Вышедшие номера
Локальное анодное окисление кремния для создания кроссбар-архитектуры
Полякова В.В.1, Саенко А.В.1
1Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: vpolyakova@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 28 апреля 2022 г.
Принята к печати: 28 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 12 июня 2022 г.

Показана возможность формирования нейроматрицы в виде кроссбар-архитектуры на кремниевой подложке. Кроссбар-архитектуру в виде набора перпендикулярно расположенных друг к другу наноразмерных проводников, между которыми находится слой оксида титана, способный менять свою проводимость под действием приложенного напряжения, предложено формировать с использованием метода локального анодного окисления. Представлены результаты исследования технологических параметров метода локального анодного окисления кремния и титана для реализации элементов данной нейроматрицы в виде мемристорной структуры. Ключевые слова: кремний, титан, локальное анодное окисление, нейроматрица, кроссбар.