Рассмотрены режимы поперечной и продольной относительно направления излучения фотопроводимости в полупроводниковых детекторах на основе CdZnTe. В расчетах внутренняя область детектора представлена в виде параллельных слоев поглощения излучения. Проведено сравнение расчетов с экспериментально измеренными фототоками детектора с поперечным сечением 2x2 mm в зависимости от направления облучения его рентгеновскими лучами. Из соотношений фототоков в диапазоне энергий рентгеновского излучения 35-72 keV определен линейный коэффициент поглощения CdZnTe-детектора. Ключевые слова: детектор CdZnTe, эффективная энергия, рентгеновское излучение, сопротивление, фототок, фотопроводимость.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.