Оптимизация режимов изготовления пленок Nb, NbN, NbTiN и высококачественных туннельных переходов на их основе для приемных структур терагерцевого диапазона
Чекушкин А.М.1, Филиппенко Л.В.1, Ломов А.А.2, Liu Dong3, Shi Sheng-Cai3, Кошелец В.П.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
3Purple Mountain Observatory, CAS, 2 West Beijing Rd, Nanjing, China
Email: chekushkin@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 11 мая 2021 г.
Принята к печати: 11 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.
Описана оптимизация существующей технологии изготовления сверхпроводящих пленок и высококачественных туннельных переходов на установке магнетронного распыления. Для расширения частотного диапазона до 1 THz и получения предельных параметров сверхпроводниковых элементов были оптимизированы режимы изготовления пленок Nb, NbN и NbTiN. Для создания приемных элементов на частоты выше 700 GHz туннельные переходы сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник Nb/Al-AlN/NbN включаются в микрополосковую линию NbTiN-SiO2-Al. Такие структуры разрабатываются для матричного приемника на телескопе Atacama Pathfinder Experiment и ряда других радиоастрономических проектов. Ключевые слова: сверхпроводимость, туннельные переходы, магнетронное напыление, тонкие пленки.
- A.R. Kerr, S.K. Pan, S.M.X. Claude, P. Dindo, A.W. Lichtenberger, J.E. Effand, E.F. Lauria. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 4 (2), 201 (2014). DOI: 10.1109/TTHZ.2014.2302537
- A.M. Baryshev, R. Hesper, F.P. Mena, T.M. Klapwijk, M.R. Hogerheijde, B.D. Jackson, J. Adema, G.J. Gerlofsma, M.E. Bekema, J. Barkhof, L.H.R. de Haan-Stijkel, M. van den Bemt, A. Koops, K. Keizer, C. Pieters, J. Koops van het Jagt, H.H.A. Schaeffer, T. Zijlstra, M. Kroug, C.F. Lodewijk, K. Wielinga, W. Boland, M.W.M. de Graauw, E.F. van Dishoeck, H. Jager, W. Wild. Astron. Astrophys., 577, A129 (2015). DOI: 10.1051/0004-6361/201425529
- B.D. Jackson, G. de Lange, T. Zijlstra, M. Kroug, T.M. Klapwijk. J. Appl. Phys., 97, 113904 (2005). DOI: 10.1063/1.1927281
- B.D. Jackson, G. de Lange, T. Zijlstra, M. Kroug, J.W. Kooi, J.A. Stern, T.M. Klapwijk. IEEE Trans. Microw. Theory Techn., 54 (2), 547 (2006). DOI: 10.1109/TMTT.2005.862717
- Y. Uzawa, M. Kroug, T. Kojima, K. Makise, A. Gonzalez, S. Saito, Y. Fujii, K. Kaneko, H. Terai, Z. Wang. IEEE Trans. Appl. Supercond., 27 (4), 500705 (2017). DOI: 10.1109/TASC.2016.2632628
- J.I. Langford, A.J.C. Wilson, J. Scherrer. Appl. Cryst., 11 (2), 102 (1978). DOI: 10.1107/S0021889878012844
- A.B. Ermakov, S.V. Shitov, A.M. Baryshev, V.P. Koshelets, W. Luinge. IEEE Transact. Appl. Superconduct., 11 (1), 840 (2001). DOI: 10.1109/77.919475
- H. A.Huggins, M. Gurwitch. J. Appl. Phys., 57, 2103 (1983). DOI: 10.1063/1.334403
- S. Morohashi, F. Shinoki, A. Shoji, M. Aoyagi, H. Hayakawa. Appl. Phys. Lett., 46, 2103 (1985). DOI: 10.1063/1.95696
- P.N. Dmitriev, I.L. Lapitskaya, L.V. Filippenko, A.B. Ermakov, S.V. Shitov, G.V. Prokopenko, S.A. Kovtonyuk, V.P. Koshelets. IEEE Trans. Appl. Supercond., 13 (2), 107 (2003). DOI: 10.1109/TASC.2003.813657
- M.Yu. Torgashin, V.P. Koshelets, P.N. Dmitriev, A.B. Ermakov, L.V. Filippenko, P.A. Yagoubov. IEEE Trans. Appl. Supercond., 17 (2), 379 (2007). DOI: 10.1109/TASC.2007.898624
- A. Khudchenko, A.M. Baryshev, K. Rudakov, P.N. Dmitriev, R. Hesper, L. de Jong, V.P. Koshelets. IEEE Trans. on THz Sci. Technol., 6 (1), 127 (2016). DOI: 10.1109/TTHZ.2015.2504783
- B. Bumble, H.G. LeDuc, J. Stern. Proc. of the 9th Int. Symp. on Space THz Technol., CIT, PC, 295, (1998)
- A.W. Kleinsasser, R.E. Miller, W.H. Mallison, G.B. Arnold. Phys. Rev. Lett., 72 (11), 1738 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevLett.72.1738
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
