Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния

DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51528.60-21

Переводная версия: 10.21883/TP.2022.14.55220.60-21

Бахадирханов М.К.¹, Исамов С.Б.¹

¹Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Email: bahazeb@yandex.ru, sobir-i@mail.ru

Поступила в редакцию: 15 марта 2021 г.

В окончательной редакции: 23 апреля 2021 г.

Принята к печати: 28 мая 2021 г.

Выставление онлайн: 2 августа 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С формированием бинарных элементарных ячеек на основе элементов A^II и B^VI, A^III и B^V в приповерхностной области кремния была получена гетероваризонная структура, не разрушающая кристаллическую структуру, без поверхностных состояний толщиной около 5 μm. Полученная гетероваризонная структура обладает особыми фундаментальными параметрами, обеспечивающими поглощение света в широком интервале солнечного спектра от УФ до ИК излучения с λ=0.1-3 μm, т. е. охватывает весь спектр Солнца. Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, солнечный элемент, гетероваризонная структура, фотовольтаика, соединения A^II и B^VI, A^III и B^V.

X. Ru, M. Qu, J. Wang, T. Ruan, M. Yang, F. Peng, W. Long, K. Zheng, H. Yan, X. Xu. Solar Energy Mater. Solar Cells, 215, 110643 (2020)
M.A. Green, E.D. Dunlop, D.H. Levi, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, A.W.Y. Ho-Baillie. Progr. Photovoltaics: Res. Applicat., 27, 565 (2019)
V.A. Milichko, A.S. Shalin, I.S. Mukhin, A.E. Kovrov, A.A. Krasilin, A.V. Vinogradov, P.A. Belov, C.R. Simovski. Phys. Usp., 59 (8), 727 (2016)
Ж.И. Алфёров, Избранные труды. Нанотехнологии (Магистр-пресс, М., 2013)
A. Louwen, W. Sark, R.Schropp, A. Faaij. Solar Energy Mater. Solar Cells, 147, 295 (2016)
M. Yamaguchi, K.H. Lee1, K. Araki, N. Kojima. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 133002 (2018)
S. Abdul Hadi, E.A. Fitzgerald, S. Griffiths, A. Nayfeh. J. Renewable Sustainable Energy, 10, 015905 (2018)
М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.Ф. Скачков, Г.И. Юрко, И.И. Нестеренко. ЖТФ, 89 (7), 1071 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18
K. Chen, R. Kapadia, A. Harker, S. Desai, J.S. Kang, S. Chuang, M. Tosun, C.M. Sutter-Fella, M. Tsang, Y. Zeng, D. Kiriya, J. Hazra, S.R. Madhvapathy, M. Hettick, Yu-Ze Chen, J. Mastandrea, M. Amani, S. Cabrini, Yu-Lun Chueh, J.W. Ager III, D.C. Chrzan, A. Javey. Nature Commun., 7, 10502 (2016). DOI: 10.1038/ncomms10502
Н.Д. Гудков. ЖТФ, 63 (5), 105 (1993)
C.-X. Zhao, Y. Huang, J.-Q. Wang, C.-Y. Niu, Y. Jia. Phys. Lett. A. 383, 125903 (2019)
M.K. Bakhadyrhanov, U.X. Sodikov, D. Melibayev, Tuerdi Wumaier, S.V.Koveshnikov, K.A. Khodjanepesov, Jiangxiang Zhan. J. Mater. Sci. Chem. Eng., 6, 180 (2018). DOI: 10.4236/msce.2018.64017
M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, K.U. Kamalov. Appl. Sol. Energy, 50 (2), 61 (2014)
M.K. Bakhadyrhanov, U.X. Sodikov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, T. Wumaier, Mater. Phys. Chem., 1, 89 (2019)
S. Adachi. Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors (England: John Wiley \& Sons Ltd, 2005)
Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Наука, Л., 1972)
D.V. Saparov, M.S. Saidov, A.S. Saidov. Appl. Solar Energy. 52 (3), 236 (2016)
A.S. Saidov, M.S. Saidov, Sh.N. Usmonov, K.T. Kholikov, D. Saparov. Appl. Solar Energy, 43 (3), 183 (2007)
S. Haridoss, F. Beni\`ere, M. Gauneau, A. Rupert. J. Appl. Phys., 51 (11), 5833 (1980)
Y. Sato, I. Sakaguchi, H. Haneda. Jpn. J. Appl. Phys., 43 (12), 8024 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель