Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Cекционные методы рентгеновской дифракционной топографии (обзор)

DOI: 10.21883/JTF.2022.10.53240.23-22

Переводная версия: 10.21883/TP.2022.10.54354.23-22

Шульпина И.Л.¹, Суворов Э.В.², Смирнова И.А.², Аргунова Т.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия Osipyan Institute of Solid State Physics RAS Russian Academy of Sciences Chernogolovka, Moscow District, Russia

Osipyan Institute of Solid State Physics RAS Russian Academy of Sciences Chernogolovka, Moscow District, Russia

Email: argunova@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 18 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 7 июня 2022 г.

Принята к печати: 10 июня 2022 г.

Выставление онлайн: 28 июля 2022 г.

PDF версия

Рентгеновская топография представляет собой группу методов, предназначенных для получения дифракционных изображений структурных дефектов в кристаллах. Среди них выделяют секционные методы, позволяющие получать количественную информацию о дефектах на основе анализа их изображений. С этой целью разрабатываются специальные приложения динамической теории дифракции рентгеновских лучей. Секционные методы основаны на интерференции волновых полей, возбуждаемых в кристалле рентгеновским пучком. Их чувствительность к слабым нарушениям кристаллической решетки намного выше, чем у других рентгеновских методов. Описаны физические основы и условия реализации секционных методов, а также методы и результаты моделирования волнового поля в кристалле. Показаны примеры решения прикладных задач материаловедения и микроэлектроники. Кратко изложено применение секционных методов с использованием синхротронного излучения. Ключевые слова: рентгеновская топография, монокристаллы, дефекты в кристаллах, кремний, алмаз, антимонид индия.

