Метод регистрации потенциала зарядки диэлектриков при ионном облучении по сдвигу границы тормозного рентгеновского спектра
Татаринцев А.А.
1, Орликовский Н.А.
2, Орликовская Н.Г.
1, Озерова К.Е.
1, Шахова Я.Э.
21Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Сколковский институт науки и технологий, AICF, Москва, Россия
Email: tatarintsev@physics.msu.ru, n.orlikovskiy@skoltech.ru, orlikovskayang@gmail.com, kemark@mail.ru, y.shakhova@skoltech.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 19 мая 2022 г.
Принята к печати: 21 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2022 г.
Предложен метод измерения высоковольтных потенциалов по сдвигу границы тормозного рентгеновского спектра при зарядке диэлектриков ионами. При облучении ионами Xe+ для генерации мягкого тормозного рентгеновского излучения предложено использовать зондирующий пучок электронов. Для нивелирования эффекта компенсации заряда на поверхности подобрана величина тока зондирующего пучка электронов. Получены значения равновесных потенциалов зарядки типичных изоляторов (Al2O3-керамика, Al2O3 (сапфир), SiO2 и тефлон) при разных энергиях облучения ионами. Проведено сравнение полученных данных с результатами спектрометрических исследований. Ключевые слова: зарядка диэлектриков, ионное облучение, ФИП-СЭМ, измерение потенциала поверхности.
- S.J. Zinkle, G.S. Was. Acta Mater., 61, 735 (2013). DOI: 10.1016/j.actamat.2012.11.004
- J. Knaster, A. Moeslang, T. Muroga. Nature Phys., 12, 424 (2016). DOI: 10.1038/NPHYS3735
- F.G. Ferre, A. Mairov, M. Vanazzi, Y. Serruys, F. Lepr\^etre, L. Beck, L.V. Brutzel, A. Chartier, M. Beghi, K. Sridharan, F.D. Fonzo. Acta Mater., 143, 156 (2018). DOI: 10.1016/J.ACTAMAT.2017.10.011
- A. Baggott, M. Mazaheri, B.J. Inkson. J. Europ. Ceramic Soc., 39, 3620 (2019). DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2019.05.012
- K. Ohya, T. Yamanaka, D. Takami, K. Inai. Proc. SPIE, 7729, 77290V (2010). DOI: 10.1117/12.853488
- Yu.V. Petrov, A.E. Anikeva, O.F. Vyvenko. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 425, 11 (2018). DOI: 10.1016/j.nimb.2018.04.001
- K. Ohya. J. Vac. Sci. Technol. B, 32, 06FC01 (2014). DOI: 10.1116/1.4896337
- J. Shi, M. Fama, B. Teolis, R.A. Baragiola. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268 (19), 2888 (2010). DOI: 10.1016/J.NIMB.2010.04.013
- T. Nagatomi, T. Kuwayama, Y. Takai, K. Yoshino, Y. Morita, M. Kitayama, M. Nishitani. Appl. Phys. Lett., 92, 084104 (2008). DOI: 10.1063/1.2888957
- S. Yogev, J. Levin, M. Molotskii, A. Schwarzman, O. Avayu, Y. Rosenwaks. J. Appl. Phys., 103, 064107 (2008). DOI: 10.1063/1.2895194
- R.A. Baragiola, M. Shi, R. Vidal, C. Dukes. Phys. Rev. B, 58, 13212 (1998). DOI: 10.1103/PHYSREVB.58.13212
- К.Ф. Миннебаев, Э.И. Рау, А.А. Татаринцев. ФТТ, 61 (6), 1090 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.06.47683.356 [K.F. Minnebaev, E.I. Rau, A.A. Tatarintsev. Phys. Solid State, 61 (6), 1013 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419060118]
- E.I. Rau, A.A. Tatarintsev, E.Yu. Zykova, K.E. Markovets, K.F. Minnebaev. Vacuum, 177, 109373 (2020). DOI: 10.1016/j.vacuum.2020.109373
- F. Lefebre, J. Vigouroux, J. Perreau. J. Appl. Phys., 65, 1683 (1989). DOI: 10.1063/1.343420
- F. Croccolo, C. Riccardi. J. Microscopy, 229, 39 (2008). DOI: 10.1111/j.1365-2818.2007.01866.x
- X. Meyza, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys., 94 (8), 5384 (2003). DOI: 10.1063/1.1613807
- M. Nastasi, J.W. Mayer, Y. Wang. Ion Beam Analysis. Fundamentals and Applications (CRC Press, London, 2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
