Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об особенностях электронного транспорта в наноустройстве на основе молекулы, содержащей окислительно-восстановительный центр нитроамина
Переводная версия: 10.1134/S1063784220040180 
Сергеев Д.М.
1,2
1Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова, Актобе, Казахстан 
2Военный институт Сил воздушной обороны им. Т. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
2Военный институт Сил воздушной обороны им. Т. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
Email: serdau@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 3 марта 2019 г.
Принята к печати: 21 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
В рамках теории функционала плотности в приближении локальной плотности и метода неравновесных гриновских функций (DFT + NEGF) исследован электронный транспорт в наноустройстве, состоящем из молекулы 2'-amino-4-ethynylphenyl-4'-ethynylphenyl-5'-nitro-1-benzenethiol, помещенного между электродами из золота. Рассчитаны вольт-амперные, dI/dV-характеристики, спектр пропускания и электронная плотность наноустройства. Показано, что вольт-амперная характеристика рассматриваемого наноустройства в интервале напряжений -0.8-0.9 V приобретает N-образную форму, и на ней появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Полученные результаты могут быть полезными для расчетов новых перспективных электронных переключательных устройств. Ключевые слова: электронный транспорт, наноконтакт, отрицательное дифференциальное сопротивление, вольт-амперная характеристика.
- Geim A.K., Grigorieva I.V. // Nature. 2013. Vol. 499. P. 419--425. DOI: 10.1038/nature12385
- Cuevas J.C., Scheer E. Molecular Electronics (An Introduction to Theory and Experiment). World Scientific, 2017. 848 p. DOI: https://doi.org/10.1142/10598
- Agrait N., Yeyati A.L., van Ruitenbeek J.M. // Phys. Rep. 2003. Vol. 377. P. 81--279. DOI: 10.1016/S0370-1573(02)00633-6
- Fuechsle M., Miwa J.A., Mahapatra S., Ryu H., Lee S., Warschkow O., Hollenberg L.C.L., Klimeck G., Simmons M.Y. // Nat. Nanotechnol. 2012. Vol. 7. P. 242--246. DOI: 10.1038/nnano.2012.21
- Сергеев Д.М. // Изв. вузов. Сер. физ. 2016. T. 59. N 3. С. 122--130 [ Sergeyev D. // Russ. Phys. J. 2016. Vol. 59. N 3. P. 456--465.] DOI: https://doi.org/10.1007/s1118
- Солдатов Е.С., Ханин В.В., Трифонов А.С., Губин С.П., Колесов В.В., Преснов Д.Е., Яковенко С.А., Хомутов Г.Б., Коротков А.Н. // УФН. 1998. Т. 168. N 2. С. 217--219. DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217 [ Soldatov E.S., Khanin V.V., Trifonov A.S., Gubin S.P., Kolesov V.V., Presnov D.E., Yakovenko S.A., Khomutov G.V., Korotkov A.N. // Phys. Usp. 1998. Vol. 41. P. 202--204.] DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364
- Клавсюк А.Л., Колесников С.В., Смелова Е.М., Салецкий А.М. // ФТТ. 2011. T. 53. Вып. 11. С. 2237--2241. [ Klavsyuk A.L., Kolesnikov S.V., Smelova E.M., Saletsky A.M. // Phys. Solid State. 2011. Vol. 53. N 11. P. 2356--2360.] DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341111014X
- Guisinger N.P., Greene M.E., Basu R., Baluch A.S., Hersam M.C. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. P. 55--59. DOI: 10.1021/nl0348589
- Guisinger N.P., Basu R., Greene M.E., Baluch A.S., Hersam M.C. // Nanotechnology. 2004. Vol. 15. P. S452--S458. DOI: https://doi.org/10.1088/0957-4484/15/7/052
- Rakshit T., Liang G.Ch., Ghosh A.W., Datta S. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. P. 1803--1807. DOI: 10.1021/nl049436t
- Houbertz R., Weber U., Hartmann U. // Appl. Phys. A. 1998. Vol. 66. P. S149--S152. DOI: https://doi.org/10.1007/s003390051
- Гатин А.К., Гришин М.В., Гуревич С.А., Дохликова Н.В., Кирсанкин А.А., Кожевин В.М., Колченко Н.Н., Ростовщикова Т.Н., Харитонов В.А., Шуб Б.Р., Явсин Д.А. // Изв. РАН. Сер. хим. 2014. Т. 8. С. 1696--1702. [ Gatin A.K., Grishin M.V., Gurevich S.A., Dokhlikova N.V., Kirsankin A.A., Kozhevin V.M., Kolchenko N.N., Rostovshchikova T.N., Kharitonov V.A., Shub B.R., Yavsin D.A. // Russ. Chem. Bull. 2014. Vol. 63. P. 1696--1702.] DOI: https://doi.org/10.1007/s11172-014-0655-y
- Лапшина М.А., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Баранцев Н.С. // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. N 7. С. 71--75
- Далидчик Ф.И., Балашов Е.М., Ковалевский С.А. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 108. Вып. 7. С. 504--509. DOI: 10.1134/S0370274X18190098
- Chen J., Reed M.A., Rawlett A.M., Tour J.M. // Science. 1999. Vol. 286. N 5444. P. 1550--1552. DOI: 10.1126/science.286.5444.1550
- Chen J., Wang W., Reed M.A., Rawlett A.M., Price D.W., Tour J.M. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 1224--1226. DOI: 10.1063/1.1289650
- Brandbyge M., Mozos J.-L., Ordejon P., Taylor J., Stokbro K. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 165401. DOI: 10.1103/PhysRevB.65.165401
- Atomistix ToolKit. Manual Version 2015.1. 2015. QuantumWise A/S, 840
- Сергеев Д.М., Шункеев К.Ш. // Изв. вузов. Сер. физ. 2017. Т. 60. N 11. С. 80--86. [ Sergeyev D., Shunkeyev K. // Russ. Phys. J. 2018. Vol. 60. P. 1938--1945.] DOI: https://doi.org/10.1007/s1118
- Sergeyev D. // J. Nano. Electron. Phys. 2018. Vol. 10. P. 03018. DOI: 10.21272/jnep.10(3).03018
- Landauer R. // Phil. Mag. 1970. Vol. 21. P. 863--867. DOI: 10.1080/14786437008238472
- Mattsson T.R., Lane J.M.D., Cochrane K.R., Desjarlais M.P., Thompson A.P., Pierce F., Grest G.S. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. P. 054103. DOI: 10.1103/PhysRevB.81.054103
- Sheng H.W., Kramer M.J., Cadien A., Fujita T., Chen M.W. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 134118. DOI: 10.1103/PhysRevB.83.134118
- Datta S. Quantum Transport: Atom to Transistor. Cambridge: Univ. Press, 2005. 404 p
- Балашов Е.М., Буданов Б.А., Далидчик Ф.И., Ковалевский С.А. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 101. Вып. 9. С. 717--722. DOI: 10.7868/S0370274X1509012X
- Datta S. // Nanotechnology. 2004. Vol. 15. P. S433--S451. DOI: 10.1088/0957- 4484/15/7/051
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
