Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 8 » Статья стр. 1099
>>>
Ионно-лучевая литография: моделирование и аналитическое описание поглощенной в резисте энергии
DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52768.104-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.08.54550.104-22
Министерство образования и науки Российской Федераци, Госзадание, 075-00706-22-00
Шабельникова Я.Л. 1, Зайцев С.И.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: janeshabeln@yandex.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2022 г.
Принята к печати: 25 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 12 июня 2022 г.
PDF версия
Для ионов из ряда инертных газов, а также галлия проведено моделирование поглощенной в резисте энергии. Показано, что распределение плотности энергии может быть аппроксимировано произведением двух гауссовых функций. Одна из них описывает радиальное распределение энергии, вторая - зависимость по глубине. Ширины и центры этих гауссовых функций определяются энергетической длиной (также упоминаемой в литературе как "глубина проникновения" или "средняя длина траекторий"), массой ионов и средним атомным номером резиста. Полученное описание позволит делать оценки размеров области модификации резиста для любых ионов с энергией десятки килоэлектронвольт и может быть использовано для априорных оценок разрешения и производительности, а также выбора на основании этого энергии пучка и типа иона. Ключевые слова: литография, наноструктурирование, ионный пучок, резист, моделирование, поглощенная энергия.
  1. Microlithography Science and Technology, Second Edition, ed. by K. Suzuki, B.W. Smith. (CRC Press, 2007), p. 864
  2. K. Lucas, S. Postnikov, C. Henderson, S. Hector. Lithography: Concepts, Challenges and Prospects. In Nano and Giga Challenges in Microelectronics, ed. by J. Greer, A. Korkin, J. Labanowski (Elsevier, 2003), p. 69
  3. A. Joshi-Imre, S. Bauerdick. J. Nanotechnology, 2014 (6), 170415 (2014). http://dx.doi.org/10.1155/2014/170415
  4. P. Li, S. Chen, H. Dai, Z. Yang, Z. Chen, Y. Wang, Y. Chen, W. Peng, W. Shana, H. Duan. Nanoscale, 4, 1529 (2021). https://doi.org/10.1039/D0NR07539F
  5. F.I. Allen. Beilstein J. Nanotechnol., 12, 633 (2021). https://doi.org/10.3762/bjnano.12.52
  6. S. He, R. Tian, W. Wu, W.-D. Li, D. Wang. Int. J. Extrem. Manuf., 3, 012001 (2021). https://doi.org/10.1088/2631-7990/abc673
  7. Y. Kudriavtsev, A. Villegas, A. Godines, R. Asomoza. Appl. Surf. Sci., 239, 273 (2005). https://doi.org/10.1016/J.APSUSC.2004.06.014
  8. J.R. McNeil, J.J. McNally, P.D. Reader. Ion Beam Deposition. In Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques --- Principles, Methods, Equipment and Applications, 2nd Edition (William Andrew Publishing / Noyes, 2002), p. 463
  9. J. Gierak. Focused Ion Beam Direct-Writing. In Lithography, ed. by S. Landis (Wiley-ISTE, 2010), p. 184
  10. A.D. Dubner. Mechanism of Ion Beam Induced Deposition, PhD Thesis (MIT, 1990)
  11. J. Mengailis. Procc. SPIE, 1465, 36 (1991). https://doi.org/10.1117/12.47341
  12. J.S. Ro, C.V. Thompson, J. Melngailis. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 73 (1994). https://doi.org/10.1116/1.587111
  13. A.D. Ratta. Focused Ion Beam Induced Deposition of Copper, Master's Thesis (MIT, 1993)
  14. M. Komuro, N. Atoda, H. Kawakatsu. J. Electrochem. Soc.: Solid State Sci. Technol., 126 (3), 483 (1979). https://doi.org/10.1149/1.2129067
  15. R.L. Kubena, J.W. Ward, F.P. Stratton, R.J. Joyce, G.M. Atkinson. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (6), 3079 (1991). https://doi.org/10.1116/1.585373
  16. K. Arshak, M. Mihov, Sh. Nakahara, A. Arshak, D. McDonagh. Superlattices Microstructures, 36, 335 (2004). https://doi.org/10.1016/J.SPMI.2004.08.030
  17. Ya.L. Shabelnikova, S.I. Zaitsev, N.R. Gusseinov, M.T. Gabdullin, M.M. Muratov. Semiconductors, 54 (14), 1854 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063782620140262
  18. M.M. Muratov, M.M. Myrzabekova, N.R. Guseinov, R. Nemkayeva, D.V. Ismailov, Ya.L. Shabelnikova, S.I. Zaitsev. J. Nano-and Electron. Phys., 12 (4), 40038 (2020). https://doi.org/10.21272/jnep.12(4).04038
  19. J.F. Ziegler. SRIM --- the Stopping and Range of Ions in Matter, 2013. http://www.srim.org
  20. K. Vutova, G. Mladenov. J. Optoelectron. Adv. Mater., 10, 233 (2008)
  21. G. Mladenov, K. Vutova, I. Raptis, P. Argitis, I. Rangelow. Microelectron. Eng., 57-58, 335 (2001). https://doi.org/10.1016/S0167-9317(01)00521-4
  22. K. Vutova, G. Mladenov. Computer Simulation of Processes at Electron and Ion Beam Lithography, Part 1: Exposure Modeling at Electron and Ion Beam Lithography. In Lithography, ed. by M. Wang (IntechOpen, London. 2010), https://doi.org/10.5772/8183

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme