Методика получения атомарно гладких подложек из монокристаллического кремния методом механического притира
Чхало Н.И.1, Ахсахалян А.А.1, Зорина М.В.1, Торопов М.Н.1, Токунов Ю.М.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: chkhalo@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 22 апреля 2022 г.
Принята к печати: 22 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 12 июня 2022 г.
Cообщено о разработанной методике полировки подложек из монокристаллического кремния с использованием механического притира. Получена эффективная шероховатость подложки в диапазоне пространственных частот 0.025-65 μm-1 на уровне 0.37 и 0.18 nm на размере кадра на поверхности 40x40 и 2x2 μm2, соответственно. Полученный результат сопоставим с результатами химико-механической и динамической полировки пластин из монокристаллического кремния для микроэлектроники. Ключевые слова: поверхность, шероховатость, синхротронное излучение, полировка.
- D.H. Bilderback, A.K. Freund, G.S. Knapp, D.M. Mills. J. Synchrotron Rad., 7, 53 (2000). DOI: 10.1107/S0909049500000650
- H. Thiess, H. Lasser, F. Siewert. Nucl. Instrum. Meth. A, 616, 157 (2010). DOI: 10.1016/j.nima.2009.10.077
- Н.И. Чхало, А.А. Ахсахалян, Ю.А. Вайнер, М.В. Зорина, А.Е. Пестов, М.В. Свечников, М.Н. Торопов, N. Kumar, Ю.М. Токунов. ЖТФ, 91 (10), 1588 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.10.51375.95-21
- Siltronix. Silicon wafer specifications [Электронный ресурс] Режим доступа: https://www.sil-tronix-st.com/en/silicon-wafer/ silicon-wafer-specifications, свободный. (дата обращения: 26.05.2022)
- K. Yamauchi, H. Mimura, K. Inagaki, Y. Mori. Rev. Sci. Instrum., 73, 4028 (2002). DOI: 10.1063/1.1510573
- Н.И. Чхало, И.В. Малышев, А.Е. Пестов, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, М.Н. Торопов. УФН, 190 (1), 74 (2020). DOI: 10.3367/UFNr.2019.05.038601
- А.Д. Ахсахалян, Е.Б. Клюенков, А.Я. Лопатин, В.И. Лучин, А.Н. Нечай, А.Е. Пестов, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, М.В. Свечников, М.Н. Торопов, Н.Н. Цыбин, Н.И. Чхало, А.В. Щербаков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1, 5 (2017). DOI: 10.7868/S0207352817010048
- Y. Huang, B. Fan, Y. Wan, S. Li. Optik, 172, 540 (2018). https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.07.039
- K.N. Khatri, R. Sharma, V. Mishra, H. Garg, V. Karar. Adv. Mater. Proc., 2 (7), 425 (2017). DOI: 10.5185/amp.2017/704
- U. Dinger, F. Eisert, H. Lasser, M. Mayer, A. Seifert, G. Seitz, S. Stacklies, F.-J. Stickel, M. Weiser. Proc. SPIE, 4146, 35 (2000). DOI:10.1117/12.406674
- М.Н. Торопов, А.А. Ахсахалян, М.В. Зорина, Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало, Ю.М. Токунов. ЖТФ, 90 (11), 1958 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.11.49990.127-20
- N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Rev. Sci. Instrum., 86, 016102 (2015). https://doi.org/10.1063/1.4905336
- M.M. Barysheva, Yu.A. Vainer, B.A. Gribkov, M.V. Zorina, A.E. Pestov, N.N. Salashchenko, R.A. Khramkov, N.I. Chkhalo. Bull. Rus. Acad. Sci. Phys., 76 (2), 163-167 (2012). DOI: 10.3103/S1062873812020037
- N.I. Chkhalo, S.A. Churin, A.E. Pestov, N.N. Salashchenko, Yu.A. Vainer, M.V. Zorina. Opt. Express, 22 (17), 20094 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.020094
- M.S. Mikhailenko, A.E. Pestov, N.I. Chkhalo, M.V. Zorina, A.K. Chernyshev, N.N. Salashchenko, I.I. Kuznetsov. Appl. Opt., 61 (10), 2825 (2022). DOI: 10.1364/AO.455096
- L.N. Abdulkadir, K. Abou-El-Hossein, A.I. Jumare, P.B. Odedeyi, M.M. Liman, T.A. Olaniyan. Int. J. Adv. Manuf. Technol., 96, 173-208 (2018). DOI: 10.1007/s00170-017-1529-x
- A.R. Belure, A.K. Biswas, D. Raghunathan, Rishipal, S. Bhartiya, R. Singh, S.K. Raid, R.S. Pawade, M.P. Kamath, N.S. Benerji. Mater. Today Proc., 26, 2260 (2020). DOI: 10.1016/j.matpr.2020.02.490/
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
