Вышедшие номера
Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063784219120181
Марков А.В.1, Панов М.Ф.1, Растегаев В.П.1, Севостьянов Е.Н.1, Трушлякова В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: 19_panov_59@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2018 г.
В окончательной редакции: 19 декабря 2018 г.
Принята к печати: 6 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Неразрушающими бесконтактными методами исследованы карбидокремниевые подложки и эпитаксиальные структуры. Параметры нарушенного поверхностного слоя и шероховатости определены методами эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии. Концентрация свободных носителей заряда определена методом ИК спектроскопии. Толщины в многослойной эпитаксиальной структуре на SiC определены с помощью ИК спектроскопии и растровой электронной микроскопии. Ключевые слова: слой, отражение, интерференция, шероховатость, эллипсометрия.