Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A3B5-гетероструктур
Малевская А.В.
1, Ильинская Н.Д.
1, Задиранов Ю.М.
1, Блохин А.А.
1, Малевский Д.А.
1, Покровский П.В.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Natalia.Ilynskaya@mail.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, bloalex@yandex.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, P.Pokrovskiy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2021 г.
Принята к печати: 31 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 31 октября 2021 г.
Проведены исследования и разработки постростовых технологий изготовления каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge. Рассмотрены этапы формирования антиотражающего покрытия, омических контактов и разделительной меза-структуры. Исследована технология травления контактного слоя n+-GaAs с использованием методов плазмохимического, жидкостного химического и ионно-лучевого травления. Коэффициент отражения излучения от поверхности гетероструктуры с антиотражающим покрытием TiOx/SiO2 (при x, близком к 2) составил менее 3% в диапазоне длин волн 450-850 nm. Величина контактного переходного сопротивления омических контактов n- и p-типов проводимости составила 3·10-5-3·10-6 Ωcm2, достигнуто снижение степени затенения фоточувствительной области при увеличенной проводимости контактных шин. Снижены токи утечки по поверхности мезаструктуры до величин 10-9 A при напряжении менее 1 V. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, омические контакты, антиотражающее покрытие, мезаструктура.
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev. Concentrator Photovoltaics, ed. by A. Luque, V. Andreev. Springer Ser. in Optical Sciences (Springer, Berlin-Heidelberg, 2007), v. 130, p. 25. DOI: 10.1007/978-3-540-68798-6_2
- M.A. Green, E.D. Dunlop, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, N. Kopidakis, X. Hao. Prog. Photovolt. Res. Appl., 29 (1), 3 (2020). DOI: 10.1002/pip.3371
- H. Apostoleris, M. Stefancich, M. Chiesa. Concentrating photovoltaics (CPV): the path ahead. 1st ed. (Springer, 2018)
- У. Моро. Микролитография (Мир, М., 1990)
- H.J. Levinson. Principles of lithography. 3rd ed. (Washington, SPIE, 2010), p. 504
- А.В. Малевская, Ю.М. Задиранов, А.А. Блохин, В.М. Андреев. Письма в ЖТФ, 45 (20), 15 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48386.17916
- Н.А. Калюжный, А.С. Гудовских, В.В. Евстропов, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 44 (11), 1568 (2010)
- О.К. Мокеев, А.С. Романцев. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и микросхем (Высшая школа, М., 1979)
- Microlithography. Science and Technology, ed. by B.W. Smith, K. Suzuki. 2nd ed. (Taylor \& Francis Group, 2007)
- M.E. Levinshtein. Semiconductor Тechnology (Wiley-Interscience publication, USA, 1997)
- A.V. Malevskaya, D.A. Malevski, N.D. Il'inskaya. J. Phys. Conf. Ser., 690 (1), 012039 (2016)
- А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, В.М. Андреев. Письма в ЖТФ, 45 (24), 14 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48795.17953
- Д.И. Соловецкий. Механизмы плазмохимического травления материалов. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Книга III (Наука, М., 2000)
- M. de Lafontaine, E. Pargon, C. Petit-Etienne, G. Gay, A. Jaouad, M.-J. Gour, M. Volatier, S. Fafard, V. Aimez, M. Darnon. Sol. Energ. Mat. Sol. C., 195, 49 (2019). DOI: 10.1016/j.solmat.2019.01.048
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
