Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2021, выпуск 1 » Статья стр. 76
<<<>>>
Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности
DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50276.447-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784221010114
Иванов А.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2018 г.
В окончательной редакции: 5 июля 2020 г.
Принята к печати: 20 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.
PDF версия
Представлены результаты тестирования деградации светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Наблюдалось увеличение внешней квантовой эффективности выше исходной величины после пропускания тока 150-170 mА. Рассмотрены возможные физические процессы, приводящие к изменению квантовой эффективности и росту низкочастотного шума. Ключевые слова: деградация светодиодов, возрастание квантовой эффективности, низкочастотный шум.
  1. M. La Grassa, M. Meneghini, C. De Santi, M. Mandurrino, M. Goano, F. Bertazzi, R. Zeisel, B. Galler, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectronics Reliability, 55, 1775 (2015)
  2. D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 16 (2), 213 (2016)
  3. C.G. Moe, M.L. Reed, G.A. Garrett, A.V. Sampath, T. Alexander, H .Shen, M. Wraback, Y. Bilenko, M. Shatalov, J. Yang, W. Sun, J. Deng, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 96, 213512 (2010)
  4. C. De Santi, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectronics Reliability, 64, 623 (2016)
  5. N. Trivellin, D. Montia, C. De Santi, M. Buffoloa, G. Meneghessoa, E. Zanonia, M. Meneghinia. Microelectronics Reliability, 88- 90, 868 (2018)
  6. M. La Grassa, M. Meneghini, C. De Santi, E. Zanoni, G. Meneghesso. Microelectronics Reliability, 64, 614 (2016)
  7. Z. Yatabe, J.T. Asubar, T. Hashizume. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 393001 (2016)
  8. Б.И. Якубович. Надежность, 17 (2), 31 (2017). [B.I. Yakubovich. Dependability, 17 (2), 31 (2017). (In Russ.)  https://doi.org/10.21683/1729-2646-2017-17-2-31-35]
  9. Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, В.С. Коготков, Ю.Т. Ребане, М.В. Вирко, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49 (6), 847 (2015). [N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, V.S. Kogotkov, Y.T. Rebane, M.V. Virko, Y.G. Shreter. Semicond., 49 (6), 827 (2015).]
  10. Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 53 (1), 104 (2019). [N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. Semicond., 53 (1), 99 (2019).]
  11. Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, В.А. Тарала, Ю.Г. Шретер. Письма в ЖТФ, 42 (22), 1 (2016). [N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, V.A. Tarala, Y.G. Shreter. Tech. Phys. Lett., 42 (11), 1099 (2016).]
  12. N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, A.S. Zubrilov, Y.S. Lelikov, P.E. Latyshev, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 96, 133502 (2010)
  13. S. Nakamura, M. Senon, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L 1332 (1995)
  14. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49 (12), 1714 (2015). N.I. Bochkareva, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter. Semicond., 49 (12), 1665 (2015).]
  15. А.А. Ефремов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40 (5), 621 (2006). [A.A. Efremov, N.I. Bochkareva, R.I. Gorbunov, D.A. Lavrinovich, Y.T. Rebane, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter. Semicond., 40 (5), 605 (2006).]
  16. Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Т. Ребане, А.С. Белов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 42 (11), 1384 (2008). [N.I. Bochkareva, R.I. Gorbunov, A.V. Klochkov, Y.S. Lelikov, I.A. Martynov, Y.T. Rebane, A.S. Belov, Y.G. Shreter. Semicond., 42 (11), 1355 (2008).]
  17. Ф. Шуберт. Светодиоды (Физматлит, М., 2008)
  18. A. David, C.A. Hurni, N.G. Young, M.D. Craven. Appl. Phys. Lett., 109, 083501 (2016)
  19. D. Zhu, J. Xu, A. Noemaun, J. Kim, E. Schubert, M. Crawford, D. Koleske. Appl. Phys. Lett., 94, 081113 (2009)
  20. G. Meneghesso, M. Meneghini, E. Zanoni. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354007 (2010)
  21. J. Hu, L. Yang, M.W. Shin. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 035107 (2008)
  22. M. Meneghini, G. Meneghesso, N. Trivellin, E. Zanoni, K. Orita, M. Yuri, D. Ueda. IEEE Electron Device Lett., 29 (6), 578 (2008)
  23. M. Meneghini, N. Trivellin, K. Orita, S. Takigawa, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda, E. Zanoni, G. Meneghesso. IEEE Electron Device Lett., 30 (4), 356 (2009)
  24. D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, J. Glaab, J. Rass, S. Einfeldt, F. Mehnke, J. Enslin, T. Wernicke, M. Kneissl. IEEE Trans. Electron Devices, 64 (1), 200 (2017)
  25. J. Glaab, J. Haefke, J. Ruschel, M. Brendel, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Guttmann, C. Kuhn, J. Enslin, T. Wernicke, M. Kneissl. J. Appl. Phys., 123, 104502 (2018)
  26. J. Glaab, J. Ruschel, T. Kolbe, A. Knauer, J. Rass, H.K. Cho, N. Lobo Ploch, S. Kreutzmann, S. Einfeldt, M. Weyers, M. Kneissl. IEEE Photonics Technol. Lett., 31 (7), 529 (2019)
  27. E. Fabris, M. Meneghini, C. De Santi, Z. Hu, W. Li, K. Nomoto, X. Gao, D. Jena, H.G. Xing, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectronics Reliability, 88- 90, 568 (2018)
  28. C. De Santi, M. Meneghini, N. Trivellin, S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, G. Meneghesso, E. Zanoni. Appl. Phys. Lett., 105, 213506 (2014)
  29. T.T. Chen, C.P. Wang, H.K. Fu, P.T. Chou, S.P. Ying. Opt. Express., 22 (S5), A1328 (2014)
  30. K.C. Yung, H. Liem, H.S. Choy, W.K. Lun. J. Appl. Phys., 109, 094509 (2011)
  31. J. Fu, L. Zhao, H. Cao, X. Sun, B. Sun, J. Wang, J. Li. AIP Advances, 6, 055219 (2016)
  32. S. Bychikhin, D. Pogany, L.K.J. Vandamme, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 97, 123714 (2005)
  33. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25 (12), 2065 (1991). [N.V. D'yakonova, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Sov. Phys. Semicond., 25 (12), 1241 (1991).]
  34. S. Sawyer, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, N. Pala, Yu. Bilenko, J.P. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, R. Gaska. J. Appl. Phys., 100, 034504 (2006)
  35. F.N. Hooge. Physica, 60, 130 (1972)
  36. Г.П. Жигальский. УФН, 173 (5), 465 (2003). [G.P. Zhigal'skii. PHYS-USP, 46 (5), 449 (2003).]
  37. B. v Saulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas. Acta Phys. Pol. A, 119 (4), 514 (2011)
  38. L. Wang, W. He, T. Zheng, Z. Chen, S. Zheng. Superlattice Microst., 133, 106188 (2019)
  39. N. Liu, H. Gu, Y. Wei, S. Zheng. Superlattice Microst., 141, 106492 (2020)
  40. X. Wang, H.-Q. Sun, Z.-Y. Guo. Opt. Mater., 86, 133 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme