Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 6 » Статья стр. 845
<<<>>>
Сенсибилизация наностержней ZnO коллоидными квантовыми точками AgInS2 для адсорбционных газовых сенсоров с фотоактивацией
DOI: 10.21883/JTF.2022.06.52514.15-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.06.54418.15-22
Рябко А.А. 1,2, Налимова С.С. 1, Мазинг Д.С. 1, Корепанов О.А. 1, Гукетлов А.М.3, Александрова О.А. 1, Максимов А.И. 1, Мошников В.А. 1, Шомахов З.В. 3, Алешин А.Н. 2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
Email: a.a.ryabko93@yandex.ru, sskarpova@list.ru, aimaximov@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 января 2022 г.
В окончательной редакции: 13 марта 2022 г.
Принята к печати: 14 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 22 апреля 2022 г.
PDF версия
Представлена низкотемпературная методика формирования покрытий из наностержней ZnO, декорированных коллоидными квантовыми точками AgInS2. Показано, что нанокристаллы ZnO и коллоидные квантовые точки AgInS2 c оболочкой из молекул меркаптопропионовой кислоты формируют гетеропереход. Сенсибилизация наностержней ZnO коллоидными квантовыми точками AgInS2 к видимому облучению обеспечивает газоаналитический отклик структуры к парам изопропилового спирта при комнатной температуре в условиях освещения синим светодиодом с пиковой длиной волны 460 nm. Ключевые слова: адсорбционные газовые сенсоры, фотоактивация газочувствительности, наностержни оксида цинка, коллоидные квантовые точки AgInS2, сенсибилизация.
  1. V.A. Moshnikov, I.E. Gracheva, V.V. Kuznezov, A.I. Maximov, S.S. Karpova, A.A. Ponomareva. J. Non-Cryst. Solid., 356, 37 (2010). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2010.06.030
  2. С.С. Карпова, В.А. Мошников, С.В. Мякин, Е.С. Коловангина. ФТП, 47 (3), 369 (2013). [S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, S.V. Mjakin, E.S. Kolovangina. Semiconductors, 47 (3), 392 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613030123]
  3. С.С. Карпова, В.А. Мошников, А.И. Максимов, С.В. Мякин, Н.Е. Казанцева. ФТП, 47, 1022 (2013). [S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, A.I. Maksimov, S.V. Mjakin, N.E. Kazantseva. Semiconductors, 47, 1026 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613080095]
  4. Л.К. Крастева, Д.Ц. Димитров, К.И. Папазова, Н.К. Николаев, Т.В. Пешкова, В.А. Мошников, И.Е. Грачева, С.С. Карпова, Н.В. Канева. ФТП, 47 (4), 564 (2013). [L.K. Krasteva, D.T. Dimitrov, K.I. Papazova, N.K. Nikolaev, T.V. Peshkova, N.V. Kaneva, V.A. Moshnikov, I.E. Gracheva, S.S. Karpova. Semiconductors, 47 (4), 586 (2013). 10.1134/S106378261]
  5. D.T. Dimitrov, N.K. Nikolaev, K.I. Papazova, L.K. Krasteva, A.S. Bojinova, T.V. Peshkova, N.V. Kaneva, I.A. Pronin, I.A. Averin, N.D. Yakushova, A.A. Karmanov, A.T. Georgieva, V.A. Moshnikov. Appl. Surf. Sci., 392, 95 (2017). DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.08.049
  6. S. Mahajan, S. Jagtap. Appl. Mater. Today, 18, 100483 (2020). DOI: 10.1016/j.apmt.2019.100483
  7. V.K. Tomer, R. Malik, А. Kailasam. ACS Omega, 2, 3658 (2017). DOI: 10.1021/acsomega.7b00479
  8. C. Gautam, C.S. Tiwary, L.D. Machado, S. Jose, S. Ozden, S. Biradar, D.S. Galvao, R.K. Sonker, B.C. Yadav, R. Vajtaia, P.M. Ajayan. RSC Adv., 6, 87888 (2016). DOI: 10.1039/C6RA18833H
  9. F. Qu, Y. Yuan, R. Guarecuco, M. Yang. Small, 12, 3128 (2016). DOI: 10.1002/smll.201600422
  10. F. Qu, Y. Yuan, M. Yang. Chem. Mater., 29, 969 (2017). DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b03435
  11. L. Zhu, C. Feng, F. Li, D. Zhang, C. Li, Y. Wang, Y. Lin, S. Ruan, Z. Chen. RSC Adv., 4, 61691 (2014). DOI: 10.1039/C4RA11010B
  12. S. Hussain, T. Liu, M. Javed, N. Aslam, W. Zeng. Sens. Act. B, 239, 1243 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2016.09.128
  13. Q. Nie, W. Zhang, L. Wang, Z. Guo, C. Li, J. Yao, M. Li, D. Wu, L. Zhou. Sens. Act. B, 270, 140 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2018.04.170
  14. M. Zhang, H.C. Su, Y. Rheem, C.M. Hangarter, N.V. Myung. J. Phys. Chem. C, 116, 20067 (2012). DOI: 10.1021/jp305393c
  15. D.H. Shin, J.S. Lee, J. Jun, S.G. Kim, J. Jang. ACS Appl. Mater. Interfac., 7, 1746 (2015). DOI: 10.1021/am507314t
  16. S. Mao, G. Lub, J. Chen. J. Mater. Chem. A, 2, 5573 (2014). DOI: 10.1039/C3TA13823B
  17. T.N. Ly, S. Park. Sci. Reports, 8, 18030 (2018). DOI: 10.1038/s41598-018-36468-z
  18. Y. Guo, T. Wang, F. Chen, X. Sun, X. Li, Z. Yu, P. Wan, X. Chen. Nanoscale, 8, 12073 (2016). DOI: 10.1039/C6NR02540D
  19. H.T. Hien, H.T. Giang, N.V. Hieu, T. Trung, C.V. Tuan. Sens. Act. B, 249, 348 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2017.04.115
  20. G.J. Choi, R.K. Mishra, J.S. Gwag. Mater. Lett., 264, 127385 (2020). DOI: 10.1016/j.matlet.2020.127385
  21. O. Faye, U. Eduok, J.A. Szpunar, A.C. Beye. Physica E, 117, 113794 (2020). DOI: 10.1016/j.physe.2019.113794
  22. J. Wang, S. Fan, Y. Xia, C. Yang, S. Komarneni. J. Hazard. Mater., 381, 120919 (2020). DOI: 10.1016/j.jhazmat.2019.120919
  23. Y. Gui, K. Tian, J. Liu, L. Yang, H. Zhang, Y. Wang. J. Hazard. Mater., 380, 120876 (2019). DOI: 10.1016/j.jhazmat.2019.120876
  24. H. Ma, L. Yu, X. Yuan, Y. Li, C. Li, M. Yin, X. Fan. J. Alloys Compounds, 782, 1121 (2019). DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.12.180
  25. M. Wang, Y. Zhu, D. Meng, K. Wang, C. Wang. Mater. Lett., 277, 128372 (2020). https://doi.org/10.1016/j.matlet.2020.12837
  26. A.A. Bobkov, D.S. Mazing, A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, A.A. Semenova, A.I. Maksimov, E.A. Levkevich, V.A. Moshnikov. 2018 Proceed. IEEE Intern. Conf. Electr. Eng. Photon., EExPolytech., 219 (2018). DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564407
  27. S.S. Nalimova, V.M. Kondratev, A.A. Ryabko, A.I. Maksimov, V.A. Moshnikov. J. Phys. Conf. Series, 1658, 012033 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1658/1/012033
  28. Y.-T. Tsai, S.-J. Chang, L.-W. Ji, Y.-J. Hsiao, I-T. Tang, H.-Y. Lu, Y.-L. Chu. ACS Omega, 3, 13798 (2018). DOI: 10.1021/acsomega.8b01882
  29. E. Espid, F. Taghipour. Sens. Actuators B, 241, 828 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2016.10.129
  30. J. Jiang, L. Shi, T. Xie, D. Wang, Y. Lin. Sens. Actuators B, 254, 863 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.07.197
  31. A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov. Proceed. 2021 IEEE Conf. of Russ. Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus, 1180 (2021). DOI: 10.1109/ElConRus51938.2021.9396166
  32. J. Prades, R. Jimenez-Di az, F. Hernandez-Rami rez, S. Barth, A. Cirera, A. Romano-Rodri guez, S. Mathur, J.R. Morante. Sens. Act. B, 140, 337 (2009). DOI: 10.1016/j.snb.2009.04.070
  33. J. Li, D. Gu, Y. Yang, H. Du, X. Li. Front. Mater., 6, 158 (2019). DOI: 10.3389/fmats.2019.00158
  34. A. Chizhov, M. Rumyantseva, R. Vasiliev, D. Filatov, K. Drozdov, I. Krylov, A. Abakumov, A. Gaskov. Sens. Act. B, 205, 305 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2014.08.091
  35. H. Li, J. Yoon, C. Lee, K. Lim, J. Yoon, J. Lee. Sens. Act. B, 255, 2963 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.09.118
