Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация режимов изготовления пленок Nb, NbN, NbTiN и высококачественных туннельных переходов на их основе для приемных структур терагерцевого диапазона

DOI: 10.21883/JTF.2021.10.51373.135-21

Переводная версия: 10.21883/TP.2022.13.52234.135-21

Чекушкин А.М.¹, Филиппенко Л.В.¹, Ломов А.А.², Liu Dong³, Shi Sheng-Cai³, Кошелец В.П.¹

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия Valiev Institute of Physics and Technology of RAS, Moscow, Russia

³Purple Mountain Observatory, CAS, 2 West Beijing Rd, Nanjing, China

Email: chekushkin@hitech.cplire.ru

Поступила в редакцию: 11 мая 2021 г.

В окончательной редакции: 11 мая 2021 г.

Принята к печати: 11 мая 2021 г.

Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Описана оптимизация существующей технологии изготовления сверхпроводящих пленок и высококачественных туннельных переходов на установке магнетронного распыления. Для расширения частотного диапазона до 1 THz и получения предельных параметров сверхпроводниковых элементов были оптимизированы режимы изготовления пленок Nb, NbN и NbTiN. Для создания приемных элементов на частоты выше 700 GHz туннельные переходы сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник Nb/Al-AlN/NbN включаются в микрополосковую линию NbTiN-SiO₂-Al. Такие структуры разрабатываются для матричного приемника на телескопе Atacama Pathfinder Experiment и ряда других радиоастрономических проектов. Ключевые слова: сверхпроводимость, туннельные переходы, магнетронное напыление, тонкие пленки.

A.R. Kerr, S.K. Pan, S.M.X. Claude, P. Dindo, A.W. Lichtenberger, J.E. Effand, E.F. Lauria. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 4 (2), 201 (2014). DOI: 10.1109/TTHZ.2014.2302537
A.M. Baryshev, R. Hesper, F.P. Mena, T.M. Klapwijk, M.R. Hogerheijde, B.D. Jackson, J. Adema, G.J. Gerlofsma, M.E. Bekema, J. Barkhof, L.H.R. de Haan-Stijkel, M. van den Bemt, A. Koops, K. Keizer, C. Pieters, J. Koops van het Jagt, H.H.A. Schaeffer, T. Zijlstra, M. Kroug, C.F. Lodewijk, K. Wielinga, W. Boland, M.W.M. de Graauw, E.F. van Dishoeck, H. Jager, W. Wild. Astron. Astrophys., 577, A129 (2015). DOI: 10.1051/0004-6361/201425529
B.D. Jackson, G. de Lange, T. Zijlstra, M. Kroug, T.M. Klapwijk. J. Appl. Phys., 97, 113904 (2005). DOI: 10.1063/1.1927281
B.D. Jackson, G. de Lange, T. Zijlstra, M. Kroug, J.W. Kooi, J.A. Stern, T.M. Klapwijk. IEEE Trans. Microw. Theory Techn., 54 (2), 547 (2006). DOI: 10.1109/TMTT.2005.862717
Y. Uzawa, M. Kroug, T. Kojima, K. Makise, A. Gonzalez, S. Saito, Y. Fujii, K. Kaneko, H. Terai, Z. Wang. IEEE Trans. Appl. Supercond., 27 (4), 500705 (2017). DOI: 10.1109/TASC.2016.2632628
J.I. Langford, A.J.C. Wilson, J. Scherrer. Appl. Cryst., 11 (2), 102 (1978). DOI: 10.1107/S0021889878012844
A.B. Ermakov, S.V. Shitov, A.M. Baryshev, V.P. Koshelets, W. Luinge. IEEE Transact. Appl. Superconduct., 11 (1), 840 (2001). DOI: 10.1109/77.919475
H. A.Huggins, M. Gurwitch. J. Appl. Phys., 57, 2103 (1983). DOI: 10.1063/1.334403
S. Morohashi, F. Shinoki, A. Shoji, M. Aoyagi, H. Hayakawa. Appl. Phys. Lett., 46, 2103 (1985). DOI: 10.1063/1.95696
P.N. Dmitriev, I.L. Lapitskaya, L.V. Filippenko, A.B. Ermakov, S.V. Shitov, G.V. Prokopenko, S.A. Kovtonyuk, V.P. Koshelets. IEEE Trans. Appl. Supercond., 13 (2), 107 (2003). DOI: 10.1109/TASC.2003.813657
M.Yu. Torgashin, V.P. Koshelets, P.N. Dmitriev, A.B. Ermakov, L.V. Filippenko, P.A. Yagoubov. IEEE Trans. Appl. Supercond., 17 (2), 379 (2007). DOI: 10.1109/TASC.2007.898624
A. Khudchenko, A.M. Baryshev, K. Rudakov, P.N. Dmitriev, R. Hesper, L. de Jong, V.P. Koshelets. IEEE Trans. on THz Sci. Technol., 6 (1), 127 (2016). DOI: 10.1109/TTHZ.2015.2504783
B. Bumble, H.G. LeDuc, J. Stern. Proc. of the 9th Int. Symp. on Space THz Technol., CIT, PC, 295, (1998)
A.W. Kleinsasser, R.E. Miller, W.H. Mallison, G.B. Arnold. Phys. Rev. Lett., 72 (11), 1738 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevLett.72.1738

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель