Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов

DOI: 10.21883/JTF.2021.07.50946.312-20

Калиновский В.С.¹, Контрош Е.В.¹, Гребенщикова Е.А.¹, Андреев В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: kontrosh@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 13 ноября 2020 г.

В окончательной редакции: 26 января 2021 г.

Принята к печати: 3 февраля 2021 г.

Выставление онлайн: 21 марта 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что архитектура мезы и достигнутое качество боковых поверхностей мезаструктуры концентраторных многопереходных солнечных элементов обеспечивает повышение их эффективности до 36.7% при кратности концентрации до 100x(АМ0; 0.136 W/cm²). Создание архитектуры мезаструктур с последующим разделением эпитаксиальных пластин монолитных InGaP/Ga(In)As/Ge-наногетероструктур на чипы проводилось методом одноэтапного химического травления в растворе НВr:H₂O₂:H₂O (8:1:100), через маску из фоторезиста на глубину 12-18 μm. Определены условия одноэтапного травления, обеспечивающие формирование гладкой и ровной боковой поверхности мезы InGaP/Ga(In)As/Ge-наногетероструктуры, содержащей различные по составу и толщинам слои. Определение энергии активации показало, что травление протекает в диффузионной области гетерогенного процесса. При повышении температуры травителя с 2 до 36^oС наблюдается изменение угла наклона в области Ge-подложки с 4.5 до 25^o, что позволяет оптимизировать количество концентраторных солнечных элементов и их качество при финальном механическом разделении эпитаксиальной пластины на чипы. Ключевые слова: многопереходные солнечные элементы, InGaP/Ga(In)As/Ge-структуры, эффективность, химическое травление А^IIIB^V, Ge-подложка.

Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev. Springer Series Opt. Sci., 140, 101 (2008)
E.V. Kontrosh, V.S. Kalinovskiy, G.A. Gusev, A.N. Sumarokov, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.S. Yuferev, T.S. Tabarov, V.M. Andreev. IOP Conf. Series: J. Phys.: Conf. Series 993 (2018)
S. Fafard, M.C.A. York, F. Proulx, C.E. Valdivia, M.M. Wilkins, R. Ares, V. Aimez, K. Hinzer, D.P. Masson. Appl. Phys. Lett., 108, 071101 (2016)
В.А. Миличко, А.С. Шалин, И.С. Мухин, А.Э. Ковров, А.А. Красилин, А.В. Виноградов, П.А. Белов, К.Р. Симовский. УФН, 186 (8), 801 (2016).
V.S. Kalinovsky, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, P.V. Pokrovsky, V.M. Andreev. Proc. 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Valencia, Spain, 2010), p. 979
Wei-Sheng Lei, Ajay Kumar, Rao Yalamanchili. J. Vacuum Sci. Technol. B, 30, 040801 (2012)
D. Smoczynski, K. Czuba, E. Papis-Polakowska, P. Kozlowski, J. Ratajczak, Iwona Sankowska, A. Jasik. Mater. Sci. Semicond. Proces., 118, 105219 (2020). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105219
Я.В. Левицкий, М.И. Митрофанов, Г.В. Вознюк, Д.Н. Николаев, М.Н. Мизеров, В.П. Евтихиев. ФТП, 53 (11), 1579 (2019). [Ya.V. Levitskii, M.I. Mitrofanov, G.V. Voznyuk, D.N. Nikolayev, M.N. Mizerov, V.P. Evtikhiev. Semiconductors, 53 (11), 1545 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063782619110101]
В.М. Андреев, Е.А. Гребенщикова, П.А. Дмитриев, Н.Д. Ильинская, В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, А.В. Малевская, А.А. Усикова. ФТП, 48 (9), 1249 (2014). [V.M. Andreev, E.A. Grebenshchikova, P.A. Dmitriev, N.D. Ilinskaya, V.S. Kalinovsky, E.V. Kontrosh, A.V. Malevskaya, A.A. Usikova. Semiconductors, 48 (9), 1217 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063782614090024]
В.В. Мамутин, В.М. Устинов, J. Boetthcher, H. Kuenzel. ФТП, 44 (7), 995 (2010). [V.V. Mamutin, V.M. Ustinov, J. Boetthcher, H. Kuenzel. Semiconductors, 44 (7), 962 (2010). https://doi.org/10.1134/S1063782610070225]
A. Turala, A. Jaouad, D.P. Masson, S. Fafard, R. Ares, V. Aimez. "Isolation of IIIV/Ge Multijunction Solar Cells by Wet Etching", Hindawi Publishing Corporation International Journal of Photoenergy, 2013, Article ID 583867, 7 p. http://dx.doi.org/10.1155/2013/583867
А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды (Физматкнига, М., 2011), 445 с. ISBN 878-5-89153-203-6
M. Razeghi. A Survey of GaInAsP-InP for Photonic and Electronic Applications The MOCVD Challenge (IOP Publishing Ltd., 1989), v. 1, p. 277
Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.matprop.ru
В.В. Мамутин, Н.Д. Ильинская, Д.А. Бедарев, Р.В. Левин, Б.В. Пушный. ФТП, 48 (8), 1132 (2014). [V.V. Mamutin, N.D. Ilyinskaya, D.A. Bedarev, R.V. Levin, B.V. Pushnyi. Semiconductors, 48 (8), 1103 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063782614080181]
D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, K. Kohler. APL, 93, 221106 (2008)
Q. Song, H. Cao, S.T. Ho, G.S. Solomon. APL, 94, 061109 (2009)
B.V. Nekrasov. Osnovy obshchei khimii v 2-kh tomakh, (Fundamentals of General Chemistry in 2 vols.) (in Russian), (Khimiya, M., 1973 vol. I, p. 273)
И.А. Дибров. Неорганическая химия (Лань, СПб., 2001) 432 с. ISBN 5-8114-0325-9]
A.G. Stromberg, D.P. Semchenko. Fizicheskaya Khimiya (in Russian), (Moscow, 2001)
В.А. Сычик. Технология сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем (БНТУ, Минск, 2014)
A.V. Malevskaya, N.D. Il'inskaya, V.M. Andreev. Pis'ma v Zh. Tekh. Fiz., 45 (24), 14 (2019)
L. Esaki. Phys. Rev. 109 (2), 603 (1958)
Chih-Tang Sah, Robert N. Noyce, William Shockley. Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics, Proceedings of the IRE, p. 1228 (1957).
W. Shockley. The Bell System Tech. J. 28 (3), 435 (1949)
D.M. Demidov, A.L. Ter-Martirosyan, K.A. Bulashevich, O.V. Khokhlev, S.Yu. Karpovzh-l, Nauchnoe priborostroenie, 23 (2), 129 (2013)
В.П. Коняев, А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, Т.А. Багаев, М.В. Зверков, В.В. Кричевский, А.А. Падалица, С.М. Сапожников, В.А. Симаков. ФТП, 48 (1), 104 (2014). [V.P. Konyaev, A.A. Marmalyuk, M.A. Ladugin, T.A. Bagaev, M.V. Zverkov, V.V. Krichevsky, A.A. Padalitsa, S.M. Sapozhnikov, V.A. Simakov. Semiconductors, 48 (1), 99 (2014).]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель