Проведены исследования и разработки постростовых технологий изготовления каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge. Рассмотрены этапы формирования антиотражающего покрытия, омических контактов и разделительной меза-структуры. Исследована технология травления контактного слоя n⁺-GaAs с использованием методов плазмохимического, жидкостного химического и ионно-лучевого травления. Коэффициент отражения излучения от поверхности гетероструктуры с антиотражающим покрытием TiO_x/SiO₂ (при x, близком к 2) составил менее 3% в диапазоне длин волн 450-850 nm. Величина контактного переходного сопротивления омических контактов n- и p-типов проводимости составила 3·10^-5-3·10^-6 Ωcm², достигнуто снижение степени затенения фоточувствительной области при увеличенной проводимости контактных шин. Снижены токи утечки по поверхности мезаструктуры до величин 10^-9 A при напряжении менее 1 V. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, омические контакты, антиотражающее покрытие, мезаструктура.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.