Распыление поверхности кремния при низкоэнергетической высокодозовой имплантации ионами серебра
Российский научный фонд, № 17-12-01176
Воробьев В.В.1,2, Рогов А.М.1,2, Нуждин В.И.2, Валеев В.Ф.2, Степанов А.Л.2
1Междисциплинарный центр "Аналитическая микроскопия" Казанского федерального университета, Казань, Россия
2Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: Slavik.Ksu@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 апреля 2019 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2020 г.
Принята к печати: 10 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2020 г.
Приведены результаты по впервые проведенным на практике наблюдениям распыления поверхности Si при имплантации ионами Ag+ с энергией 30 keV в зависимости от дозы облучения D в интервале от 2.5· 1016 до 1.5· 1017 ion/cm2 при фиксированном значении плотности тока в ионном пучке J = 8 μA/cm2, а также при вариации J = 2, 5, 8, 15 и 20 μA/cm2 для постоянной величины D = 1.5· 1017 ion/cm2. В первом случае наблюдается монотонное увеличение толщины распыляемого слоя пористого Si (PSi) до 50 nm при максимальной D, при этом значение эффективного коэффициента распыления имплантированного слоя Ag : PSi составляет 1.6. Также установлено возрастание толщины распыленного слоя при повышении J. Ключевые слова: распыление кремния, низкоэнергетическая ионная имплантация, ионы серебра.
- Миличко В.A., Шалин А.С., Мухин И.С., Ковров А.Э., Красилин А.А., Виноградов А.В., Белов П.А., Симовский К.Р. // УФН. 2016. Т. 186. С. 801-852
- Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 435 с
- Polman A., Knight M., Garnett E.C., Ehrler B., Sinke W.C. // Sciencе. 2016. Vol. 352. P. add4424-1-add4424-10
- Polman A. // Sciencе. 2008. Vol. 322. P. 868-869
- Atwater H.A., Polman A. // Natur Mater. 2010. Vol. 9. P. 205-213
- Kreibig U., Volmer M. Optical properties of metal clusters. Berlin: Springer, 1995. 533 p
- Stepanov A.L. Ion implantation synthesis and optics of metal nanoparticles. Lambert Acad. Publ.: Mauritius, 2018. 426 с
- Rockstuhl C., Fahr S., Lederer F. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 123102-1-123102-123107
- Sardana S.K., Chava V.S.N., Komarala V.K. // Appl. Surf. Sci. 2015. Vol. 347. P. 651-656
- Козадаев К.В., Леончик С.В., Новиков А.Г., Зинчук О.В., Баран Л.В. // ЖПС. 2016. Т. 83. N 5. С. 736-741
- Chervinskii S., Matikainen A., Dergachev A., Lipovskii A., Honkanen S. // Nanoscale Res. Lett. 2014. Vol. 9. P. 398-405
- Yurova N.S., Markina N.E., Pozharov M.V., Zakharevich A.M., Rusanova T.Yu., Markin A.V. // Collois Surf. A: Physicochem. Eng. Aspects. 2016. N 495. P. 169-175
- Lee C.M., Chang S.-P., Chang S.-J., Wu C.-I. // Int. J. Electrochem. Sci. 2013. Vol. 8. P. 7634-7645
- Баталов Р.И., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Нургазизов Н.И., Бухараев А.А., Ивлев Г.Д., Степанов А.Л. // Опт. и спектр. 2019. Т. 126. Вып. 2. С. 214-219
- Stepanov A.L., TrifonovA.A., Osin Y.N., Valeev V.F., Nuzhdin V.I. // Optoelectron. Adv. Mat. Rapid Comm. 2013. Vol. 7. P. 692-697
- Stepanov A.L., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Vorobev V.V., Rogov A.M., Osin Y.N. // Vacuum. 2019. Vol. 7. P. 353-357
- Nastasi M., Mayer J.W., Hirvonen J.K. Ion-solid interactions. Fundamentals and applications. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1996. 540 p
- Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериш. M.: Мир, 1984. 336 с
- Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Воробьев В.В., Осин Ю.Н., Степанов А.Л. // ЖПС. 2016. T. 83. N 1. C. 55-59
- Воробьев В.В., Рогов А.М., Осин Ю.Н., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Эйдельман К.Б., Табачкова Н.Ю., Ермаков М.А., Степанов А.Л. // ЖТФ. 2019. T. 89. Вып. 2. C. 226-234
- Stepanov A.L., Osin Y.N., Vorobev V.V., Valeev V.F., Nuzhdin V.I. // Optoelectron. Adv. Mat. Rapid Comm. 2017. Vol. 11. P. 685-690
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. / Под. ред. Е.С. Машкова. М.: Мир, 1989. 349 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