W. Berg. Naturwissenschaften, 19, 391 (1931). DOI: 10.1007/BF01522358
W. Berg. Z. Kristallogr., 89, 286 (1934). DOI: 10.1524/zkri.1934.89.1.286
A.R. Lang. Acta Metall., 5 (7), 358 (1957). DOI: 10.1016/0001-6160(57)90002-0
V.G. Kohn, A. Kazimirov. Phys. Rev. B, 75 (22), 224119 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.224119
В.В. Лидер. ФТТ, 63 (2), 165 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2022.10.53240.23-22 [V.V. Lider. Phys. Solid State, 63 (2), 189 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421020141]
V.V. Aristov, V.G. Kohn, V.I. Polovinkina, A.A. Snigirev. Phys. Status Solidi A, 72 (2), 483 (1982). DOI: 10.1002/pssa.2210720207
В.Л. Инденбом, Ф.Н. Чуховский. УФН, 107 (2), 229 (1972). DOI: 10.3367/UFNr.0107.197206c.0229
Э.В. Суворов, И.А. Смиронова. УФН, 185 (9), 897 (2015). DOI: 10.3367/UFNr.0185.201509a.0897
S. Takagi. Acta Crystallogr., 15, 1311 (1962). DOI: 10.1107/S0365110X62003473
S. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn., 26 (5), 1239 (1969). DOI: 10.1143/JPSJ.26.1239
D. Taupin. Bull. Soc. Franc. Mineral. Crystallogr., 87, 469 (1964)
D. Taupin. Acta Crystallogr., 23, 25 (1967). DOI: 10.1107/S0365110X67002063
A. Authier. A Dynamical Theory of X-Ray Diffraction (Science Publ., Oxford, 2001)
Y. Ando, J.R. Patel, N. Kato. J. Appl. Phys., 44 (10), 4405 (1973). DOI: 10.1063/1.1661973
E.V. Suvorov, V.I. Polovinkina, V.I. Nikitenko, V.L. Indenbom. Phys. Status Solidi A, 26 (1), 385 (1974). DOI: 10.1002/pssa.2210260140
A.M. Afanas'ev, V.G. Kohn. Acta Crystallogr. A, 27, 421 (1971). DOI: 10.1107/S0567739471000962
J. Hartwig. J. Phys. D: Appl. Phys., 34 (10A), A70 (2001). DOI: 10.1088/0022-3727/34/10a/315
N. Kato. Acta Crystallogr., 14, 526 (1961). DOI: 10.1107/S0365110X61001625
N. Kato. J. Appl. Phys., 39 (5), 2225 (1968). DOI: 10.1063/1.1656535
T. Uragami. J. Phys. Soc. Jap., 27 (1), 147 (1969). DOI: 10.1143/JPSJ.27.147
Е.В. Шулаков, И.А. Смирнова. Поверхность, 1, 96 (2001)
A.R. Lang, M. Zhen-Hong. Proc. Roy. Soc A, 368, 313 (1979). DOI: 10.1098/rspa.1979.0132
F.N. Chukhovskii, K.T. Gabrielan, P.V. Petrashen. Acta Crystallogr. A, 34, 610 (1978). DOI: 10.1107/S056773947800128X
A. Authier. J.R. Patel. Phys. Status Solidi A, 27 (1), 213 (1975). DOI: 10.1002/pssa.2210270125
A. Authier. Bull. Soc. Franc. Mineral. Crystallogr., 84 (1), 51 (1961)
F. Balibar, A. Authier. Phys. Status Solidi B, 21 (1), 413 (1967). DOI: 10.1002/pssb.19670210141
A. Authier. Adv. X-Ray Analysts, 10, 9 (1967)
Y. Epelboin, A. Authier. Acta Crystallogr. A, 39, 767 (1983). DOI: 10.1107/S010876738300152X
В.Н. Ерофеев, В.И. Никитенко, В.И. Половинкина, Э.В. Суворов. Кристаллография, 16 (1), 190 (1971)
E.V. Suvorov, O.S. Gorelik, V.M. Kaganer, V.L. Indenbom. Phys. Status Solidi A, 54 (1), 29 (1979). DOI: 10.1002/pssa.2210540103
Э.В. Суворов, И.А. Смирнова. ФТТ, 52 (12), 2325 (2010). [E.V. Suvorov, I.A. Smirnova. Phys. Solid State, 52 (12), 2485 (2010). DOI: 10.1134/S1063783410120073]
Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, Е.В. Шулаков. Поверхность, 9, 64 (2004)
Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, Е.В. Шулаков. Поверхность, 4, 100 (2004)
Р.Н. Кютт, С.С. Рувимов, И.Л. Шульпина. Письма в ЖТФ, 32 (24), 79 (2006). [R.N. Kyutt, S.S. Ruvimov, I.L. Shulpina. Tech. Phys. Lett., 32 (12), 1079 (2006). DOI: 10.1134/S106378500612025X]
М.Г. Мильвидский, Ю.А. Осипьян, Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, Е.В. Шулаков. Поверхность, 6, 5 (2001)
И.Л. Шульпина, Э.В. Суворов. Известия РАН. Серия физическая, 74 (11), 1547 (2010). [I.L. Shulpina, E.V. Suvorov. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 74 (11), 1488 (2010).]
F. Heyroth, H.-R. Hoche, C. Eisenschmidt. J. Appl. Crystallogr., 32, 489 (1999). DOI: 10.1107/S002188989900240X
V.G. Kohn, I.A. Smirnova. Acta Crystallogr. A, 71, 519 (2015). DOI: 10.1107/S2053273315012176
Е.В. Шулаков, И.А. Смирнова, Э.В. Суворов. Поверхность, 6, 5 (2003)
P. Zaumseil. Krist. Tech., 13 (8), 983 (1978). DOI: 10.1002/crat.19780130814
