Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 1669
<<<>>>
Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO2(Y) методом атомно-силовой микроскопии
DOI: 10.21883/JTF.2019.11.48326.127-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110082
РФФИ, Региональный конкурс инициативных научных работ, 18-42-520059
Филатов Д.О. 1, Коряжкина М.Н.1, Антонов Д.А.1, Антонов И.Н.1, Лискин Д.А.1, Рябова М.А.1, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом изучено локальное резистивное переключение в пленках стабилизированного диоксида циркония на проводящих подложках при переключении сложными нестационарными сигналами. Переключение сопротивления пленок осуществлялось треугольными импульсами напряжения, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено увеличение отношения силы тока через контакт зонда к поверхности пленки в высокоомном и низкоомном состояниях при наложении синусоидального сигнала (по сравнению с переключением простыми треугольными импульсами). Обнаружено также увеличение временной стабильности силы тока в указанных состояниях при переключении с наложением синусоидального сигнала. Эффект связан с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, стабильность, резонансная активация.
  1. Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications / Eds. D. Ielmini, R. Waser. Weinheim: Wiley-VCH, 2016. 784 p
  2. Waser R., Aono M. // Nature Mater. 2007. Vol. 6. P. 833-840. DOI: 10.1002/adma.200900375
  3. Riess I. // J. Electroceram. 2017. Vol. 39. N. 1-4. P. 61--72. DOI: 10.1007/s10832-017-0092-z
  4. Strukov D. B., Snider G. S., Stewart D. R., Williams R.S. // Nature. 2008. Vol. 453. N 7191. P. 80-83. DOI 10.1038/nature06932
  5. Ouyang J. Emerging Resistive Switching Memories. Berlin-Heidelberg: Springer, 2016. 93 p
  6. Memristor and Memristive Neural Networks / Ed. A. James. Rijeka: IntechOpen, 2018. 314 p
  7. Ielmini D. // Semicond. Sci. Technol. 2016. Vol. 31. N 6. P. 063002. DOI :10.1088/0268-1242/31/6/063002
  8. Park G.S., Kim Y.B., Park S.Y. et al. // Nature Commun. 2013. Vol. 4. P. 2382. DOI: 10.1038/ncomms3382
  9. Lee J.S., Lee S., Noh T.W. // Appl. Phys. Rev. 2015. Vol. 2. N 3. P. 031303. DOI: 10.1063/1.4929512
  10. Zhu L., Zhou J., Guo Z., Sun Z. // J. Materiom. 2015. Vol. 1. N 4. P. 285-295. DOI: 10.1016/j.jmat.2015.07.009
  11. Trapatseli M., Cortese S., Serb A. et al. // J. Appl. Phys. 2017. Vol. 121. N 18. P. 184505. DOI: 10.1063/1.4983006
  12. Chang K.C., Chang T.C., Tsai T.M. et al. // Nanoscale Research Lett. 2015. Vol. 10. P. 120-147. DOI: 10.1186/s11671-015-0740-7
  13. La Torre C., Fleck K., Starschich S. et al. // Phys. Stat. Sol. A. 2016. Vol. 213. N 2. P. 316-319. DOI: 10.1002/pssa.201532375
  14. Patterson G.A., Fierens P.I., Grosz D.F. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103. N 7. P. 74102. DOI: 10.1063/1.4819018
  15. Abbas H.A. Stabilized Zirconia for Solid Oxide Fuel Cells or Oxygen Sensors: Characterization of Structural and Electrical Properties of Zirconia Doped with Some Oxides. LAP Lambert Academic, 2012. 160 p
  16. Lanza M. Conductive Atomic Force Microscopy: Applications in Nanomaterials. Weinheim: Wiley-VCH, 2017. 384 p
  17. Ambrogio S., Magyari-Kope B., Onofrio N. et al. // J. Electroceram. 2017. Vol. 39. N 1-4. P. 39-60. DOI: 10.1007/s10832-017-0093-y
  18. Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N. et al. Atomic Force Microscopy (AFM): Principles, Modes of Operation and Limitations. / Ed. H. Yang. NY.: Nova Science, 2014. P. 335-355
  19. Seok J.Y., Song S.J., Yoon J.H. et al. // Adv. Functional Mater. 2014. Vol. 24. N 34. P. 5316-5339. DOI 10.1002/adfm.201303520
  20. Lanza M. // Materials. 2014. Vol. 7. P. 2155-2182. DOI 10.3390/ma7032155
  21. Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I. et al. // Adv. Condens. Matter Phys. 2018. P. 2028491. DOI: 10.1155/2018/2028491

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme