Определение толщин в карбидкремниевых структурах методом частотного анализа спектра отражения
Панов М.Ф.1, Павлова М.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: 19_panov_59@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 3 декабря 2020 г.
Принята к печати: 7 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 8 января 2021 г.
Разработана методика определения толщин после получения одно- и многослойных карбидкремниевых структур методом частотного анализа спектра инфракрасного отражения, на форму которого влияет спектральная интерференция в слоях и группах слоев. Анализ спектра выполнен в программном пакете LabView. Представлены результаты, полученные как для модельных структур, расчетный спектр отражения которых определялся с использованием диэлектрической функции, учитывавшей реакцию колебаний решетки и свободных носителей заряда, так и для экспериментальных спектров реальных многослойных структур приборов силовой электроники. Ключевые слова: слой, отражение, интерференция, спектр.
- В.В. Лучинин Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ". Наноиндустрия, 3 (65), 78 (2016)
- В.В. Лучинин Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ". Наноиндустрия, 4 (66), 40 (2016)
- S. Oishi, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida. Jpn Society Appl. Phys., 45-46, p. L1226 (2006)
- L. Zhi-Yun, S. Ji-Wei, Z. Yu-Ming, et al. Chinese Phys. Lett., 27 (6), 068103( 2010)
- D. Lin, S. Guo-Sheng, Z. Liu, et al. Chinese Phys. B, 21 (4), 047802 (2012)
- L. Dong, G. Sun, L. Zheng, et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 245102 (2012)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (Наука, М., 1977)
- А.В. Марков, М.Ф. Панов, В.П. Растегаев, Е.Н. Севостьянов, В.В. Трушлякова. ЖТФ, 89 (12), 1869 (2019)
- Handbook of optical constants of solids, ed. E.D. Palik. (Academic, San Diego, 1998), p. 999
- М.Ф. Панов, В.П. Растегаев, С.А. Корлякова. ЖТФ, 84 (8), 151 (2014)
- В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (Радио и связь, М., 1985), 264 с
- K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, et. al. Jpn. J. Appl. Phys. А, 43 (8), 5151(2004)
- М.Ф. Панов, Ф.Е. Рыбка, В.П. Растегаев. Определение кинетических параметров носителей в карбидокремниевых структурах методом моделирования спектров ИК отражения--V междисциплинарный научный форум с международным участием "Новые материалы и перспективные технологии" (Сборник материалов, М., 2019), т. 1, с. 377. (http://n-materials.ru/wp-content/uploads /2019 /12/2019- %D0%A2%D0%9E%D0%9C-1.pdf)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