И.Л. Шульпина, П.В. Петрашень, Ф.Н. Чуховский, К.Т. Габриэлян. Тез. докл. IV Всесоюзного совещания "Дефекты структуры в полупроводниках" (Новосибирск, СССР, 1984), т. 2, с. 114
П.В. Петрашень, Ф.Н. Чуховский, И.Л. Шульпина, Р.Н. Кютт. ФТТ, 29 (5), 1608 (1987)
F.N. Chukhovskii, P.V. Petrashen. Acta Crystallogr. A, 44, 8 (1988). DOI: 10.1107/S0108767387005099
Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, А.C. Образова. ПТЭ, 1, 178 (2015). [E.V. Suvorov, I.A. Smirnova, A.S. Obrazova. Instruments Experiment. Tech., 58 (1), 170 (2015). DOI: 10.1134/S0020441215010297]
И.А. Смирнова, Э.В. Суворов, Е.В. Шулаков. ФТТ, 53 (1), 35 (2011). [I.A. Smirnova, E.V. Suvorov, E.V. Shulakov. Phys. Solid State, 53 (1), 35 (2011). DOI: 10.1134/S1063783411010288]
Э.В. Суворов, И.А. Смирнова. Письма в ЖТФ, 42 (18), 55 (2016). [E.V. Suvorov, I.A. Smirnova. Tech. Phys. Lett., 42 (9), 955 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016090261]
В.Л. Инденбом, Ф.Н. Чуховский. Кристаллография, 16 (6), 1101 (1971)
B.K. Tanner. X-ray Diffraction Topography (Pergamon Press, Oxford, 1976)
S.F. Cui, G.S. Green, B.K. Tanner. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 138, 71 (1989). DOI: 10.1557/PROC-138-71
И.Л. Шульпина. Поверхность, 4, 3 (2000)
С.Ю. Мартюшов, Н.В. Корнилов, С.Н. Поляков, С.И. Жолудев, А.А. Ломов, И.Л. Шульпина. Тез. докл. 8 Междунар. конф. "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" (Москва, Россия, 2019), с. 153. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.132
С.Н. Поляков, А.А. Ломов, И.Л. Шульпина, С.Ю. Мартюшов, В.Н. Денисов, В.Д. Бланк. Тез. докл. конференции "Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике" (Черноголовка, Россия, 2021), с. 268
J.R. Patel. J. Appl. Phys., 44 (9), 3903 (1973). DOI: 10.1063/1.1662869
D.K. Bowen, B.K. Tanner. High Resolution X-ray Diffractometry and Topography (Taylor and Francis, London, 1998), пер. на русск. яз.: Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (Наука, СПб., 2002)
M. Lefeld-Sosnowska, J. Gronkowski, G. Kowalski. J. Phys. D: Appl. Phys., 28 (4A), A42 (1995). DOI: 10.1088/0022-3727/28/4A/008
P. Klang, V. Holy, J. Kubv ena, R. v Stoudek, J. v Sik. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (10A), A105 (2005). DOI: 10.1088/0022-3727/38/10A/020
S. Rouvimov, R. Kuytt, J. Kearns, V. Todt, B. Orschel, H. Siriwardane, A. Buczkowski, I. Shul'pina, G.A. Rozgonyi. Solid State Phenomena, eds. H. Richter, M. Kittler, 95-96, 17 (2004). DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.95-96.17
R.N. Kyutt, I.L. Shulpina, G.N. Mosina, V.V. Ratnikov, L.M. Sorokin, M.P. Scheglov, S.S. Ruvimov, J. Kearns, V. Todt. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (10A), A111 (2005). DOI: 10.1088/0022-3727/38/10A/021
И.Л. Шульпина, С.С. Рувимов, Р.Н. Кютт. Поверхность, 1, 38 (2010)
И.Л. Шульпина, Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, И.А. Прохоров, И.Ж. Безбах, М.П. Щеглов. ЖТФ, 80 (4), 106 (2010). [I.L. Shul'pina, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, I.A. Prokhorov, I.Zh. Bezbakh, M.P. Shcheglov. Tech. Phys., 55 (4) 537 (2010). DOI: 10.1134/S1063784210040183]
P.V. Petrashen, I.L. Shulpina. Phys. Status Solidi A, 78 (2), K105 (1983)
И.Л. Шульпина. Заводская лаборатория, 73 (5) 30 (2007)
I.L. Shulpina, V.V. Ratnikov, N.S. Savkina, V.B. Shuman, M. Syvajarvi, R. Yakimova. Materials Science Forum, 483-485, ed. R. Nipoti, A. Poggi, A. Scorzoni. Switzerland, Trans Tech Publ. Ltd, 2005, 265-268. DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.265
И.Л. Шульпина, В.В. Ратников, Н.С. Савкина, В.Б. Шуман. Поверхность, 6, 18 (2005)
И.Н. Лейкин, К.Л. Головчинер, Т.А. Мингазин. Поверхность, 9, 136 (1984)
H. Chen. Mater. Lett., 4 (2), 65 (1986). DOI: 10.1016/0167-577X(86)90051-0
И.Л. Шульпина, Н.С. Жданович, В.И. Соколов. Электронная техника, 4 (241), 48 (1989)
W. Wierzhowski, K. Wieteska, W. Graeff. J. Phys. D: Appl. Phys., 33 (10), 1230 (2000). DOI: 10.1088/0022-3727/33/10/314
K. Wieteska, W. Wierzhowski, W. Graeff, M. Lefeld-Sosnowska, M. Regulska. J. Phys. D: Appl. Phys., 36 (10A), A133 (2003). DOI: 10.1088/0022-3727/36/10A/327
