Вышедшие номера
Исследования проводящих и сегнетоэлектрических свойств BZT-пленок
Переводная версия: 10.1134/S1063784220120105
Russian Foundation for Basic Research, 18-32-00092
Ministry of Education and Science of the Russian Federation , 14.621.21.0013
Гущина Е.В. 1, Бородин Б.Р.1, Шаров В.А. 1, Осипов В.В. 1, Павлов С.И. 1, Яговкина М.А. 1, Дунаевский М.С. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: katgushch@yandex.ru, brborodin@gmail.com, vl_sharov@mail.ru, shao_90@mail.ru, Pavlov_sergey@mail.ioffe.ru, 190121ljvf@gmail.com, Mike.Dunaeffsky@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 23 мая 2020 г.
Принята к печати: 5 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2020 г.

С помощью контактной проводящей сканирующей зондовой микроскопии и микроскопии пьезоотклика исследованы процессы локальной поляризации в тонких пленках BaTi1-xZrxO3. Установлена связь направления созданных доменов и величины протекающих токов. Найдена величина остаточной поляризации, а с помощью сканирующей зондовой микроскопии измерена петля гистерезиса и определены значения пьезомодуля dzz и значение коэрцитивного поля Ec для этих пленок. Ключевые слова: тонкие сегнетоэлектрические BZT-пленки, сканирующая зондовая микроскопия, карты распределения токов, сигнал пьезоотклика, петля гистерезиса.
  1. О.Г. Вендик. ФТТ, 51 (7), 1441 (2009). [O.G. Vendik. Phys. Solid State, 51 (7), 1529 (2009).]
  2. S. Gevorgian. Ferroelectrics in microwave devices, circuits and systems. (Springer, London, 2009), p. 396
  3. T. Maiti, R. Guo, A.S. Bhalla. Appl. Phys. Lett. 89, 122909 (2006)
  4. W.S. Choi, B.S. Jang, D-G. Lim, J. Yi, B. Hong. J. Crystal Growth, 237- 239, 438 (2002)
  5. Л.А. Делимова, Е.В. Гущина, Н.В. Зайцева, Д.С. Серегин, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ, 60 (3), 547 (2018). [L.A. Delimova, E.V. Gushchina, N.Z. Zaitseva, D.S. Seregin, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. Phys. Solid State, 60 (3), 553 (2018)]
  6. J. Qiana, P. Hu, Ch. Liu, J. Jiang, Zh. Dan, J. Ma, Y. Lin, Ce-Wen Nan, Y. Shen. Science Bulletin, 63 (6), 356 (2018)
  7. M. Kumari, D.G.B. Diestra, R. Katiyar, J. Shah, R.K. Kotnala, R. Chatterjee. J. Appl. Phys., 121, 034101 (2017)
  8. Q.R. Lin, D.Y. Wang, B.C. Luo, R. Ding, D.L. Lorenzen, S. Li. Appl. Surf. Sci., 331 477 (2015)
  9. D. Wu, Ph. Sciau, S. Schamm, F. Gloux, M.V. Fernandez. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 4701 (2007)
  10. V.V. Shvartsman, D.C. Lupascu. J. Am. Ceram. Soc., 95, 1 (2012)
  11. S.J. Kuang, X.G. Tang, L.Y. Li, Y.P. Jiang, Q.X. Liu. Scripta Mater., 61, 68 (2009)
  12. W.F. Qin, J. Xiong, J. Zhu, J.L. Tang, W.J. Jie, Y. Zhang, Y.R. Li. J. Mater Sci., 43, 409 (2008)
  13. А.В. Анкудинов, А.Н. Титков. ФТТ, 47 (6), 1110 (2005). [A.V. Ankudinov, A.N. Titkov. Phys. Solid State, 47 (6), 1148 (2005).]
  14. Л.А. Делимова, Е.В. Гущина, В.С. Юферев, И.В. Грехов.  ФТТ, 56 (12), 2366 (2014). [L.A. Delimova, E.V. Gushchina, V.S. Yuferev, I.V. Grekhov. Phys. Solid State, 56 (12), 2451 (2014).]
  15. Ch.H. Jung, S.Ih. Woo. Thin Solid Films, 519, 3291 (2011)
  16. F.M. Pontes, M.T. Escote, C.C. Escudeiro, E.R. Leite, E. Londo. J. Appl. Phys., 96 (8), 4386 (2004)
  17. T.B. Wu, C.M. Wu, M.L. Chen. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2659 (1996)
  18. J.Z. Xin, C.W. Leung, H.L.W. Chan. Thin Solid Films, 519, 6313 (2011)
  19. V. Thery, Al. Bayart, J-F. Blach, P. Roussel, S. Saitzeka. Appl. Surf. Sci., 351, 480 (2015)
  20. W.J. Jie, J. Zhu, W.F. Qin, X.H. Wei, J. Xiong, Y. Zhang, A. Bhalla, Y.R. Li. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 2854 (2007)
  21. A.R.E. James, C. Prakash. Appl. Phys. Lett., 84, 1165 (2004)
  22. X.G. Tang, Q.X. Liu, Y.P. Jiang. J. Appl. Phys., 100, 114105 (2006)
  23. F. Guo, X. Wu, Qingshan Lu, Sh. Zhao. Ceramics International, 44, 2803 (2018)
  24. J. Zhai, X. Yao, J. Shen, L. Zhang, H. Chen. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 748 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.