Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур "кремний на изоляторе"
Абросимова Н.Д.1, Дроздов М.Н.2, Оболенский С.В.1,3
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский радиофизический институт "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского", Нижний Новгород, Россия
Email: andnenastik@inbox.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 3 апреля 2020 г.
Принята к печати: 3 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.
Приведены результаты теоретического и экспериментального исследования распределения водорода в кремнии и структурах SiO2-Si при имплантации в режимах, используемых при изготовлении структур "кремний на изоляторе" по технологии водородного переноса. Предложена методика количественного анализа высоких концентраций имплантированного водорода в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии, включающая количественную калибровку концентрации атомов водорода и нормировку глубины анализа из времени распыления. Приведены результаты исследований распределения по глубине имплантированного водорода в кремнии и структурах Si-SiO2. Определен примесный состав имплантированных структур. Контролировались также латеральная однородность и временная стабильность имплантированных структур. Ключевые слова: ВИМС, имплантация, водород, структуры "кремний на изоляторе", "допороговое дефектообразование.
- Козловский В.В., Козлов В.А. // ФТП. 1999. Т. 23. Вып. 12. С. 1409-1410
- Варенцов М.Д., Гайдар Г.П., Долголенко А.П., Литовченко П.Г. // ВАНТ. 2010. Т. 27. Вып. 5. С. 27-35
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 3. С. 503-507
- Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 8. С. 1495-1496
- Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 3. С. 273-276
- Воротынцев В.М., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Базовые процессы микро- и наноэлектроники. М.: Проспект, 2017. 358 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
