Вышедшие номера
Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs-GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
Малевская А.В.1, Калюжный Н.А.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Левин Р.В.1, Салий Р.А.1, Малевский Д.А.1, Покровский П.В.1, Ларионов В.Р.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2022 г.
Принята к печати: 11 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2022 г.

Проведена разработка технологии переноса AlGaAs/GaAs-гетероструктур, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, на GaAs-подложку-носитель с использованием серебросодержащей пасты или Au-In-компаунда. Исследован процесс формирования фронтального омического контакта к GaAs n-типа проводимости на основе контактных систем Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au с удельным переходным контактным сопротивлением (2-5)·10-6 Ω·cm2. Выполнен анализ влияния технологии переноса гетероструктуры и процесса формирования фронтального омического контакта на параметры ИК светодиодов. Минимальное последовательное сопротивление светодиодов площадью 1 mm2 составило 0.16 Ω. Достигнуто значение оптической мощности 270 mW при токе 1.5 A. Ключевые слова: AlGaAs/GaAs-гетероструктура, светодиод, перенос на подложку-носитель, Au-In-компаунд, омические контакты.
  1. E.F. Shubert. Light-Emitting Diodes (second edition) (Cambridge University Press, 2006)
  2. Патент US6784462 (2004)
  3. Электронный ресурс "EPISTAR сorporation" https://www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo
  4. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665 
  5. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, М.В. Нахимович, В.Р. Ларионов, П.В. Покровский, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (12), 1218 (2021). DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51709.9711
  6. Ch.C. Lee, Ch.Y.Wang, G. Matijasevic. Transaction Components, Nybrids, Manufactur. Tech., 16 (3), 311 (1993). DOI: 10.1109/33.232058
  7. Y.-Ch. Sohn, Q. Wang, S.-J. Ham, B.-G. Jeong, K.-D. Jung, M.-S. Choi, W.-B. Kim, Ch.-Y. Moon. Electronic Components and Technology Conference (2007). DOI: 10.1109/ECTC.2007.373863 
  8. A.G. Baca, F. Ren, J.C. Zolper, R.D. Briggs, S.J. Pearton. Thin Solid Films, 309, 599 (1997)
  9. P.H. Hao, L.C. Wang, Fei Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng. J. Appl. Phys., 79, 4211 (1996)
  10. D.M. Mitin, F.Yu. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasil'ev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 9 (6), 789 (2018). DOI: 10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.