Особенности механизма диффузии в структуре алюминий-кремний при облучении ее поверхности внеэлектродной плазмой высоковольтного газового разряда
Колпаков В.А.
1, Кричевский С.В.
11Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
Email: kolpakov683@gmail.com, ksvmitrea@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 23 мая 2019 г.
Принята к печати: 3 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
Исследованы особенности механизма диффузии в структуре Al-Si в процессе обработки ее поверхности внеэлектродной плазмой высоковольтного газового разряда при токе разряда I=50 mA, ускоряющем напряжении U=4 kV и длительностях облучения от 90 до 600 s. Предложена модель для расчета концентрационных профилей распределения примеси алюминия в кремниевой пластине в зависимости от параметров облучения. Получены соответствующие аналитические зависимости, хорошо согласующиеся с экспериментом. Показано, что максимальные значения концентрации диффузанта достигаются на глубине проникновения электронов в полупроводник благодаря формированию ими вакансий в слое толщиной ~0.25 μm, что сопровождается увеличением на 2-3 порядка коэффициента тепловой диффузии. Ключевые слова: низкотемпературная плазма, высоковольтный газовый разряд, диффузия, механизм, структура Al-Si, модель, концентрационные профили.
- Franssila S. Introduction to Microfabrication. John Wiley \& Sons, 2010. 517 p
- Diffractive Nanophotonics / Ed. by V.A. Soifer. Taylor and Francis, 2014. 704 p
- Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A. Optical Materials: Microstructuring Surfaces with Off-Electrode Plasma. CRC Press, 2017. 211 p
- Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда. М.: Радио и связь, 2009. 220 с
- Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Podlipnov V.V. // Vacuum. 2014. N 101. P. 291--297
- Колпаков В.А., Кричевский С.В., Маркушин М.А. // ЖЭТФ. 2017. Т. 151. Вып. 1. С. 189--198. [ Kolpakov V.A., Krichevsky S.V., Markushin M.A. // J. Experiment. Theor. Phys. 2017. Vol. 124. N 1. P. 164--171.]
- Колпаков В.А., Колпаков А.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 15. С. 58--65
- Колпаков В.А., Подлипнов В.В. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 1. С. 52--55. [ Kolpakov V.A., Podlipnov V.V. // Tech. Phys. 2015. Vol. 60. N 1. P. 53--56.]
- Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А. // Компьютерная оптика. 2002. N 24. С. 84--90
- Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1974. 400 с
- Колпаков В.А., Новомейский Д.Н., Новоженин М.П. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 11. С. 6--9. [ Kolpakov V.A., Novomeiskii D.N., Novozhenin M.P. // Tech. Phys. 2013. Vol. 58. N 11. P. 1554--1557.]
- Майрановский Г.В., Фистуль В.И., Фистуль М.В. // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 11. С. 2082--2085.
- Бушуев В.А., Петраков А.П. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 5. С. 92--96. [ Bushuev V.A., Petrakov A.P. // Tech. Phys. 2000. Vol. 45. N 5. P. 613--617.]
- Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов И.В. Основы электронно-лучевой обработки материалов. М.: Машиностроение, 1978. 222 c
- Попов В.К. // ФХОМ. 1967. N 4. С. 11--24
- Atomic Diffusion in Semiconductors / Ed. by D. Shaw. Plenum Press, 1973. 685 p.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