J. Riikonen, T. Tuomi, A. Lankinen, J. Sormunen, A. Saynatjoki, L. Knuuttila, H. Lipsanen, P.J. Mcnally, L. O'Reilly, A. Danilewsky, H. Sipila, S.Vaijarvi, D. Lumb, A. Owens. J. Mater. Sci-Mater. El., 16, 449 (2005). DOI: s10854-005-2313-5
D. Noonan, P.J. McNally, W.-M. Chen, A. Lankinen, L. Knuuttila, T.O.Tuomi, A.N. Danilewsky, R. Simon. Microelectr., 37 (11), 1372 (2006). DOI: 10.1016/j.mejo.2006.06.008
E. Pernot, P. Pernot-Rejmankova, M. Anikin, B. Pelissier, C. Moulin, R. Madar. J. Phys. D: Appl. Phys., 34 (10A), A136 (2001). DOI: 10.1088/0022-3727/34/10A/328
J. Baruchel, M. Di Michiel, T. Lafford, P. Lhuissier, J. Meyssonnier, H. Nguyen-Thi, A. Philip, P. Pernot, L. Salvo, M. Scheel. C.R. Physique, 14 (2-3), 208, (2013). DOI: 10.1016/j.crhy.2012.10.010
P.G. Neudeck, J.A. Powell. IEEE Electr. Device L., 15 (2), 63 (1994). DOI: 10.1109/55.285372
St.G. Muller, M.F. Brady, A.A. Burk, H. Md. Hobgood, J.R. Jenny, R.T. Leonard, D.P. Malta, A.R. Powell, J.J. Sumakeris, V.F. Tsvetkov, C.H. Carter. Superlattice Microst., 40 (4-6), 195 (2006). DOI: 10.1016/j.spmi.2006.09.029
P.J. Wellmann. Semicond. Sci. Technol., 33, 103001 (1-34) (2018). DOI: 10.1088/1361-6641/aad831
D. Nakamura, S. Yamaguhi, Y. Hirose, T. Tani, K. Takatori. J. Appl. Phys., 103 (1), 013510 (1-7) (2008). DOI: 10.1063/1.2829806
D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguhi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori. Nature, 430, 1009 (2004). DOI: 10.1038/nature02810
W. Si, M. Dudley, R. Glass, V.Tsvetkov, C. Carter. J. Eletron. Mater., 26, 128 (1997). DOI: 10.1007/s11664-997-0138-0
S. Mardix , A. R. Lang, I. Blech. Phil. Mag., 24, 683 (1971). DOI: 10.1080/14786437108217039
H. Yan, O. Kalenci, I.C. Noyan. Appl. Crystallogr., 40, 322 (2007). DOI: 10.1107/S0021889807003160
T. Fukamachi, S. Jongsukswat, D. Ju, R. Negishi, K. Hirano, T. Kawamura. Acta Crystallogr. A, 75, 842 (2019). DOI: 10.1107/S2053273319011859
M.B. Kosmyna, B.P. Nazarenko, V.M. Puzikov, A.N. Shekhovtsov, W. Paszkowicz, A. Behrooz, P. Romanowski, A.S. Yasukevich, N.V. Kuleshov, M.P. Demesh, W. Wierzchowski, K. Wieteska, C. Paulmann. J. Cryst. Growth, 445, 101, (2016). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.002
W. Wierzchowski, K. Wieteska, J. Gaca, M. Wojcik, M. Mozdzonek, W. Strupinski, M. Weso owski, C. Paulmann. J. Appl. Crystallogr., 50, 1192 (2017). DOI: 10.1107/S1600576717008846
B.K. Tanner, P.J. McNally, A.N. Danilewsky. Powder Diffr., 36 (2), 78 (2021). DOI: 10.1017/S088571562100021X
W. Ludwig, P. Cloetens, J. Hartwig, J. Baruchel, B. Hamelin, P. Bastie. J. Appl. Crystallogr., 34, 602 (2001). DOI: 10.1107/S002188980101086X
S. Kawado, T. Taishi, S. Iida, Y. Suzuki, Y. Chikaura, K. Kajiwara. J. Synchrotron Rad., 11, 304 (2004). DOI: 10.1107/S0909049504012609
T. Mukaide, K. Kajiwara, T. Noma, K. Takada. J. Synchrotron Rad., 13, 484 (2006). DOI: 10.1107/S090904950603384X
V.V. Kvardakov, K.M. Podurets, S.A. Schetinkin, J. Baruchel, J. Hartwig, M. Schlenker. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 575 (1-2), 140 (2007). DOI: 10.1016/j.nima.2007.01.044
K. Kajiwara, S. Kawado, S. Iida, Y. Suzuki, Y. Chikaura. Phys. Status Solidi A, 204 (8), 2682 (2007). DOI: 10.1002/pssa.200675677
А.Э. Волошин, И.Л. Смольский, В.Н. Рожанский. ЖТФ, 64 (4) 171 (1992)
A.E. Voloshin, I.L. Smolsky, V.M. Kaganer, V.L. Indenbom, V.N. Rozhansky. Phys. Status Solidi A, 130 (1), 61 (1992). DOI: 10.1002/pssa.2211300108
А.Э. Волошин. Кристаллография, 56 (5), 859 (2011). [A.E. Voloshin. Cryst. Rep. 56 (5) 802 (2011)]. DOI: 10.1134/S1063774511050233
I.L. Smolsky, A.E. Voloshin, N.P. Zaitseva, E.B. Rudneva, H. Klapper. Philos. Tr. Soc. Lond, A. 357, 2631 (1999). DOI: 10.1098/rsta.1999.0453
V. Asadchikov, A. Buzmakov, F. Chukhovskii, I. Dyachkova, D. Zolotov, A. Danilewsky, T. Baumbach, S. Bode, S. Haaga, D. Hanschke, M. Kabukcuoglu, M. Balzer, M. Caselle, E. Suvorov. J. Appl. Cryst., 51, 1616 (2018). DOI: 10.1107/S160057671801419X

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель