Вышедшие номера
Газочувствительность наноструктурированных покрытий на основе наностержней оксида цинка при комбинированной активации
Рябко А.А. 1,2, Бобков А.А. 1, Налимова С.С. 1, Максимов А.И. 1, Левицкий В.С. 2, Мошников В.А. 1, Теруков Е.И. 1,2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.a.ryabko93@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 25 января 2022 г.
Принята к печати: 28 января 2022 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2022 г.

Представлено исследование газочувстительности наноструктурированного покрытия оксида цинка к парам изопропилового спирта в условиях ультрафиолетового облучения, нагрева, а также одновременного нагрева и облучения сенсорного слоя. Показано, что одновременный нагрев до 150oC и ультрафиолетовое облучение обеспечивает увеличение отклика сенсорного покрытия оксида цинка к парам изопропилового спирта. Снижение потребляемой мощности ультрафиолетового светодиода путем увеличения скважности импульсов в 10 раз приводит к незначительному уменьшению отклика сенсорного покрытия в 1.2 раза. Снижение рабочей температуры газовых сенсоров улучшает встраиваемость адсорбционных сенсоров в портативные устройства для контроля качества окружающей атмосферы. Ключевые слова: оксид цинка, наностержни, газовый сенсор, изопропиловый спирт, УФ облучение, комбинированная активация.
  1. Е.А. Форш, Е.А. Гусева. ФТП, 54 (2), 165 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48912.9159 [E.A. Forsh, E.A. Guseva. Semiconductors, 54 (2), 217 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620020098]
  2. S. Mahajan, S. Jagtap. Appl. Mater. Today, 18, 100483 (2020). DOI: 10.1016/j.apmt.2019.100483
  3. V.M. Kondratev, A.D. Bolshakov, S.S. Nalimova. Proceed. 2021 IEEE Conf. Russ. Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 1163 (2021). DOI: 10.1109/ElConRus51938.2021.9396573
  4. D. Burman, R. Ghosh, S. Santra, S.K. Ray, P. Kumar Guha. Nanotechnology, 28, 435502 (2017). DOI: 10.1088/1361-6528/aa87cd
  5. N.H. Hanh, L.V. Duy, C.M. Hung, N.V. Duy, Y.-W. Heo, N.V. Hieu, N.D. Hoa. Sensors and Actuators A, 302, 111834 (2020). DOI: 10.1016/j.sna.2020.111834
  6. G. Katwal, M. Paulose, I.A. Rusakova, J.E. Martinez, O.K. Varghese. Nano Lett., 16, 3014 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05280
  7. S.J. Kim, S.J. Choi, J.S. Jang, N.H. Kim, M. Hakim, H.L. Tuller, I.D. Kim. ACS Nano, 10, 5891 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.6b01196
  8. С.С. Карпова, В.А. Мошников, С.В. Мякин, Е.С. Коловангина. ФТП, 47 (3), 369 (2013). [S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, S.V. Mjakin, E.S. Kolovangina. Semiconductors, 47 (3), 392 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613030123]
  9. С.С. Налимова, В.А. Мошников, А.И. Максимов, С.В. Мякин, Н.Е. Казанцева. ФТП, 47 (8), 1022 (2013). [S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, A.I. Maksimov, S.V. Mjakin, N.E. Kazantseva. Semiconductors, 47 (8), 1026 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613080095]
  10. В.А. Мошников, С.С. Налимова, Б.И. Селезнев. ФТП, 48 (11), 1535 (2014). [V.A. Moshnikov, S.S. Nalimova, B.I. Seleznev. Semiconductors, 48 (11), 1499 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614110177]
  11. D. Degler, U. Weimar, N. Barsan. ACS Sens., 4 (9), 2228 (2019). DOI: 10.1021/acssensors.9b00975
  12. A. Mirzaei, J.-H. Lee, S.M. Majhi, M. Weber, M. Bechelany, H.W. Kim, S.S. Kim. J. Appl. Phys., 126, 241102 (2019). DOI: 10.1063/1.5118805
  13. Х.А. Абдуллин, С.К. Жумагулов, Г.А. Исмаилова, Ж.К. Калкозова, В.В. Кудряшов, А.С. Серикканов. ЖТФ, 90 (7), 1184 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.07.49454.317-19 [Kh.A. Abdullin, S.K. Zhumagulov, G.A. Ismailova, Zh.K. Kalkozova, V.V. Kudryashov, A.S. Serikkanov. Tech. Phys., 65 (7), 1139 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220070026]
  14. C.P. Goyal, D. Goyal, N.S. Ramgir, M. Navaneethan, Y. Hayakawa, C. Muthamizhchelvan, H. Ikeda, S. Ponnusamy. Phys. Solid State, 63, 460 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421030070
  15. R.L. Fomekong, H.M. Tedjieukeng Kamta, J. Ngolui Lambi, D. Lahem, P. Eloy, M. Debliquy, A. Delcorte. J. Alloys Compounds, 731, 1188 (2018). DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.10.089
  16. X. Wang, T. Wang, G. Si, Y. Li, S. Zhang, X. Deng, X. Xu. Sens. Act. B, 302, 127165 (2020). DOI: 10.1016/j.snb.2019.127165
  17. M.A. Haija, A.F.S. Abu-Hani, N. Hamdan, S. Stephen, A.I. Ayesh. J. Alloys Compounds, 690, 461 (2017). DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.08.174
  18. И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, И.А. Аверин, А.А. Карманов, А.С. Комолов, М.М. Сычев, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. Неорганические материалы, 57 (11), 1207 (2021). DOI: 10.31857/S0002337X21110105 [I.A. Pronin, N.D. Yakushova, I.A. Averin, A.A. Karmanov, A.S. Komolov, M.M. Sychev, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Inorg. Mater., 57 (11), 1140 (2021). DOI: 10.1134/S0020168521110108]
  19. И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, М.М. Сычев, А.С. Комолов, С.В. Мякин, А.А. Карманов, И.А. Аверин, В.А. Мошников. ФХС, 45 (3), 274 (2019). DOI: 10.1134/S0132665119010153 [I.A. Pronin, N.D. Yakushova, M.M. Sychev, A.S. Komolov, S.V. Myakin, A.A. Karmanov, I.A. Averin, V.A. Moshnikov. Glass Phys. Chem., 44 (5), 464 (2018). DOI: 10.1134/S1087659618050140]
  20. A. Bobkov, V. Moshnikov, A. Varezhnikov, I. Plugin, F.S. Fedorov, V. Goffman, V. Sysoev, V. Trouillet, U. Geckle, M. Sommer. Sensors, 19 (19), 4265 (2019). DOI: 10.3390/s19194265
  21. Т.В. Пешкова, Д.Ц. Димитров, С.С. Налимова, И.Е. Кононова, Н.К. Николаев, K.И. Папазова, A.С. Бoжиновa, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ЖТФ, 84 (5), 143 (2014). [T.V. Peshkova, D.Ts. Dimitrov, S.S. Nalimova, I.E. Kononova, N.K. Nikolaev, K.I. Papazova, A.S. Bozhinova, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Tech. Phys., 59 (5), 771 (2014). DOI: 10.1134/S1063784214050259]
  22. G. Korotcenkov. Nanomaterials, 11, 1555 (2021). DOI: 10.3390/nano11061555
  23. K.-R. Park, H.-B. Cho, J. Lee, Y. Song, W.-B. Kim, Y.-H. Cho. Sensors and Actuators B: Chemical, 302, 127179 (2020). DOI: 10.1016/j.snb.2019.127179
  24. S.S. Shendage, V.L. Patil, S.A. Vanalakar, S.P. Patil, N.S. Harale, J.L. Bhosale, J.H. Kim, P.S. Patil. Sensors and Actuators B, 240, 426 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2016.08.177