  36. D. Zhang, G. Dong, Y. Cao, Y. Zhang. J. Colloid Interface Sci., 528, 184 (2018). DOI: 10.1016/j.jcis.2018.05.085
  37. R. Chen, J. Wang, Y. Xia, L. Xiang. Sens. Act. B, 255, 2538 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2017.09.059
  38. H. Wang, J. Bai, M. Dai, K. Liu, Y. Liu, L. Zhou, F. Liu, F. Liu, Y. Gao, X. Yan, L. Geyu. Sens. Act. B, 304, 127287 (2020). DOI: 10.1016/J.SNB.2019.127287
  39. X. Geng, J. You, J. Wang, C. Zhang. Mater. Chem. Phys., 191, 114 (2017). DOI: 10.1016/j.matchemphys.2017.01.046
  40. J. Zhou, N. Xu, Z.L. Wang. Adv. Mater., 18, 2432 (2006). DOI: 10.1002/adma.200600200
  41. S. Rackauskas, N. Barbero, C. Barolo, G. Viscardi. Nanomater., 7, 381 (2017). DOI:10.3390/nano7110381
  42. R. Castro, R. Pasco, M. Saraiva, J. Santos, D. Ribeiro. Spectrochim. Acta Part A: Molec. Biomolec. Spectroscopy, 267, 120592 (2022). DOI: 10.1016/j.saa.2021.120592
  43. P. Ganguly, S. Mathew, L. Clarizia, S. Kumar, A. Akande, S.J. Hinder, A. Breen, S.C. Pillai. ACS Omega, 5, 406 (2020). DOI: 10.1021/acsomega.9b02907
  44. X. Zheng, Y. Mao, J. Wen, X. Fu, X. Liu. Nanomater., 9, 1567 (2019). DOI: 10.3390/nano9111567
  45. А.А. Рябко, А.И. Максимов, В.Н. Вербицкий, В.С. Левицкий, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 54, 1251 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50098.9480 [A.A. Ryabko, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov, V.N. Verbitskii, V.S. Levitskii. Semiconductors, 54, 1496 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620110238]
  46. A. Raevskaya, V. Lesnyak, D. Haubold, V. Dzhagan, O. Stroyuk, N. Gaponik, D.R. Zahn, A. Eychmuller. J. Phys. Chem. C, 121, 9032 (2017). DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b00849
  47. G.H. Carey, A.L. Abdelhady, Z. Ning, S.M. Thon, O.M. Bakr, E.H. Sargent. Chem. Rev., 115, 12732 (2015). DOI: 10.1021/acs.chemrev.5b00063
  48. O.A. Korepanov, D.S. Mazing, O.A. Aleksandrova, V.A. Moshnikov, A.S. Komolov, E.F. Lazneva, D.A. Kirilenko. Phys. Solid State, 61 (12), 2326 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419120217
  49. О.А. Александрова, Ю.В. Балакшин, А.Д. Большаков, В.М. Кондратьев, О.А. Корепанов, Д.С. Мазинг, А.И. Максимов, Е.В. Мараева, В.А. Мошников, Е.Н. Муратова, А.В. Назаров, С.С. Налимова, В.А. Никонова, Н.В. Пермяков, Ю.С. Реутов, А.А. Рябко, А.В. Старцева, А.А. Шемухин, Наночастицы, наносистемы и их применение. Формирование наносистем для сенсорики и медицины (СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб., 2021), p. 9-51
  50. P.-T. Hsieh, Y.-C. Chen, K.-S. Kao, C.-M. Wan. Appl. Phys. A, 90, 317 (2008). DOI: 10.1007/s00339-007-4275-3
  51. S.S. Nalimova, A.A. Ryabko, A.I. Maximov, V. Moshnikov. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012128 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012128
  52. S. Zang, Y. Wang, W. Su, H. Zhu, G. Li, X. Zhang, Y. Liu. Phys. Status Solidi RRL, 10, 745 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201600220
  53. C.M. Chuang, P.R. Brown, V. Bulovic, M.G. Bawendi. Nat. Mater., 13, 796 (2014). DOI: 10.1038/NMAT3984
  54. S. Peng, S. Zhang, S.G. Mhaisalkar, S. Ramakrishna. Phys. Chem. Chem. Phys., 14, 8523 (2012). DOI: 10.1039/C2CP40848A
  55. Y. Yang, Y. Liu, B. Mao, B. Luo, K. Zhang, W. Wei, Z. Kang, W. Shi, S. Yuan. Catal. Lett., 149, 1800 (2019). DOI: 10.1007/s10562-019-02718-6
  56. P.-T. Hsieh, Y.-C. Chen, K.-S. Kao, C.-M. Wang. Appl. Phys. A, 90, 317 (2008). DOI: 10.1007/s00339-007-4275

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme