Вышедшие номера
Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Министерство науки и высшего образования Российской федерации, проект тематики научных исследований, 2019-1442
Гладышев А.Г. 1, Бабичев А.В. 1, Андрюшкин В.В. 1, Денисов Д.В.2, Неведомский В.Н. 3, Колодезный Е.С. 1, Новиков И.И. 1, Карачинский Л.Я. 1, Егоров А.Ю.
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях", Санкт-Петербург, Россия
Email: glad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2020 г.
Принята к печати: 13 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2020 г.

Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95-0.97 μm при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3·1010 cm-2. Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.
  1. N. Somaschi, V. Giesz, L. De Santis, J.C. Loredo, M.P. Almeida, G. Hornecker, S.L. Portalupi, T. Grange, C. Anton, J. Demory, C. Gomez, I. Sagnes, N.D. Lanzillotti-Kimura, A. Lemai tre, A. Auffeves, A.G. White, L. Lanco, P. Senellart. Nat. Photonics, 10 (5), 340 (2016). DOI: 10.1038/nphoton.2016.23
  2. M. Schmidt, M.V. Helversen, S. Fischbach, A. Kaganskiy, R. Schmidt, A. Schliwa, T. Heindel, S. Rodt, S. Reitzenstein. Opt. Mater. Express, 10 (1), 76 (2019). DOI: 10.1364/ome.10.000076
  3. F. Basso Basset, M.B. Rota, C. Schimpf, D. Tedeschi, K.D. Zeuner, S.F. Covre da Silva, M. Reindl, V. Zwiller, K.D. Jons, A. Rastelli, R. Trotta. Phys. Rev. Lett., 123 (16), 160501 (2019). DOI: 10.1103/physrevlett.123.160501
  4. M. Zopf, R. Keil, Y. Chen, J. Yang, D. Chen, F. Ding, O.G. Schmidt. Phys. Rev. Lett., 123 (16), 160502 (2019). DOI: 10.1103/physrevlett.123.160502
  5. T. Kroh, J. Wolters, A. Ahlrichs, A.W. Schell, A. Thoma, S. Reitzenstein, J.S. Wildmann, E. Zallo, R. Trotta, A. Rastelli, O.G. Schmidt, O. Benson. Sci. Rep., 9 (1), 13728 (2019). DOI: 10.1038/s41598-019-50062-x
  6. H. Wang, Y.-M. He, T.-H. Chung, H. Hu, Y. Yu, S. Chen, X. Ding, M.-C. Chen, J. Qin, X. Yang, R.-Z. Liu, Z.-C. Duan, J.-P. Li, S. Gerhardt, K. Winkler, J. Jurkat, L.-J. Wang, N. Gregersen, Y.-H. Huo, Q. Dai, S. Yu, S. Hofling, C.-Y. Lu, J.-W. Pan Nat. Photonics, 13 (11), 770--775 (2019). DOI: 10.1038/s41566-019-0494-3
  7. M. Anderson, T. Muller, J. Huwer, J. Skiba-Szymanska, A.B. Krysa, R.M. Stevenson, J. Heffernan, D.A. Ritchie, A.J. Shields. Npj Quantum Inf., 6 (1), 14 (2020). DOI: 10.1038/s41534-020-0249-5
  8. S. Kolatschek, S. Hepp, M. Sartison, M. Jetter, P. Michler, S.L. Portalupi. J. Appl. Phys., 125 (4), 045701 (2019). DOI: 10.1063/1.5050344
  9. M.C. Lobl, S. Scholz, I. Sollner, J. Ritzmann, T. Denneulin, A. Kovacs, B.E. Kardyna , A.D. Wieck, A. Ludwig, R.J. Warburton. Commun. Phys., 2 (1), 93 (2019). DOI: 10.1038/s42005-019-0194-9
  10. T. Heuser, J. Grose, S. Holzinger, M.M. Sommer, S. Reitzenstein. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 26 (1), 1 (2020). DOI: 10.1109/jstqe.2019.2925968
  11. E.P. Blair, S. Koziol. Proc.: ICRC. 2017. DOI: 10.1109/icrc.2017.8123685
  12. T. Heuser, J. Grob e, A. Kaganskiy, D. Brunner, S. Reitzenstein. APL Photonics, 3 (11), 116103 (2018). DOI: 10.1063/1.5050669
  13. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Y. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Y.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74 (19), 2815 (1999). DOI: 10.1063/1.124023
  14. P. Yu, W. Langbein, K. Leosson, J.M. Hvam, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov, A.F. Tsatsul'nikov, Y.G. Musikhin. Phys. Rev. B., 60 (24), 16680 (1999). DOI: 10.1103/physrevb.60.16680
  15. A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, A.Y. Egorov, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35 (14), 1161 (1999). DOI: 10.1049/el:19990813
  16. A.S. Shkolnik, L.Y. Karachinsky, N.Y. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, S. Pellegrini, G.S. Buller. Appl. Phys. Lett., 86 (21), 211112 (2005). DOI: 10.1063/1.1938000
  17. A. Rantamaki, G.S. Sokolovskii, S.A. Blokhin, V.V. Dudelev, K.K. Soboleva, M.A. Bobrov, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasil'ev, A.G. Gladyshev, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, O. Okhotnikov. Opt. Lett., 40 (14), 3400 (2015). DOI: 10.1364/ol.40.003400
  18. Single Semiconductor Quantum Dots, ed. by P. Michler (Heidelberg: Springer-Verlag, 2009) 389 p. DOI: 10.1007/978-3-540-87446-1
  19. E. Schlottmann, D. Schicke, F. Kruger, B. Lingnau, C. Schneider, S. Hofling, K. Ludge, X. Porte, S. Reitzenstein. Opt. Express., 27 (20), 28816 (2019). DOI: 10.1364/oe.27.028816
  20. G. Trevisi, L. Seravalli, P. Frigeri, S. Franchi. Nanotechnology, 20 (41), 415607 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/41/415607
  21. J.P. Reithmaier, G. S ck, A. Loffler, C. Hofmann, S. Kuhn, S. Reitzenstein, L.V. Keldysh, V.D. Kulakovskii, T.L. Reinecke, A. Forchel. Nature, 432 (7014), 197 (2004). DOI: 10.1038/nature02969

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.