  25. S. Agarwal, S. Kumar, H. Agrawal, M.G. Moinuddin, M. Kumar, S.K. Sharma, K. Awasthi. Sensors and Actuators: B. Chemical, 346, 130510 (2021). DOI: 10.1016/j.snb.2021.130510
  26. G.J. Choi, R.K. Mishra, J.S. Gwag. Mater. Lett., 264, 127385 (2020). DOI: 10.1016/j.matlet.2020.127385
  27. M.A. Anikina, A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, A.I. Maximov. J. Phys.: Conf, Series, 012010 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/1851/1/012010
  28. А.С. Божинова, Н.В. Канева, И.Е. Кононова, С.С. Налимова, Ш.А. Сюлейман, К.И. Папазова, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 47 (12), 1662 (2013). [A.S. Bozhinova, N.V. Kaneva, I.E. Kononova, S.S. Nalimova, Sh.A. Syuleiman, K.I. Papazova, D.Ts. Dimitrov, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Semiconductors, 47 (12), 1636 (2013). DOI: 10.1134/S106378261312004X]
  29. С.С. Налимова, С.В. Мякин, В.А. Мошников. ФХС, 42 (6), 773 (2016). [S.S. Nalimova, V.A. Moshnikov, S.V. Myakin. Glass Phys. Chem., 42 (6), 597 (2016). DOI: 10.1134/S1087659616060171]
  30. S.S. Nalimova, I.E. Kononova, V.A. Moshnikov, D.Ts. Dimitrov, N.V. Kaneva, L.K. Krasteva, S.A. Syuleyman, А.S. Bojinova, K.I. Papazova, A.Ts. Georgieva. Bulgar. Chem. Commun., 49, 121 (2017)
  31. G. Li, Z. Sun, D. Zhang, Q. Xu, L. Meng, Y. Qin. ACS Sens, 4, 1577 (2019). DOI: 10.1021/acssensors.9b00259
  32. A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov. Proceed. IEEE Conf. Russ. Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 1180 (2021). DOI: 10.1109/ElConRus51938.2021.9396166
  33. A.S. Chizhov, M.N. Rumyantseva, K.A. Drozdov, I.V. Krylov, M. Batuk, J. Hadermann, D.G. Filatova, N.O. Khmelevsky, V.F. Kozlovsky, L.N. Maltseva, A.M. Gaskov. Sensors and Actuators: B. Chemical, 329, 129035 (2021). DOI: 10.1016/j.snb.2020.129035
  34. J. Wang, S. Fan, Y. Xia, C. Yang, S. Komarneni. J. Hazardous Mater., 381, 120919 (2020). DOI: 10.1016/j.jhazmat.2019.120919
  35. S.S. Nalimova, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov, A.A. Bobkov, D.S. Mazing, A.A. Ryabko, E.A. Levkevich, A.A. Semenova. IEEE Intern. Conf. Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech): Proceed., 223 (2019). DOI: 10.1109/EExPolytech.2019.8906789
  36. J. Yang, W. Han, J. Ma, C. Wang, K. Shimanoe, S. Zhang, Y. Sun, P. Cheng, Y. Wang, H. Zhang, G. Lu. Sensors and Actuators: B. Chemical, 340, 129971 (2021). DOI: 10.1016/j.snb.2021.129971
  37. S.S. Nalimova, A.A. Ryabko, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov. J. Phys.: Conf. Series, 012128 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012128
  38. А.А. Рябко, А.И. Максимов, В.Н. Вербицкий, В.С. Левицкий, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 54 (11), 1251 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50098.9480 [A.A. Ryabko, A.I. Maximov, V.N. Verbitskii, V.S. Levitskii, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Semiconductors, 54 (11), 1496 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620110238]
  39. R. Cusco, E. Alarcon-Llado, J. Ibanez, L. Artus, J. Jimenez, B. Wang, M.J. Callahan.  Phys. Rev. B, 75 (16), 165202 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.165202

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.