Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение характеристик полупроводниковых структур СВЧ-усилителей под воздействием импульсного лазерного излучения
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.14.55224.43-21 
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
Email: pashentsev2001@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 10 июня 2021 г.
Принята к печати: 12 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 2 августа 2021 г.
Исследовано действие импульсного лазерного излучения на изменение параметров полупроводниковых структур полевых транзисторов с затвором Шотки с рабочим диапазоном частот 1.5-8 GHz и интегральных усилителей с рабочим диапазоном частот 0.4-6 GHz. Лазерное излучение с длительностью импульса 25 ns, падающее на кристалл транзистора, создает импульсный фототок. Показано, что амплитуда импульсного фототока в три раза превышает рабочий ток транзистора. Измерены вольт-амперные характеристики полевого транзистора в режиме импульсного лазерного излучения. Исследована зависимость амплитуды импульсного фототока в полупроводниковых структурах от мощности лазерного излучения для длин волн 1.06 и 0.53 μm. Показано, что в результате воздействия импульсного лазерного излучения на полупроводниковые структуры происходит кратковременный срыв усиления высокочастотного сигнала на выходе усилителя. Ключевые слова: лазерное излучение, транзистор, СВЧ-усилитель, фототок, вольт-амперная характеристика.
- А.И. Белоус, В.А. Солодуха, С.В. Шведов. Космическая электроника (Техносфера, М., 2015)
- U. Scheuermann, U. Schilling. IET Power Electron., 9 (10), 2027 (2016). DOI: 10.1049/iet-pel.2015.1003
- B.D. Weaver, D. McMorrow, L.M. Cohn. Int. J. High Speed Electron. Syst., 13, 293 (2003). DOI: 10.1142/S0129156403001624
- H.J. Barnaby. IEEE Tr. Nucl. Sci., 53 (6), 3103 (2006)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, C.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов. ФТП, 54 (9), 968 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49841.35 [E.A. Tarasova, S.V. Obolensky, S.V. Khazanova, N.N. Grigoryeva, O.L. Golikov, A.B. Ivanov, A.S. Puzanov. Semiconductors, 54 (9), 1155 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620090274]
- В.Г. Мокеров, А.А. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
- Д.В. Громов, П.П. Мальцев, С.А. Полевич. ФТП, 50 (2), 223 (2016). [D.V. Gromov, P.P. Maltsev, S.A. Polevich. Semiconductors, 50 (2), 222 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616020093]
- В.В. Елесин. Микроэлектроника, 43 (2), 133 (2014). DOI: 10.7868/S0544126914020057 [V.V. Elesin. Russ. Microelectron., 43 (2), 139 (2014). DOI: 10.1134/S106373971402005X]
- П.К. Скоробогатов, А.Ю. Никифоров, А.Н. Егоров. Микроэлектроника, 44 (1), 12 (2015). DOI: 10.7868/S0544126915010081 [P.K. Skorobogatov, A.Yu. Nikiforov, A.N. Egorov. Russ. Microelectron., 44 (1), 8 (2015). DOI: 10.1134/S1063739715010084]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
