Вышедшие номера
Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов
Бахадырханов М.К. 1, Кенжаев З.Т. 2
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Email: bahazeb@yandex.com, Zoir1991@bk.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 2 декабря 2020 г.
Принята к печати: 8 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 23 февраля 2021 г.

Исследована стабильность обогащенного никелем поверхностного слоя кремния при термообработках. При термообработках ниже 900oC обогащенный никелем слой сохраняется. Установлено, что легирование кремниевого фотоэлемента никелем приводит к улучшению эффективности независимо от глубины залегания p-n-перехода. Оптимальные условия диффузии никеля в кремний - T=800-850oC, t=30 min. Наблюдался рост тока короткого замыкания фотоэлементов, легированных никелем, во всей исследованной области спектра. Показано, что легирование никелем до формирования p-n-перехода фотоэлемента является более эффективным и технологичным. Улучшение параметров фотоэлемента при легировании никелем в основным связано с свойствами поверхностного слоя. Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, легирование никелем, диффузия, термоотжиг, кластер, поверхностный слой.
  1. М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников. Письма в ЖТФ, 45 (19), 3 (2019). [M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, S.V. Koveshnikov. Tech. Phys. Lett., 45 (10), 959 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100031]
  2. M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, D. Melebaev, Kh.F. Zikrillayev, G.A. Ikhtiyarova. Appl. Solar Energy., 56 (1), 13 (2020). DOI: 10.3103/S0003701X2001003X
  3. J. Lindroos, D.P. Fenning, D.J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S.K. Estreicher, H. Savin, T. Buonassisi. J. Appl. Phys., 113, 204906 (2013). DOI: 10.1063/1.4807799
  4. F.H.M. Spit, D. Gupta, K.N. Tu. Phys. Rev. B, 39 (2), 1255 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1255
  5. M.K. Bahadirkhanov, B.K. Ismaylov, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev, S.B. Isamov. Intern. J. Adv. Sci. Technol., 29 (9s), 6308 (2020)
  6. V.L. Mazalova, O.V. Farberovich, A.V. Soldatov. J. Phys.: Conf. Series, 640, 012025 (2015). DOI:10.1088/1742-6596/640/1/012025
  7. М.К. Бахадирханов, Б.К. Исмайлов. Приборы, 6 (240), 44 (2020)
  8. А.С. Астащенков, Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Доклады БГУИР, 8 (38), 37 (2018)
  9. D.J. Backlund, S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 81, 235213 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235213
  10. D.J. Fisher. Diffusion in Silicon 10 Years of Research (Scitec publications, 2010)
  11. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Наука, Л., 1972)
  12. Е.П. Неустроев, С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Л.Н. Сафронов. ФТП, 38 (7), 791 (2004). [E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, I.V. Antonova, L.N. Safronov. Semiconductors, 38 (7), 758 (2004). DOI: 10.1134/1.1777595]
  13. В.И. Орлов, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов. ФТП, 53 (4), 433 (2019). [V.I. Orlov, N.A. Yarykin, E.B. Yakimov. Semiconductors, 53 (4), 411 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47672.9020]
  14. И.Б. Чистохин, К.Б. Фрицлер. Письма в ЖТФ, 46 (21), 11 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.21.50188.18455
  15. V.V. Hung, P.T.T. Hong, B.V. Khue. Proc. Natl. Conf. Theor. Phys., 35, 73 (2010)
  16. И.Е. Панайотти, Е.И. Теруков, И.С. Шахрай. Письма в ЖТФ, 46 (17), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49883.18377
  17. M.A. Green, Y. Hishikawa, W. Wart, et al. (version 54), Prog Photovolt Res Appl., 27, 565 (2019). https://doi.org/10.1002/pip.3171
  18. Б.И. Фукс. ФТП, 48 (12), 1704 (2014)
  19. А.Г. Рябухин, Е.Г. Новоселова, И.И. Самарин. Вестник ЮУрГУ, 10, 34 (2005)
  20. A.A. Istratov, P. Zhang, R.J. McDonald, A.R. Smith, M. Seacrist, J. Moreland, J. Shen, R. Wahlich, E.R. Weber. J. Appl. Phys., 97 (02), 023505 (2005). DOI: 10.1063/1.1836852

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.