Moiseev, I.V. Bozhev, L.A. Osminkina. Mater. Sci. Semicond. Process., 125, 105644 (2021)
- Y. Chen, B. Peng, B. Wang. J. Phys. Chem. C, 111 (16), 5855-5858 (2007). DOI: 10.1021/jp0685028
- S. Piscanec, M. Cantoro, A.C. Ferrari, J.A. Zapien, Y. Lifshitz, S.T. Lee, S. Hofmann, J. Robertson. Phys. Rev. B, 68 (24), 241312 (2003). DOI: 10.1103/physrevb.68.241312
- R. Tsu, H. Shen, M. Dutta. Appl. Phys. Lett., 60 (1), 112-114 (1992). DOI: 10.1063/1.107364
- R.K. Biswas, P. Khan, S. Mukherjee, A.K. Mukhopadhyay, J. Ghosh, K. Muraleedharan. J. Non. Cryst. Solids, 488, 1-9 (2018). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2018.02.037
- P. McMillan. Am. Mineral., 69 (7-8), 622-644 (1984)
- A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, Y.M. Spivak, V.A. Moshnikov. Glass Phys. Chem., 38 (3), 315-321 (2012). DOI: 10.1134/s1087659612030091
- Q. Li, W. Qiu, H. Tan, J. Guo, Y. Kang. Opt. Lasers Eng., 48 (11), 1119-1125 (2010). DOI: 10.1016/j.optlaseng.2009.12.020
- R.K. Biswas, P. Khan, S. Mukherjee, A.K. Mukhopadhyay, J. Ghosh, K. Muraleedharan. J. Non. Cryst. Solids, 488, 1-9 (2018). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2018.02.037
- А.В. Кононина, Ю.В. Балакшин, К.А. Гончар, И.В. Божьев, А.А. Шемухин, В.С. Черныш. Письма в ЖТФ, 48 (2), 11-14 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.02.51912.18989
- I. Iatsunskyi, S. Jurga, V. Smyntyna, M. Pavlenko, V. Myndrul, A. Zaleska. Proc. SPIE, 9132, 913217 (2014). DOI: 10.1117/12.2051489
- M. Ivanda. Raman Spectroscopy of Porous Silicon. Handbook of Porous Silicon (Springer, 2018), p. 611-620. DOI: 10.1007/978-3-319-71381-6_120
- T.A. Harriman, D.A. Lucca, J.K. Lee, M.J. Klopfstein, K. Herrmann, M. Nastasi. Nucl. Instrum. Meth. B, 267 (8-9), 1232-1234 (2009). DOI: 10.1016/j.nimb.2009.01.021
- А.С. Качко, В.А. Володин, В.Р. Ваховский. Вестник НГУ, 5 (1), (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
